「"選択比"」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

すなわち、エッチング選択比を確保するには発光強度の低い領域の条件を用いればよい。例文帳に追加

That is, in order to secure the etching selection ratio, it is necessary to use the conditions in a region where the emission intensity is low. - 特許庁

ドライエッチングによる樹脂膜のパターン形成方法において、高い選択比が得られる方法の提供。例文帳に追加

To provide a method by which a high selection ratio can be obtained in a pattern forming method for a resin film by dry etching. - 特許庁

このことにより、レジストに対して高選択比を有し加工しにくい金属でもレジストパターン４のネガパターンを転写することができる。例文帳に追加

Thereby, a negative pattern of the resist pattern 4 can be transferred even to the metal, which has high selectivity with respect to the resist and cannot be processed easily. - 特許庁

低誘電率膜(Low-k膜、例えばSiOCH)において、膜ダメージを発生せず、高選択比で高精度なエッチングを実現可能な処理条件を提供する。例文帳に追加

To provide processing conditions under which a low-dielectric-constant film (Low-k film, e.g. SiOCH) can be etched at a high selection ratio with high precision without being damaged. - 特許庁

測定された干渉光の波形の乱れに基づき、低選択比のドライエッチングの終点検出を行なう。例文帳に追加

The end point of the dry etching of a low selection ratio is detected on a basis of the disturbance of a waveform of the measured interference light. - 特許庁

シリコンのエッチング加工において、マイクロトレンチの発生を防止し、更には垂直加工形状およびマスク選択比の向上をも図ること。例文帳に追加

To prevent the generation of microtrenches to improve a vertically worked shape and a mask selection ratio in silicon etching treatment. - 特許庁

その結果、フッ素ラジカルによるウエハＷのシリコン下地に対するエッチングの進行が停止し、選択比が向上する。例文帳に追加

As a result, an etching process with respect to a silicon substrate of a wafer W by a fluorine radical is stopped, thereby improving the selection ratio. - 特許庁

金属酸化膜または金属シリコン酸化膜からなる絶縁膜のシリコン酸化膜等に対するエッチング選択比を向上させる。例文帳に追加

To increase an etching selection ratio for a silicon oxide film and the like of an insulating film composed of a metal oxide film or a metal silicon oxide film. - 特許庁

このクリーニング工程時の所定温度は、Ｐｏｌｙ−ＳｉとＳｉＯ_2（石英）の選択比が大きく変化する４５０℃以下とする。例文帳に追加

The prescribed temperature in the cleaning process is set to 450°C or lower, at which the selection ratio between Poly-Si and SiO2 (quartz) varies greatly. - 特許庁

この際の選択比は１．６で転写し（転写後の高さは、０．９６μｍ×１．６＝１．５３μｍ）た。例文帳に追加

In this case, the transfer is performed at a selection ratio of 1.6 (a height after the transfer is obtained by the following multiplication: 0.96 μm×1.6=1.53 μm). - 特許庁

例えば、「高確率時奇数当りテーブル」では、確変大当り確定の期待値が高いプレミアム予告演出の選択比率が高くなっている。例文帳に追加

For example, a selected ratio for a premium premonitory performance of a high expected value for a definite jackpot with probability change is higher in an "odd number winning table for a high probability". - 特許庁

空洞部を形成する際に、犠牲ＳｉＧｅ層３のエッチングの選択比をさらに高めることが可能である。例文帳に追加

It is possible to further improve the etching selectivity of the sacrifice SiGe layer 3 when forming the cavity. - 特許庁

次に、反応性イオンエッチング用チャンバ内にエッチングガスとして 炭素及びフルオロを含む混合ガスを供給し、物質膜と下部膜との間のエッチング選択比を増加させるための選択比増加ガスとしてＣＨ２Ｆ２ガスを供給する。例文帳に追加

Then a mixture of gas including carbon and fluoro-compound is supplied as an etching gas into the chamber for the reactive ion etching, and CH2F2 gas is introduced as a factor for increasing etching selective ratio between the material film and a lower film. - 特許庁

高選択比を得ることの出来るドライエッチング方法、または高選択比の得られるドライエッチング方法を用いることにより、製造歩留まりや半導体装置の性能を向上できる半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of dry etching by which a high selection rate can be obtained and a method of manufacturing a semiconductor device by which the manufacturing yield or performance of a semiconductor device can be improved by using the method of dry etching. - 特許庁

さらに酸化剤を含むことで、窒化ケイ素膜の研磨速度に対する金属膜の研磨速度の比である第１選択比、および窒化ケイ素膜の研磨速度に対する酸化絶縁膜の研磨速度の比である第２選択比を制御する。例文帳に追加

By further containing an oxidizing agent, first selectivity representing the ratio of a polishing speed for a metal film to a polishing speed for a silicon nitride film and second selectivity representing the ratio of a polishing speed for an oxide insulating film to a polishing speed for a silicon nitride film are controlled. - 特許庁

銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨する場合の、銅とタンタル化合物の研磨選択比、銅に対する選択比を高めた時の配線溝や孔の銅膜の削られ過ぎ、及び銅膜表面の平滑性、を改善した研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide an abrasive composition in which improvement is realized in an abrasion selection ratio between copper and a tantalum compound upon abrading a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, in excess abrasion of a copper film in an electric wiring channel and hole upon increasing a selection ratio to copper, and in smoothness of a surface of a copper film. - 特許庁

アミノ酸、多価水酸基含有化合物及びアルキレンオキシド付加物からなる群より選ばれる１種以上の化合物からなる、ストッパー膜の研磨速度に対する絶縁膜の研磨速度の比を向上させる研磨速度選択比向上剤、該研磨速度選択比向上剤を含有してなる研磨液組成物、並びに該研磨液組成物を用いる被研磨基板の製造方法。例文帳に追加

The abrasive liquid composition contains the abrasion speed selection ratio improver, and this method of manufacturing a substrate to be polished uses the abrasive liquid composition. - 特許庁

手順をより細かく分解すると、基板上に形成すべきパターンの形状に応じて、そのパターンに対応する各場所でのエッチング選択比を求め、このエッチング選択比を元に、レジストパターンの形状を決定し、そのレジストパターンを与えるようなグレースケールマスクパターンを決定する。例文帳に追加

In more particularly disclosed procedure, the etching selection ratio at each position corresponding to the pattern is obtained in accordance with the pattern to be formed on a substrate, the figure of the resist pattern is determined based on the etching selection ratio, and a gray scale mask pattern resulting the resist pattern is determined. - 特許庁

銅膜及びタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide an improved polishing composition by solving the problems that the polishing selection ratio of copper to a tantalum compound is insufficient when a semiconductor device having a copper film and the tantalum compound is polished, a wiring groove and the copper film of a hole are excessively scrapped when the selection ratio to the copper is increased, smoothness on the surface of the copper film is damaged, or the like. - 特許庁

銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing composition for solving such problems that, in polishing a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, the polishing selection ratio for the copper and the tantalum compound may be inadequate or that, when the selection ratio to the copper is raised, the copper film at wiring grooves or holes may be overshaved or the smoothness of the surface of the copper film may be impaired. - 特許庁

銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing composition solving such problems that in polishing a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, the polishing selection ratio for the copper and the tantalum compound is inadequate, or when the selection ratio to the copper is raised, the copper film at wiring grooves or holes is overshaved or the smoothness of the surface of the copper film is impaired. - 特許庁

銅膜及びタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing composition improved in such problems that, in polishing a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, the polishing selection ratio for the copper and the tantalum compound is inadequate, or when the selection ratio to the copper is raised, the copper film at wiring grooves or holes is overshaved or the smoothness of the surface of the copper film is impaired. - 特許庁

銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide an abrasive composition which can solve the problem that, when a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound is polished, the polishing selectivity ratio of the copper and tantalum compound is insufficient or, when the selectivity ratio to the copper is raised, copper films in wiring grooves or holes are excessively polished or the surface smoothness of the copper film is detracted, or the like. - 特許庁

窒化膜２５より酸化膜２３に対して高い研磨選択比を有するスラリーでトレンチ素子分離膜２９の化学的な機械的な研磨（Ｃｈｅｍｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程をおこない、酸化膜より多結晶シリコンに対して高い研磨選択比を有するスラリーで自己整列フローティングゲートを形成してフラッシュメモリ素子を製造することを特徴とする。例文帳に追加

A chemical mechanical polishing step of a trench element separating film 29 is performed by a slurry having a high polishing selection ratio to an oxide film 23 rather than to a nitride film 25, a self-alignment floating gate is formed by a slurry having a high polishing selection ratio to a polycrystal silicon rather than to the oxide film, so that the flash memory cell is manufactured. - 特許庁

銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide an abrasive composition that can solve the problem that, when a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound is polished, the polishing selection rates of the copper and tantalum compound do not become sufficient or, when the selection rate to the copper is raised, copper films in wiring grooves or holes are excessively polished, the surface smoothness of the copper film is detracted, and so on. - 特許庁

シリコン基板と強誘電体層間に蝕刻選択比の高いバッファ層を形成して乾式蝕刻を遂行することで、シリコン基板の損傷を防止しながら自己整列強誘電体ゲートトランジスタの集積度を向上し得る蝕刻選択比の大きいバッファ層を利用した自己整列強誘電体ゲートトランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a self-aligned ferroelectric gate transistor using a buffer layer with a large etching selectivity, which can achieve a higher degree of integration of the self-aligned ferroelectric gate transistor while preventing damage to a silicon substrate by forming a buffer layer with a large etching selectivity between the silicon substrate and a ferroelectric layer and then performing dry etching. - 特許庁

銅膜及びタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide an abrasive composition which improves the problems wherein, when a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound is polished, the polish selection ratio of the cooper and the tantalum compound is not sufficient, the copper film of a wiring groove or a hole is polished excessively, if the selection ratio for the cooper is increased, and smoothness in the surface of the copper film is damaged. - 特許庁

銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a polishing composition solving such problems that, in polishing a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, the polishing selection ratio for the copper and the tantalum compound is inadequate, or when the selection ratio to the copper is raised, the copper film at wiring grooves or holes is overshaved or the smoothness of the surface of the copper film is impaired. - 特許庁

ポリサイド膜をプラズマエッチング方法によりエッチングするとき、ポリシリコン膜に対する金属シリサイド膜のエッチング選択比を高めることのできるエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etching method which raises the etching selectivity of a metal silicide film to a polycide film in plasma etching of the polycide film. - 特許庁

低誘電率で、対レジストエッチング選択比が高く、かつ酸化珪素保護膜なしでも剥離の問題を生じないような有機シロキサン系絶縁膜を提供する。例文帳に追加

To provide an organic siloxane insulating film of low permittivity and high etching selective ratio against resist where no peeling problem occurs even with no silicon oxide protective film. - 特許庁

アルミニウム膜からなる配線との選択比をとりつつアルミニウム酸化物及びその上の酸化珪素膜を同一のエッチャントでエッチングする。例文帳に追加

To etch an aluminum oxide and a silicon oxide film formed thereon with the same etchant in accordance with selectivity to a wiring made of an aluminum film. - 特許庁

この一様に窒素イオンを分布した窒素注入C60フラーレン薄膜は電子線露光前後のエッチングレートの差、基板に対する選択比がが著しく高いので、電子線リソグラフィー用ネガレジストに適している。例文帳に追加

This nitrogen-implanted C60 fullerene thin film is suitable for use as a negative resist for electron beam lithography because difference of etching rate is remarkable before and after electron beam exposure and etching selectivity to the substrate is high. - 特許庁

またこのとき１６ｂ散乱用凹凸膜のホール形成用エッチングストッパーとして１３ｂ半導体膜コンタクト層を用いることで良好な選択比を得ることができる。例文帳に追加

Moreover a satisfactory selection ratio can be obtained by using the semiconductor film contact layer 13b as an etching stopper for forming the hole of the ruggedness film for scattering 16b at this time. - 特許庁

従来に較べてタングステンとシリコンとの選択比を向上させることができ、良質な半導体装置を安定して製造することのできるドライエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a dry etching method for improving the selective ratio of tungsten to silicon as compared with before, and to stably provide manufacturing semiconductor devices of proper quality. - 特許庁

薄いフォトレジストのフォトレジスト選択比を高めることで、エッチング効率を向上させることができる半導体素子のエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etching method for a semiconductor element which raises a photoresist selection ratio for formation of a thin photoresist to improve etching efficiency. - 特許庁

ゲート絶縁膜６及びゲート電極７ａ，７ｂとエッチング選択比の異なるマスク膜８を堆積して、ゲート電極７ａ，７ｂの上面を露出させる。例文帳に追加

The gate insulation film 6, gate electrodes 7a and 7b and mask film 8 having a different etching ratio are deposited in order and the upper surface of the gate electrodes 7a and 7b is exposed. - 特許庁

レジスト膜に対する高エッチング選択比を得ると同時に、再現性よくルテニウム膜をエッチング加工することのできる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of etching a ruthenium film with good reproducibility at the same time obtaining the high etching selection ratio of a resist film. - 特許庁

従来に比べてフォトレジストに対するＳｉを含む誘電膜の選択比を向上させることのできる半導体装置の製造方法等を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method and the like for a semiconductor device which can improve the selection ratio of a dielectric film containing Si against photoresist compared with former methods. - 特許庁

そして、この残っている反射防止膜と層間絶縁膜３１とのエッチング選択比を利用してセルフアラインコンタクトを形成するためのエッチング工程を行う。例文帳に追加

An etching process for forming a self-aligning contact is executed by using etching selectivity between the remaining antireflection film and a layer insulation film 31. - 特許庁

ｐ型の引き出し層３００とｎ型の引き出し層４００とは、多結晶シリコンとシリコン・ゲルマニウム混晶との高いエッチング選択比を利用し、片方のみを選択的にエッチング除去することによって形成される。例文帳に追加

The p- and n-type leading layers 300, 400 are formed by selectively etching off only either the polycrystalline silicon or silicon-germanium mixed crystal, utilizing a high etching selective ratio of both. - 特許庁

また露光されたレンズパターンとスペーサパターンの高さの差と必要なスペーサの高さに応じてエッチングの選択比をコントロールすることで任意の高さのスペーサパターンを形成することができる（ｄ，ｅ）。例文帳に追加

Further, a spacer pattern of arbitrary height can be formed (d, e) by controlling the selection ratio of the etching according to the difference in height between the exposed lens pattern and spacer pattern and the necessary height of the spacer. - 特許庁

この場合、フォトレジストパターンとコア層のエッチング選択比を制御することにより、コア層の傾斜を調節し、単純な工程を通じてテーパ型光導波路のプロフィールを精密に制御することができる。例文帳に追加

In this case, the tilt of the core layer is adjusted by controlling the etching selection ratio between the photoresist pattern and core layer to precisely control the profile of the tapered optical waveguide through the simple process. - 特許庁

ポリシリコン膜に対する金属シリサイド膜のエッチング選択比を高める方法及びこれを用いてポリシリコン膜及び金属シリサイド膜との積層膜をエッチングする方法例文帳に追加

METHOD OF RAISING ETCHING SELECTIVITY OF METAL SILICIDE FILM TO POLYSILICON FILM AND METHOD OF ETCHING LAMINATE FILM OF POLYSILICON FILM AND METAL SILICIDE FILM, USING THE SAME - 特許庁

この半導体層３は、第１導電層２とのエッチング選択比が高く、第１導電層２に対するエッチング効率が充分に高いものである。例文帳に追加

The semiconductor layer 3 has a high etching selection ratio with respect to the first conductive layer 2 and sufficiently high etching efficiency for the first conductive layer 2. - 特許庁

シリコン基板を加工するためのドライエッチングにおいて、円錐状パターン欠陥の発生を抑制しつつマスク材となる絶縁膜に対して高い選択比を確保できるようにする。例文帳に追加

To secure a high selection ratio to an insulation film used as a mask material, while controlling the generation of conical pattern defects, in performing dry etching for processing a silicon substrate. - 特許庁