「"抗電界"」に関連した英語例文の一覧 - Weblio英語例文検索

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「"抗電界"」を含む例文一覧

該当件数 : 24



当該貼り付き防止駆動時の印加電界は、圧電体(30)の抗電界以下、好ましくは抗電界の10〜80%とする。

An applied electric field during the sticking preventing driving is equal to or less than the coercive electric field of the piezoelectric body (30), preferably, 10 to 80% of the coercive electric field. - 特許庁

強誘電体コンデンサ11には抗電界以上の方形波電圧Va、Vbが電極11A、11B間に所定間隔で印加される。

Square wave voltages Va, Vb over a withstanding electric field are applied between electrodes 11A, 11B of the ferroelectric capacitor 11 at specified intervals. - 特許庁

抗電界Ecが小さく残留分極Prが大きいビスマス層状構造強誘電体結晶の製造方法を提供する。

To provide a production method of a bismuth layered structure ferroelectric crystal having a weak coercive electric field Ec and a large residual polarization Pr. - 特許庁

Sr_2(Ta_1−xNb_x)O_7(0≦x≦1)の強誘電体膜の比誘電率を低下させつつ,抗電界を増大させる。

To increase the coercive electric field while lowering the dielectric constant of a dielectric film having a composition represented by Sr_2(Ta_1-xNb_x)O_7(0≤x≤1). - 特許庁

電歪定数が大きく、かつ抗電界強度の大きいPbSrTiZrO_3系圧電磁器組成物を提供することを目的とする。

To provide a piezolectric porcelain composition composed of PbSrTiZrO3 with a large electrostrictive constant and coercive field strength. - 特許庁

残留分極値が大きく、かつ抗電界が小さい強誘電体材料及びその製造方法を提供する。

To provide a ferroelectric material large in remnant polarization and small in coercive electric field, and to provide a method of manufacturing the ferroelectric material. - 特許庁

電圧Vを抗電界E_0で除して活性層の厚みである活性層厚t_1を算出する(活性層厚測定工程)。

Thickness of active layer t_1 identical to thickness of the active layer is calculated by dividing the anti-voltage V with anti-electric-field E_0 (active layer thickness measuring step). - 特許庁

こうすることによって,従来実現できなかった比誘電率が35で,抗電界が50kV/cmを超える強誘電体膜が形成される。

Consequently, a conventionally unrealizable ferroelectric film having a dielectric constant of 35 and a coercive electric field exceeding 50 kV/cm can be formed. - 特許庁

材料の組成比は、組成比の違いによる材料としての抗電界を考慮して、与えられた動作電圧および膜厚条件から決定する。

The composition ratio of materials is determined from the given operating voltage and film thickness condition, considering coercive electric field as the material depending on difference of composition ratio. - 特許庁

圧電アクチュエータは、ヒステリシス特性における二つの抗電界点がいずれも同一の電界極性に位置している非対称の分極−電界ヒステリシス特性を備える圧電体層を備える。

A piezoelectric actuator includes a piezoelectric structure layer in which any of two anti-electric field points in a hysteresis characteristic has an antisymmetrical polarization-electric field hysteresis characteristic located at the same electric field polarizy. - 特許庁

探針11と各バイアス電極間に抗電界以上の電圧を印加して、誘電体記録媒体の表面と平行な分極方向を有する分極ドメインを形成する。

The polarization domain having the polarization direction parallel to the surface of the dielectric recording medium is formed by impressing the voltage above the coercive electric field between the probe 11 and the respective bias electrodes. - 特許庁

次に、第2の電極棒に抗電界を上回る電圧を所定の時間だけ印加することで、レジストパターンに対応した周期分極反転構造が基板結晶に形成される。

Next, the periodic polarization reversal structure corresponding the resist pattern is formed on the substrate crystal by applying a voltage higher than the coercive electric field to the second electrode rod for a prescribed period of time. - 特許庁

強誘電体キャパシタの抗電界を低下させ、信頼性の高い半導体装置およびそのような半導体装置の製造方法を提供することである。

To provide a high-reliability semiconductor device which lowers the coercive electric field of a ferroelectric capacitor, and to provide a manufacturing method for such a semiconductor device. - 特許庁

そのため、酸化イットリウム膜66上にSTNを結晶化すると、酸素欠損がなく、かつ抗電界が200kV/cm以上の強誘電体膜(STN膜)57が得られる。

Accordingly, when the STN is crystallized on the yttrium oxide film 66, the ferroelectric film (STN film) 57 having no oxygen loss and ≥200 kV/cm anti-electric field can be obtained. - 特許庁

抗電界Ecが小さく残留分極Prが大きいビスマス層状構造強誘電体結晶、およびその製造方法、ならびにそれを用いた電子デバイスを提供する。

To provide a bismuth layered structural ferroelectric crystal which has small coercive electric field Ec and large residual polarization Pr; and to provide its producing method, and an electronic device using the same. - 特許庁

その後、温度を下降させながら抗電界以上の電圧印加を維持するように印加電圧を制御し、圧電体膜20の温度が100℃以下になった時点で電圧印加を解除する。

Then, while the temperature is lowered, the applied voltage is controlled so that voltage application of the coercive electric field or more is maintained, and when the temperature of the piezoelectric film 20 is equal to or lower than 100°C, the voltage application is stopped. - 特許庁

抗電界を所望の値に制御することができ、用途に応じた作動電圧で動作し得るビスマス層状構造強誘電体(BLSF)、その製造方法およびこれを用いた圧電・電歪素子をを提供すること。

To provide a bismuth layer structure ferroelectric (BLSF) which is capable of controlling a coercive electric field to a desired value and operat ing under an operation voltage corresponding to each application, to provide a method of producing the same and a dielectric/electrostrictive element using the ferroelectric. - 特許庁

ビスマスを含む層状構造強誘電体結晶であり、25℃でヒステリシス特性を測定したときに、残留分極Pr(μC/cm^2)と抗電界Ec(kV/cm)とが、Ec≦35および1<Pr/Ecを満たす。

In the bismuth-containing layered structural ferroelectric crystal, the residual polarization Pr(μC/cm^2) and the coercive electric field Ec(kV/cm) satisfy Ec≤35 and 1<Pr/Ec when the hysteresis characteristics of the crystal are measured at 25°C. - 特許庁

圧電体膜20を250℃(抗電界が0V以下になる温度)以上の温度に加熱した後に所定の電圧を印加して、この状態を1分間維持する。

After the piezoelectric film 20 is heated to a temperature of ≥250°C (at which a coercive electric field is 0 V or below), a predetermined voltage is applied, and this state is maintained for one minute. - 特許庁

第1の電極棒に二次非線形光学結晶の抗電界を上回る電圧を所定の時間だけ印加することで、基板結晶がシングルドメイン化される。

The substrate crystal is turned into a single-domain state by applying a voltage higher than a coercive electric field of the second order nonlinear optical crystal to the first electrode rod for a prescribed period of time. - 特許庁

可変容量素子が、強誘電体材料層を挟んで対の電極が形成され、強誘電体材料層に分極のヒステリシス特性の抗電界以上の分極処理が施されて成り、電極に印加される制御電圧に応じて静電容量が可変されるように構成される。

An electrostatic capacitance is varied according to a control voltage applied to an electrode. - 特許庁

耐久性に優れ、圧電セラミック層に、抗電界強度Ecを超える逆方向の電圧が印加される駆動方法によって駆動させても、厚み方向の撓み変形の変位量が、経時的に、大きく低下するおそれのない圧電アクチュエータを提供する。

To provide a piezoelectric actuator having superior durability in which the amount of displacement of bending distortion in a thickness direction is not deteriorated significantly in a piezoelectric ceramic layer with time, even driving with a driving method in which a voltage is applied in reverse direction exceeding an electric field resistivity strength Ec. - 特許庁

ダイヤモンド単結晶基板またはエピタキシャル薄膜上にフッ化物(CaF_2、BaF_2、MgF_2の内一つ)を緩衝層として用いることにより、抗電界を同じ大きさ(33kV/cm)に保ちながら、従来の2倍の残留分極電荷(68μC/cm^2)を持つ優れた強誘電性のPZT薄膜を提供する。

By employing a fluoride (one of CaF_2, BaF_2 and MgF_2) as a buffer layer on a diamond single-crystal substrate or an epitaxial thin film, an excellent ferroelectric PZT thin film having remnant polarization charge (68 μC/cm^2) twice as much as that of a conventional one while keeping a coercive electric field at the same value (33 kV/cm) is provided. - 特許庁

特にこのBaTiO_3 にバリウムを少なくとも部分的にドープすることによって、キュリー温度及び飽和分極がかなり高くなると共に抗電界強度がかなり低くなるので、このような材料から製造された容量結合構造体を有するガス放電ランプはかなり高温で且つ低い点灯電圧で点灯しうる。

Especially, at least by partially doping barium to the BaTiO_3 makes the Curie temperature and saturated polarization of the ceramic material considerably high and strength against electric field pretty low, so that the gas discharge lamp having the capacitive coupled structure, made of a material which can be lit at a considerably high temperature and low lighting voltage. - 特許庁





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