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「"選択比"」を含む例文一覧

該当件数 : 345



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シリコン膜に対して下層絶縁膜を高い選択比で除去し得る条件で異方性エッチングを行うことにより、ソースドレイン領域5に開口するまでSC11を延長する。

The anisotropic etching is performed on the condition that the lower layer insulation film be removed from the silicon film at a high selection ratio, and the SC 11 is extended until it is opened to the source drain region 5. - 特許庁

エッチングガスに軽元素である水素を用いることでマスク肩部のスパッタ性を低減し、且つ添加ガスに堆積性ガスを混入することでマスク材との選択比を増加することが可能となる。

Use of hydrogen of a light element to the etching gas reduces sputtering of the shoulders of the mask, and mixing of the depositing gas to the additional gas can enhance the selection ratio against the mask material. - 特許庁

ドライエッチング工程において、エッチングすべき層と、その下のエッチングストッパ膜との十分な選択比を確保することが可能なエッチング技術を用いて半導体装置を製造する方法を提供する。

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by the use of an etching technique capable of ensuring a sufficient etching selection ratio between an etched layer and an etching stop film in a dry etching process. - 特許庁

レジストに対してエッチング選択比が高い、即ち、エッチングスピードが速い反射防止膜材料及び、この反射防止膜材料を用いて基板上に反射防止膜層を形成するパターン形成方法。

To provide an antireflection film material having a high etching selectivity ratio to a resist, that is, a high etching speed and to provide a pattern forming method by which an antireflection film layer is formed on a substrate using the antireflection film material. - 特許庁

主グレースケールマスクのみを使用を設計する場合に、形成されるマイクロレンズの形状が、中央部において目的とするものにして凸になるように形状と、エッチング選択比の傾きを仮定して設計を行う。

When designing the use of only a main grayscale mask, the designing is performed by assuming the shape and tilting of etching selectivity ratio, such that the shape of the formed microlens is made convex, in comparison to an intended one in a central part. - 特許庁

プロセス安定性を維持しつつ、アルカリ性現像液に対する溶解速度を向上させ、溶解選択比を低下させることのないレジスト現像液組成物を提供すること。

To provide a developer composition for a resist, the composition having an improved dissolving rate with an alkali developer and preventing decrease in a dissolution selection ratio while keeping process stability. - 特許庁

銅(Cu)または銅合金(Cu合金)の研磨速度を高めるとともに、タンタルのような銅拡散防止材料との研磨選択比を高めることが可能な銅系金属用研磨組成物を提供しようとものである。

To provide a polished composition for a copper-based metal, which increases the polishing rate of copper (Cu) or a copper alloy (Cu alloy) and also enables increase in the selection ratio of polishing of the polishing composition to a copper diffusion preventing material such as tantalum. - 特許庁

ガラス基板41を化学エッチングするときの活性層へのダメージを防止する下部半導体層42を、フッ酸に対するエッチング選択比が大きなアモルファスシリコンで構成する。

A lower semiconductor layer 42 for preventing damage of an active layer when a glass substrate 41 is chemically etched is made of amorphous silicon having a large etching selectivity to hydrofluoric acid. - 特許庁

バッファー層は、犠牲膜を除去する時、使用されるエッチャントに対する食刻選択比を有し、犠牲膜の除去時、トレンチ側壁を保護することができる物質を有する。

The buffer layer has an etching selected ratio of the sacrifice film to an etchant used when removing the sacrifice film and has a substance capable of protecting the trench sidewall when removing the sacrifice film. - 特許庁

次に、保護膜19を形成した後、選択比を有するエッチング液により、第一層間絶縁膜16の残った一部および犠牲層15を除去するリリースエッチングを行なって可動電極20をリリースする。

Next, after forming a protective film 19, the movable electrode 20 is released by performing release etching for removing a part left from the first interlayer insulation film 16 and the sacrifice layer 15 by etching liquid having a selectivity. - 特許庁

シリコン窒化膜に対するシリコン酸化膜の除去選択比を高めたウェーハ研磨用スラリー、及びこれを用いた化学的機械的研磨方法を提供する。

To provide a wafer polishing slurry whose removal selection ratio of a silicon oxide film to a silicon nitride film is enhanced and a chemical and mechanical polishing method by the use of the same. - 特許庁

高誘電体ゲート絶縁膜とその下地のシリコン層との間のエッチング選択比を大きく取ることを可能にしたMIS型半導体装置の製造方法を提供する。

To provide a manufacturing method of an MIS semiconductor device in which an etching selection ratio between a high dielectric gate insulating film and a silicon layer of its base is taken greatly. - 特許庁

また、レジスト膜3を紫外光照射及び熱処理によって硬化させることにより、レジスト膜3に対するSiO_2膜の厚さ方向のエッチング選択比を2程度まで向上させている。

Further, by hardening the resist film 3 by an ultraviolet ray irradiation and a heat treatment, the etching selection ratio in the direction of the thickness of the SiO_2 film with respect to the resist film 3 is increased up to about 2. - 特許庁

金属シリサイド膜のエッチングを抑制してシリコン酸化膜のエッチング選択比を向上させることで、BPSG(シリコン)酸化膜を効果的に除去できるシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液を提供する。

To provide a silicon oxide film selective wet etching solution that can effectively remove a BPSG (silicon) oxide film by suppressing etching of a metal silicide film to increase the etching selectivity of a silicon oxide film. - 特許庁

従来にべてマスクとしての有機膜層に対するシリコン含有誘電層の選択比を向上させることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。

To provide a plasma etching method and the like capable of improving selection ratio of a dielectric layer containing silicon to an organic film layer as a mask as compared with a conventional system. - 特許庁

エッチングを2つのステップに分割し、▲1▼サイドウォールの垂直加工と、▲2▼対Si高選択比確保という二つの異なった役割を独立して担わせる。

The etching is divided into two steps, to which two different roles are assigned independently (1) swift working of the sidewall, and (2) securement of high selectivity with Si. - 特許庁

被処理物にチャージアップやエッチング形状異常を与えることなく、微細パターンに対して高精度の加工と高選択比の加工とを両立することができるエッチング方法及びエッチング装置を提供する。

To provide an etching method and an etching device which enable both processing of high precision and processing of high selectively to a fine pattern without casing charge-up and etching shape abnormality in a treatment object. - 特許庁

下地とのエッチング選択比を大きくできて電子供給率の低下を来す恐れのないGaN系半導体デバイスの製造方法を提供する

To provide the manufacturing method of a GaN semiconductor device in which an etching selection ratio with a base can be enlarged and an electron supply rate is not dropped. - 特許庁

第1絶縁層17の加工後、ダミーゲート32に、ダミーゲート32とサイドウォール10とのエッチング選択比を確保可能なエッチング液を供給することにより、ダミーゲート32をウェットエッチングする。

After machining the first insulation layer 17, an etching liquid capable of securing an etching selection ratio of the dummy gate 32 and the sidewall 10 is supplied to the dummy gate 32, thus wet-etching the dummy gate 32. - 特許庁

このとき、素子分離溝10に埋め込んだ酸化シリコン膜9は、SOI基板1よりも高い選択比でエッチングされるので、その表面は、テーパ(t_2)の下端部よりもさらに下方に後退する。

Since the silicon oxide film 9 embedded in the element separation groove 10 is etched at a selection ratio which is higher than the SOI substrate 1 at that time, its surface goes below the lower end of the taper (t_2). - 特許庁

本発明は、エッチング加工の選択比を高め、良好で均一な特性を持つ半導体装置を歩留まり良く作製する方法を提供することを目的とする。

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is capable of improving etching selectivity so as to manufacture a semiconductor device superior and uniform in characteristics with high manufacturing yield. - 特許庁

マスクに対するダイヤモンド基材の選択比が高く、エッチング速度が速く、且つエッチング面が平坦になるダイヤモンドのエッチング装置を提供すること。

To provide an etching apparatus for diamond, enabling a high selection ratio of a diamond substrate with respect to a mask, a high etching speed, and a flat etching surface. - 特許庁

大口径の試料について微細パターンの精密な加工が容易で、また、微細加工時の選択比も向上させたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。

To provide an apparatus and method for plasma processing where precision processing of fine pattern for a sample of large diameter is easy and the selective ratio in fine processing is improved. - 特許庁

被加工膜の下地膜に対するエッチング選択比が高く、高いエッチングレートを有するエッチング装置およびエッチング方法を提供する。

To provide an apparatus and a method for etching which has the high etching ratio of a film to be worked to a substrate film and a high etching rate. - 特許庁

窒化ケイ素のエッチング用組成物に対して、高温でも酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチング選択比が低下せず、長期間安定に用いられるリン酸系のエッチング用組成物を提供する。

To provide an etching composition of phosphoric acid to be used stably for a long time with which an etching selection ratio of silicon nitride to silicon oxide is not reduced even at a high temperature for an etching composition of silicon nitride. - 特許庁

下地材料にフルオロカーボン系の側鎖を含まなければ、下地材料はアルゴンイオンでエッチングされることはなく、フルオロカーボン系の側鎖を含むシリコン酸化膜のエッチング選択比が顕著に向上できる。

When the substrate material of the silicon oxide film does not contain any fluorocarbon-based side chain, the substrate material is not etched by the argon ions and the etch selectivity of the silicon oxide film containing the fluorocarbon-base side chain is remarkably improved. - 特許庁

または、レジスト16の層内レンズ材料15に対するエッチング選択比を1より小さくしてレジスト16の厚さより厚い層内レンズ7を形成する。

Alternatively, the etching selection ratio of the resist 16 relative to the material 15 of the lens in layer is set smaller than 1 for forming a lens 7, in a layer thickness larger than that of the resist 16. - 特許庁

大型ガラス基板を処理する場合でも、高融点金属材料を含むソース・ドレイン電極に対して窒化ケイ素膜のエッチング選択比が十分に得られるエッチング方法を提供する。

To provide an etching method which offers a sufficient etching selection ratio of a silicon nitride film with regard to source/drain electrodes containing a high melting point metal material even when a large-sized glass board is processed. - 特許庁

炭化水素系ガスのみを使用して反射防止膜を形成することによって食刻選択比を改善し、除去しやすく、安価に薄膜を形成しうる反射防止膜の形成及び適用方法を提供する。

To improve the etching selection ratio by forming an antireflection film using only a hydrocarbon gas, to form an antireflection film which can be easily removed and can be formed into a thin film at a low cost, and to provide a method for its application. - 特許庁

誘電体材料に積層された導電性材料のエッチング速度(エッチングレート)の高速化を実現するとともに、下地となる誘電体材料との選択比を向上させる。

To accelerate an etching speed (etching rate) of a conductive material laminated on a dielectric material, and to improve a selection ratio with the dielectric material to be a base. - 特許庁

レジストの被加工膜との選択比を向上させるための紫外線キュア処理時に、中心から紫外線の照射量が3段階に変化するガラスフィルタを用いる。

Used is a glass filter such that the quantity of irradiation with ultraviolet rays varies in three stages from the center during an ultraviolet-ray curing process for improving the selection ratio of resist to a processed film. - 特許庁

そして、このレジストパターン30dをマスクとして選択比が略1でのドライエッチングを行って、透明膜29aにレジストパターン30dの凸レンズ形状を転写して、屋内レンズを形成する。

Then, in-layer lenses are formed by carrying out dry etching using the resist pattern 30d as a mask with a selection ratio of approximately 1, and by transferring the convex lens shape of the resist pattern 30d to a transparent film 29a. - 特許庁

所望のエッチングレートと対酸化膜選択比が得られるH_3PO_4液を簡単に調整することができる半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。

To provide a semiconductor manufacturing apparatus and method capable of easily adjusting an H_3PO_4 liquid which can provide a desired etching rate and a desired selection ratio to an oxide film. - 特許庁

タンタルシリサイド系材料の優れた加工特性、加工後の化学的安定性等を維持しつつ、石英基板とのエッチング選択比を向上したハーフトーン位相シフトフォトマスク及びブランクス。

To provide a halftone phase shift photomask and blanks for the photomask having an enhanced etching selectivity ratio of a tantalum silicide- base material to a quartz substrate while retaining superior working characteristics of the tantalum silicide-base material and superior chemical stability after working. - 特許庁

絶縁膜のエッチングにおいて良好な異方性(垂直)形状とマスクおよび下地膜の双方に対する高い選択比を確保しつつエッチストップを防止する。

To secure a good anisotropic (perpendicular) shape and a high selection ratio with respect to both of a mask and an underlying film when etching an insulating film, and simultaneously to prevent an etching stop. - 特許庁

装置内部に付着した付着物に対するエッチングレートを高くするとともに選択比を高め、ガス供給装置への負担を低減させた薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。

To provide a cleaning method and the like of a thin film formation apparatus which improves the etching rate for extraneous matter adhered to the interior of the apparatus and the selection ratio thereby reducing a burden to a gas supply device. - 特許庁

従来にべてSiOCHに対するSiCNの選択比を向上させることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。

To provide a plasma etching method capable of improving a selection ratio of SiCN to SiOCH, compared to a conventional method, and to provide a plasma etching apparatus and a computer storage medium. - 特許庁

水素バリア膜の下層との間においてエッチングの十分な選択比が得られると共に、コンタクトホールの形成工程を簡略化した強誘電体メモリ装置の製造方法を提供すること。

To provide a manufacturing method of a ferroelectric memory device in which a sufficient selection ratio of etching to a lower layer of a hydrogen barrier film can be obtained and whose contact hole forming process is simplified. - 特許庁

フォトレジストを除去後、基板温度を高温にして、窒化膜に対して選択比の大きなエッチング条件で酸化膜7を全面エッチバックする。

After the photoresist has been removed, the substrate temperature is made high, and the entire oxide film 7 is etched back under etching conditions of a large selection ratio with respect to the nitride film. - 特許庁

高いエッチング選択比を有するエッチング組成物、その製造方法、これを用いた酸化膜の選択的エッチング方法、及び半導体装置の製造方法が開示されている。

To provide an etching composition having high etching ratio, a method for producing the same, a method for etching oxidized film by using the same, and to provide a method for producing a semiconductor device. - 特許庁

酸化ケイ素膜に対する高い研磨速度が得られるとともに、窒化ケイ素膜に対する酸化ケイ素膜の研磨速度の高い選択比が得られる研磨液を提供すること。

To provide a polishing solution capable of obtaining a higher polishing speed to a silicon oxide film and obtaining a high selection ratio of a polishing speed of a silicon oxide film to a silicon nitride film. - 特許庁

第2金属膜521において露出された露出表面領域RSを、第1金属膜511に対してエッチング選択比が異なる材料に変質させてハードマスク層HMを形成する。

A hard mask layer HM is formed by reforming an exposed front surface region RS exposed in the second metal film 521 into a material having a different etching selection ratio for the first metal film 511. - 特許庁

エッチングストッパ膜などのエッチングマスク層の厚みを増加することなく、低誘電率絶縁膜とエッチングマスク層との選択比を高めることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for improving the selection ratio of a low dielectric constant insulating film and an etching mask layer without increasing the thickness of the etching mask layer such as an etching stopper film. - 特許庁

一定条件でのドライエッチングを可能にして膜の境界面の段差を無くし、側壁保護膜を形成しないことによって対レジスト選択比を維持しながら良好な形状転写を可能にする。

To reduce the step in the boundary face between films by realizing dry etching under a given condition and to execute a good shape transfer by not forming sidewall protective films while keeping the selection ratio against a resist. - 特許庁

更にその上に例えばオリフィス板58とのエッチング選択比が1対1であるような非金属膜の厚膜レジスト膜64をオリフィス板58と同じ厚さに成膜しパターン64−1を形成する。

Furthermore, a nonmetallic thick resist film 64 having an etching select ratio of 1:1 with respect to the orifice plate 58 is formed thereon with the same thickness as the orifice plate 58 thus forming a pattern 64-1. - 特許庁

半導体基板1上にビアプラグが形成される絶縁膜としてSiOC膜5が形成され、銅配線が形成される絶縁膜としてそのSiOC膜よりもエッチング選択比の高い有機膜6が形成される。

On a semiconductor substrate 1, an SiOC film 5 is formed as an insulation film wherein a via plug will be formed and then an organic film 6 having a higher selectivity than the SiOC film is formed as another insulation film wherein the copper interconnection will be formed. - 特許庁

エッチングの選択比により、SiO_2膜14を残してSi基板の残部のみが除去され、裏面側となるSiO_2膜14が露出した半導体基板26を得る。

Only the residual part of the Si substrate is removed except the film 14 on the basis of a selection ratio for etching, and a semiconductor substrate 26 having the exposed film 14 is obtained to be a rear surface. - 特許庁

シリコン酸化膜に対するエッチング選択比の高い絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, using an insulating film whose etching selection ratio with reference to silicon oxide film is high, and to provide the semiconductor device. - 特許庁

フッ素に対する炭素のの大きいガスを使用し、高密度プラズマ・大流量・高真空プロセスを使用することで対レジスト選択比を向上させ、幅3μm、高さ1.5μmのリッジ加工が可能となる。

Ridge working whose width is 3 μm and height is 1.5 μm is achieved by using gas whose ratio of carbon to fluorine is large, and increasing the selectivity to the resist by using high density plasma, a large flow rate, high vacuum process. - 特許庁

その後、エッチングされるべき残りのポリシリコン層14をゲート絶縁膜(酸化膜)13との選択比を高めた低速エッチングで行い、最終的なエッチング形態とする。

The remaining polysilicon layer 14 that is to be etched is etched at low speed with which a selection ratio with the gate insulating film (oxide film) 13 is improved, and a final etching form is set. - 特許庁

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