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「"選択比"」を含む例文一覧

該当件数 : 434



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シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜のいずれにも十分なエッチングレートの選択比を有する半導体装置の製造方法と半導体製造装置とを提供する。

To provide a semiconductor device manufacturing method and device having sufficient selective ratio of etching rate for either one of a silicon nitride film and a silicon oxide film. - 特許庁

トレンチ埋め込みの際に研磨工程及び低選択比のウェットエッチング工程を適用してボイドなしにトレンチを埋め込むための半導体素子の製造方法を提供すること。

To provide a method of manufacturing a semiconductor element for implanting a trench without void by applying a polishing step and a wet etching step with a low selection ratio at the time of trench implant. - 特許庁

フッ化炭素、酸素およびフッ化炭化水素を含むエッチング選択比を高めたガスを用いることによりシリコン酸化膜21のエッチングを抑制しつゝ露出した窒化シリコンパターン25を除去する。

A gas having an improved etch selectivity containing a carbon fluoride, an oxygen and hydrocarbon fluoride is employed to suppress the etching of the silicon oxide film 21 and to remove the exposed silicon nitride pattern 25. - 特許庁

シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の高いエッチング選択比と、シリコン窒化膜の高いエッチングレートとを両立しうる技術を提供する。

To provide a technology capable of concurrently satisfying a high etching selection ratio of a silicon nitride film to a silicon oxide film and a high etching rate of the silicon nitride film. - 特許庁

ポリメタル構造のゲート電極をエッチング加工する際、ゲート電極の形状を確保すると共に、窒化シリコンからなるエッチングストッパ膜に対するエッチング選択比を向上させる。

To secure the shape of the gate electrode at the time of etching the gate electrode of polymetal structure and to improve the etching selection ratio with respect to an etching stopper film constituted of silicon nitride. - 特許庁

この場合、下地の真性アモルファスシリコン膜21が露出され、この露出された真性アモルファスシリコン膜21がある程度ドライエッチングされるが、その際の選択比は約7である。

Although the ground real amorphous silicon film 21 is exposed and the exposed real amorphous silicon film 21 is dry-etched to some extent, a selection ratio of the dry etching is about 7. - 特許庁

マイクロローディング効果によって基板をエッチングするためのハードマスクを形成し、半導体基板とエッチングの選択比が大きく取れるエッチング方法を用いて、容易に深さの異なるトレンチを形成することができる。

The trenches with differences in trench depths can be easily formed by forming hard masks for etching the substrate by using the micro loading effect and by using an etching method in which the selectivity of the semiconductor substrate and etching is widely adopted. - 特許庁

また、マスクパターンを除去する段階は、第1ゲート絶縁膜パターン115に対して選択比を有するエッチングレシピを使用して実施することが望ましい。

Additionally, preferably, a step for removing the mask pattern is performed by using an etching recipe having a selection ratio to the first gate insulating film pattern 115. - 特許庁

シリコン基板またはシリコン層のエッチング加工において、側壁ダメージの防止、高選択比および垂直形状加工を両立させることができるSiエッチング方法を提供する。

To provide an Si etching method that can prevent sidewall damages and makes high selection ratio and vertical form processing compatible, in an etching process for a silicon substrate or silicon layer. - 特許庁

バリヤ材料の除去速度が大きくとれると共に配線金属に対する選択比が大きく、かつ絶縁材料に対する研磨速度が抑制できる研磨溶液を提供する。

To provide polishing solution which can take a large selection ratio to wiring metals as well as a large removing speed of barrier materials and suppress a polishing speed to insulating materials. - 特許庁

高いエッチング選択比を有するエッチング組成物、その製造方法、これを用いた酸化膜の選択的エッチング方法、及び半導体装置の製造方法

ETCHING COMPOSITION HAVING HIGH ETCHING RATIO, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, METHOD FOR ETCHING OXIDIZED FILM BY USING THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

エッチング選択比ならびに剥離性の高い窒化シリコン膜を製造する方法、及び窒化シリコン膜を用いて、微細なパターンを精度よく形成する方法を提供すること。

To provide a method of manufacturing a silicon nitride film with high etching selecting ratio and releasability and a method of forming a fine pattern with sufficient precision by using the silicon nitride film. - 特許庁

式(1)で表される化合物とフッ素化剤とをルイス酸触媒の存在下で反応させることにより、式(2)で表される化合物を選択比98%以上で生成させる。

This method produces the compound expressed by formula (2) in a selective ratio ≥98% by reacting a compound expressed by formula (1) and a fluorinating agent in the presence of a Lewis acid catalyst. - 特許庁

改善された選択比を有する、タングステン及びチタンのケミカルメカニカルポリッシングの為の組成物及び方法で、絶縁層の除去を押さえながらもチタン層除去を改善する。

To provide compositions and methods for chemical-mechanical planarization of tungsten and titanium having an improved selection ratio, in which the removal of the titanium layer is improved, while suppressing the removal of an insulating layer. - 特許庁

次に、フォトレジスト3と層間絶縁膜2とのエッチングの選択比が高い条件で能動素子の電気的接続領域あるいは電気配線の上まで異方性のドライエッチングを行う。

Then anisotropic dry etching is applied up to the electric connection region or electric wires of active elements, under the condition of the etching selection ratio being high between the photoresist 3 and the inter-layer insulating film 2. - 特許庁

被覆率としては従来と変わることなく、かつシリコン酸化膜との間で選択比の取れるシリコン窒化膜を有する半導体装置の製造方法を提供することにある。

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a silicon nitride film which can take selectivity between a silicon oxide film without changing existing coverage. - 特許庁

ドライエッチング速度の選択比が大きく、しかもArFエキシマレーザーのような短波長でのk値及び屈折率nが所望の値を示すレジスト下層膜を形成するための組成物を提供することを目的とする。

To provide a composition for forming a resist underlay film having a large selection ratio in a dry etching rate and showing a desired k value and a refractive index n at a short wavelength such as ArF excimer laser light. - 特許庁

低温で、有機材料から形成される膜に対して高いエッチング選択比を有する膜を形成可能な多層プロセス用材料を用いたパターン形成方法を提供する。

To provide a pattern forming method using a material for multilayer processing, capable of forming a film having a high etching selective ratio to a film formed from an organic material, at a low temperature. - 特許庁

Si上に形成されたSiGeをエッチングする際に、Siに対するSiGeのエッチング選択比の劣化を抑制できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing deterioration in the etching selection ratio of SiGe to Si when etching the SiGe formed on the Si. - 特許庁

このSiCN系エッチングストッパ膜は、低誘電率(5〜5.5)を有し、かつ、層間絶縁膜106に対して十分なエッチング選択比が取れる。

This SiCN etching stopper film has a low dielectric constant (5 to 5.5) and a sufficient etching selection ratio can be taken with respect to a layer insulating film 106. - 特許庁

これによりSF6ガスとCHF3ガスの流量を調整することによって、エッチングレートや面内均一性、選択比が制御され、所望の形状のマイクロレンズを形成することができる。

Accordingly, the etching rate, the in-plane uniformity and the selection ratio are controlled by adjusting the flow ratios of the SF6 gas and the CHF3 gas, and the micro-lens having the desired shape is formed. - 特許庁

エッチング対象部のエッチングレートおよび対マスク選択比が高く、かつ、エッチングストップを抑えたプラズマエッチング方法を提供すること。

To provide a plasma etching method which ensures a higher etching rate and mask selection ratio of an etching object portion and also suppresses the etching stop. - 特許庁

エッチング対象膜、特にシリコン含有膜上に形成されたタングステン含有膜を、高温にすることなく、良好な形状性および下地に対する高い選択比を確保しつつエッチングすること。

To perform etching while ensuring good profile and high selection ratio to the underlying film without elevating the temperature of an etching object film, especially a tungsten containing film formed on a silicon containing film. - 特許庁

特別な加熱を必要とせず、極めて良好な平坦性及びマスク選択比を保ち、且つマスク形状に忠実な形状及び高いエッチング速度を得ることができる炭素系材料のエッチング方法を提供する。

To provide an etching material for carbonic material, which can keep extremely excellent flatness and mask selection ratio without needing special heating, and can get form loyal to the mask form and high etching speed. - 特許庁

異方性が高い良好なエッチング形状と、速いエッチング速度及び高い選択比とを両立できるシリコンの異方性エッチング方法及び装置を提供する。

To provide a silicon anisotropically etching method and an apparatus thereof which makes a high-anisotropy and a good etched shape compatible with a high etching rate and high selectivity. - 特許庁

アスペクトエッチングを行う際に,エッチングレートとレジスト選択比の両方を従来以上に向上させることができるプラズマエッチング方法を提供する。

To provide a plasma etching method which can further improve both an etching rate and a resist selection ratio compared with a conventional method in executing aspect ratio etching. - 特許庁

シリコン膜に対して下層絶縁膜を高い選択比で除去し得る条件で異方性エッチングを行うことにより、ソースドレイン領域5に開口するまでSC11を延長する。

The anisotropic etching is performed on the condition that the lower layer insulation film be removed from the silicon film at a high selection ratio, and the SC 11 is extended until it is opened to the source drain region 5. - 特許庁

エッチングガスに軽元素である水素を用いることでマスク肩部のスパッタ性を低減し、且つ添加ガスに堆積性ガスを混入することでマスク材との選択比を増加することが可能となる。

Use of hydrogen of a light element to the etching gas reduces sputtering of the shoulders of the mask, and mixing of the depositing gas to the additional gas can enhance the selection ratio against the mask material. - 特許庁

ドライエッチング工程において、エッチングすべき層と、その下のエッチングストッパ膜との十分な選択比を確保することが可能なエッチング技術を用いて半導体装置を製造する方法を提供する。

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by the use of an etching technique capable of ensuring a sufficient etching selection ratio between an etched layer and an etching stop film in a dry etching process. - 特許庁

レジストに対してエッチング選択比が高い、即ち、エッチングスピードが速い反射防止膜材料及び、この反射防止膜材料を用いて基板上に反射防止膜層を形成するパターン形成方法。

To provide an antireflection film material having a high etching selectivity ratio to a resist, that is, a high etching speed and to provide a pattern forming method by which an antireflection film layer is formed on a substrate using the antireflection film material. - 特許庁

主グレースケールマスクのみを使用を設計する場合に、形成されるマイクロレンズの形状が、中央部において目的とするものにして凸になるように形状と、エッチング選択比の傾きを仮定して設計を行う。

When designing the use of only a main grayscale mask, the designing is performed by assuming the shape and tilting of etching selectivity ratio, such that the shape of the formed microlens is made convex, in comparison to an intended one in a central part. - 特許庁

プロセス安定性を維持しつつ、アルカリ性現像液に対する溶解速度を向上させ、溶解選択比を低下させることのないレジスト現像液組成物を提供すること。

To provide a developer composition for a resist, the composition having an improved dissolving rate with an alkali developer and preventing decrease in a dissolution selection ratio while keeping process stability. - 特許庁

銅(Cu)または銅合金(Cu合金)の研磨速度を高めるとともに、タンタルのような銅拡散防止材料との研磨選択比を高めることが可能な銅系金属用研磨組成物を提供しようとものである。

To provide a polished composition for a copper-based metal, which increases the polishing rate of copper (Cu) or a copper alloy (Cu alloy) and also enables increase in the selection ratio of polishing of the polishing composition to a copper diffusion preventing material such as tantalum. - 特許庁

ガラス基板41を化学エッチングするときの活性層へのダメージを防止する下部半導体層42を、フッ酸に対するエッチング選択比が大きなアモルファスシリコンで構成する。

A lower semiconductor layer 42 for preventing damage of an active layer when a glass substrate 41 is chemically etched is made of amorphous silicon having a large etching selectivity to hydrofluoric acid. - 特許庁

バッファー層は、犠牲膜を除去する時、使用されるエッチャントに対する食刻選択比を有し、犠牲膜の除去時、トレンチ側壁を保護することができる物質を有する。

The buffer layer has an etching selected ratio of the sacrifice film to an etchant used when removing the sacrifice film and has a substance capable of protecting the trench sidewall when removing the sacrifice film. - 特許庁

次に、保護膜19を形成した後、選択比を有するエッチング液により、第一層間絶縁膜16の残った一部および犠牲層15を除去するリリースエッチングを行なって可動電極20をリリースする。

Next, after forming a protective film 19, the movable electrode 20 is released by performing release etching for removing a part left from the first interlayer insulation film 16 and the sacrifice layer 15 by etching liquid having a selectivity. - 特許庁

シリコン窒化膜に対するシリコン酸化膜の除去選択比を高めたウェーハ研磨用スラリー、及びこれを用いた化学的機械的研磨方法を提供する。

To provide a wafer polishing slurry whose removal selection ratio of a silicon oxide film to a silicon nitride film is enhanced and a chemical and mechanical polishing method by the use of the same. - 特許庁

高誘電体ゲート絶縁膜とその下地のシリコン層との間のエッチング選択比を大きく取ることを可能にしたMIS型半導体装置の製造方法を提供する。

To provide a manufacturing method of an MIS semiconductor device in which an etching selection ratio between a high dielectric gate insulating film and a silicon layer of its base is taken greatly. - 特許庁

また、レジスト膜3を紫外光照射及び熱処理によって硬化させることにより、レジスト膜3に対するSiO_2膜の厚さ方向のエッチング選択比を2程度まで向上させている。

Further, by hardening the resist film 3 by an ultraviolet ray irradiation and a heat treatment, the etching selection ratio in the direction of the thickness of the SiO_2 film with respect to the resist film 3 is increased up to about 2. - 特許庁

金属シリサイド膜のエッチングを抑制してシリコン酸化膜のエッチング選択比を向上させることで、BPSG(シリコン)酸化膜を効果的に除去できるシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液を提供する。

To provide a silicon oxide film selective wet etching solution that can effectively remove a BPSG (silicon) oxide film by suppressing etching of a metal silicide film to increase the etching selectivity of a silicon oxide film. - 特許庁

従来にべてマスクとしての有機膜層に対するシリコン含有誘電層の選択比を向上させることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。

To provide a plasma etching method and the like capable of improving selection ratio of a dielectric layer containing silicon to an organic film layer as a mask as compared with a conventional system. - 特許庁

エッチングを2つのステップに分割し、▲1▼サイドウォールの垂直加工と、▲2▼対Si高選択比確保という二つの異なった役割を独立して担わせる。

The etching is divided into two steps, to which two different roles are assigned independently (1) swift working of the sidewall, and (2) securement of high selectivity with Si. - 特許庁

被処理物にチャージアップやエッチング形状異常を与えることなく、微細パターンに対して高精度の加工と高選択比の加工とを両立することができるエッチング方法及びエッチング装置を提供する。

To provide an etching method and an etching device which enable both processing of high precision and processing of high selectively to a fine pattern without casing charge-up and etching shape abnormality in a treatment object. - 特許庁

下地とのエッチング選択比を大きくできて電子供給率の低下を来す恐れのないGaN系半導体デバイスの製造方法を提供する

To provide the manufacturing method of a GaN semiconductor device in which an etching selection ratio with a base can be enlarged and an electron supply rate is not dropped. - 特許庁

第1絶縁層17の加工後、ダミーゲート32に、ダミーゲート32とサイドウォール10とのエッチング選択比を確保可能なエッチング液を供給することにより、ダミーゲート32をウェットエッチングする。

After machining the first insulation layer 17, an etching liquid capable of securing an etching selection ratio of the dummy gate 32 and the sidewall 10 is supplied to the dummy gate 32, thus wet-etching the dummy gate 32. - 特許庁

このとき、素子分離溝10に埋め込んだ酸化シリコン膜9は、SOI基板1よりも高い選択比でエッチングされるので、その表面は、テーパ(t_2)の下端部よりもさらに下方に後退する。

Since the silicon oxide film 9 embedded in the element separation groove 10 is etched at a selection ratio which is higher than the SOI substrate 1 at that time, its surface goes below the lower end of the taper (t_2). - 特許庁

本発明は、エッチング加工の選択比を高め、良好で均一な特性を持つ半導体装置を歩留まり良く作製する方法を提供することを目的とする。

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is capable of improving etching selectivity so as to manufacture a semiconductor device superior and uniform in characteristics with high manufacturing yield. - 特許庁

マスクに対するダイヤモンド基材の選択比が高く、エッチング速度が速く、且つエッチング面が平坦になるダイヤモンドのエッチング装置を提供すること。

To provide an etching apparatus for diamond, enabling a high selection ratio of a diamond substrate with respect to a mask, a high etching speed, and a flat etching surface. - 特許庁

大口径の試料について微細パターンの精密な加工が容易で、また、微細加工時の選択比も向上させたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。

To provide an apparatus and method for plasma processing where precision processing of fine pattern for a sample of large diameter is easy and the selective ratio in fine processing is improved. - 特許庁

被加工膜の下地膜に対するエッチング選択比が高く、高いエッチングレートを有するエッチング装置およびエッチング方法を提供する。

To provide an apparatus and a method for etching which has the high etching ratio of a film to be worked to a substrate film and a high etching rate. - 特許庁

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