「"選択比"」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

ＡｒＦレジストマスク対応の低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜、ＳｉＯＣＨ）において、ＡｒＦレジストダメージを発生せず、高選択比で高精度なエッチングを実現可能な処理条件を提供する。例文帳に追加

To provide treatment conditions in which highly precise etching can be realized by a high selection ratio without generating an ArF resist damage in a low dielectric constant film (low-k film, SiOCH) corresponding to an ArF resist mask. - 特許庁

ヒュームドシリカを砥粒として用いて、ｐＨを中性付近とすることで金属膜研磨速度と酸化膜研磨速度との比である選択比を小さくすることができる。例文帳に追加

Fumed silica is used as abrasive grains, and the metal film polishing composition is set nearly at pH7, whereby a selection ratio between a metal film polishing rate and an oxide film polishing rate can be made small. - 特許庁

燐化インジウムのドライエッチングを実施するときに塩素原子と酸素原子を含んだエッチングガスを用いてドライエッチングし、燐化インジウムガリウムのエッチング速度を低下させ、燐化インジウムと燐化インジウムガリウムの選択比を向上させ、素子の微細加工を行うことで解決できる。例文帳に追加

When dry etching of indium phosphide is performed, dry etching is performed by using etching gas including chlorine atoms and oxygen atoms, etch rate of indium phosphide gallium is reduced, selectivity of indium phosphide and indium phosphide gallium is increased, and microfabrication of an element is performed. - 特許庁

上記反応性イオンエッチングを、単結晶シリコン及び酸化シリコン間のエッチング選択比が低い反応性ガスに切り替えて行うことにより熱酸化膜３３及び単結晶シリコン層２１Ｃを異方性エッチングする。例文帳に追加

The reactive ion etching is carried out by replacing with the reactive gas having a low etching selection ratio between the monocrystalline silicon and the silicon oxide, thereby performing the anisotropic etching for the thermal oxide film 33 and the monocrystalline silicon layer 21C. - 特許庁

（ｅ）トレンチエッチングマスク３２を利用した反応性イオンエッチングを、単結晶シリコン及び酸化シリコン間のエッチング選択比が高い反応性ガスを使用して行うことにより単結晶シリコン層２１Ｃを異方性エッチングする。例文帳に追加

(e) A reactive ion etching utilizing the trench etching mask 32 is carried out by using a reactive gas having a high etching selection ratio between a monocrystalline silicon and a silicon oxide, thereby performing an anisotropic etching for the monocrystalline silicon layer 21C. - 特許庁

フォトレジストの厚さを薄くし、フォトレジストとエッチングされる下部薄膜との間で高いエッチング選択比を実現することで微細な半導体素子の回路パターンを形成することができる半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To form a circuit pattern of a micro semiconductor element by a method wherein the thickness of a photoresist is made thin, and a high etching selectivity ratio is made possible between the photoresist and the lower thin film to be etched. - 特許庁

ポリシリコンで構成されたパターン又はストレージ電極を効果的に保護することができるエッチング組成物を用いて、ウエットエッチング工程で酸化膜を選択的に除去するので、高いエッチング選択比で酸化膜を除去できるとともに、ポリシリコン膜の損傷を防止することができる。例文帳に追加

The method uses the etching composition which effectively protects a pattern or a storage electrode composed of polysilicon and selectively eliminates the oxidized film in a wet etching process, as a result the oxidized film is eliminated in a high etching ratio and impairment of polysilicon film is inhibited. - 特許庁

この装置１により、シリコン基板上に形成されたランタン酸化膜をプラズマエッチングすると、ランタン酸化膜のエッチング速度をシリコン基板のエッチング速度よりも大きくすることができ、高い選択比を得ることができる。例文帳に追加

When a lanthanum oxide film formed on a silicon board is subjected to plasma etching by the plasma etching device 1, an etching rate of the lanthanum oxide film can be made higher than that of the silicon board to offer a high selection rate. - 特許庁

バッファードフッ酸水溶液に１６〜３０体積％（好ましくは２０〜２２体積％）のエチレングリコールを添加したエッチャントを用いることでアルミニウム膜からなる配線との選択比をとりつつアルミニウム酸化物及びその上の酸化珪素膜を同一のエッチャントでエッチングする。例文帳に追加

Using the same etchant containing ethylene glycol added 16-30 vol% (preferably 20-22 vol%) to a buffered hydrofluoric acid water solution, the aluminum oxide and the silicon oxide film formed thereon are etched in accordance with selectivity to the wiring made from the aluminum film. - 特許庁

シリコン基板上に形成された希土類元素の酸化物を高い選択比でエッチングすることができるプラズマエッチング装置、及びシリコン基板上に希土類元素の酸化膜が形成された半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma etching device capable of etching a rare earth element oxide formed on a silicon board at a high selection ratio, and a manufacturing method for a semiconductor in which a rare earth element oxide film is formed on a silicon board. - 特許庁

水素が基板及び不純物とそれぞれ異なる化学反応をさせて、クリーニング工程時にエッチング選択比を向上させることができ、第２混合ガスのプラズマを利用して水素反応によるパーティクルの生成を抑制することができる。例文帳に追加

The hydrogen reacts to the substrate and the impurities through different reactions respectively, thereby, the selection ratios can be elevated in the cleaning process, and particles produced from the hydrogen reaction can be inhibited by utilizing the plasma of the second mixed gas. - 特許庁

酸化物層の下に形成された窒化物層において、Ｓｉ_xＮ_y種が形成され、窒化物層のエッチングと実質的に平衡して窒化物層上に付着するので、酸化物層を窒化物層に対して高い選択比でエッチングすることが可能となる。例文帳に追加

For nitride layer formed under the oxide layer, SixNy seeds are formed and deposited on the nitride layer, to substantially balance the etching of the nitride layer, so that the oxide layer can be etched at a high selective ratio on the nitride layer. - 特許庁

原盤現像後、フォトレジスト層に対する原盤基板のエッチング選択比が１未満であって、かつ、エッチング処理速度が４０ｎｍ／分以下である光、プラズマ、イオンなど照射処理媒質１０４を少なくとも一つ照射する。例文帳に追加

The master disk is irradiated, after development, with at least one of irradiation treatment media 104, such as light, plasma, and ion having 1 or under in the etching selection ratio of the master disk substrate and below 40 nm/min in an etching treatment rate. - 特許庁

リン酸及びヘキサフルオロケイ酸塩を含んでなる窒化ケイ素のエッチング用組成物、或いはリン酸、アンモニア、ヘキサフルオロ珪酸及び／又はその塩を含んでなるエッチング用組成物では、高温で用いた場合、酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチング選択比が長期間安定に維持される。例文帳に追加

Regarding the etching composition of silicon nitride containing phosphoric acid and hexafluorosilicate or the etching composition containing phosphoric acid, ammonia, hexafluorosilicic acid or its salt, when it is used at the high temperature; the etching selection ratio of silicon nitride to silicon oxide is maintained stably for a long time. - 特許庁

フォトリソグラフィ工程によりフォトレジストの配線パターン形成がなされる基板おいて、エッチング処理でのエッチング選択比の低下を抑制し、パターンエッジのラフネスを低減することのできる基板処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate processing method capable of preventing deterioration in an etching selection ratio in etching treatment, and reducing roughness of a pattern edge in a substrate in which a wiring pattern of photoresist is formed in a photolithographic process. - 特許庁

シリコン針状錘体は、シリコン基板又はシリコン層中に形成された不純物析出領域をマイクロマスクとして、シリコン基板またはシリコン層を高選択比異方性エッチングすることにより、マイクロマスクを頂点として形成される。例文帳に追加

The silicon needle-shaped cones having micromasks as vertexes, are formed by high selective ratio anisotropic etching of a silicon substrate or a silicon layer while using an impurity deposition area formed in the silicon substrate or the silicon layer as the micromasks. - 特許庁

本発明は、優れた研磨率および研磨選択比と共に、より向上したウェハー内の研磨均一度（ＷＩＷＮＵ；Ｗｉｔｈｉｎ Ｗａｆｅｒ Ｎｏｎ−Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）を達成することができるようにする、１次化学的機械的研磨用スラリー組成物および化学的機械的研磨方法に関する。例文帳に追加

To provide a slurry composition for primary chemical mechanical polishing that can show more improved WIWNU (Within Wafer Non-Uniformity) while exhibiting excellent polishing rate and polishing selectivity, and a chemical mechanical polishing method. - 特許庁

シリコンゲルマニウムをウェットエッチング処理する際にレジスト膜に対する影響が少なく、下地シリコン酸化膜に対して十分なエッチング選択比を有し、キャップＳｉ膜とＳｉＧｅ膜の一括エッチングが可能なエッチング剤を提供することにある。例文帳に追加

To provide an etching agent having a sufficient etching selection ratio for a substrate silicon oxide film with a slight influence on a resist film when silicongermanium is wet etched and capable of collectively etching a cap Si film and an SiGe film. - 特許庁

また回折格子となる凹凸周期構造を一様に面内に形成した後にリッジ形状を作製することで、前記同期した凹凸周期構造の形成を容易に実現し、簡便な手法で高い波長選択比を有する光導波路を提供することが可能となる。例文帳に追加

The formation of the synchronized unevenness periodic structure is easily realized by forming a ridge shape after the unevenness periodic structure as the diffraction grating is uniformly formed in a surface, and the optical waveguide which has the high wavelength selection ratio can be provided by the easy method. - 特許庁

シリコン基板のエッチング加工、特に立体型構造体を作製するためのエッチング加工において、マスク選択比の向上を可能とし、さらには高選択性と垂直加工形状との両立を可能とするドライエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a dry etching method that improves a mask selection ratio and further obtains both high selectivity and a vertical processing shape in etching processing on a silicon substrate, particularly, etching processing for fabricating a solid structure. - 特許庁

スタック型キャパシタを備えた半導体装置の製造方法であって、前記キャパシタ下部電極２１ａよりウエットエッチングにおける選択比が高い材料でコンタクト（蓄積ノードコンタクト）１８を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。例文帳に追加

In a method for manufacturing a semiconductor device provided with a stacked type capacitor, a contact 18 (accumulated node contact) is formed by a material, having a selection ratio of wet etching which is higher than that of a capacitor lower electrode 21a. - 特許庁

さらに、窒化シリコン膜６の上層には、窒化シリコン膜６に対してエッチング選択比の高い第１ＴＥＯＳ酸化膜７を設けることにより、窒化シリコン膜６がエッチングスットパ層として有効に機能するので、所望するエッチング形状が得られる。例文帳に追加

Moreover, the desired etching shape can be attained by providing, as the upper layer of the silicon nitride film 6, a first TEOS oxide film 7, having higher etching selection ratio for the silicon nitride film 6 so that the silicon nitride film 6 functions effectively as the etching stopper layer. - 特許庁

Ａｌ含有窒化物化合物半導体層７上に窒化物化合物半導体層８を形成し、Ａｌ含有化合物半導体層７に対する窒化物化合物層８のエッチング選択比が１００以上となる条件で窒化物化合物層８をドライエッチングする。例文帳に追加

A nitride compound semiconductor layer 8 is formed on an Al containing nitride compound semiconductor layer 7, and the nitride compound layer 8 is subjected to dry etching, under conditions where the etching selection ratio of the nitride compound layer 8 to the Al containing compound semiconductor layer 7 is 100 or higher. - 特許庁

レジスト層等の有機マスク層の耐プラズマ性を高く維持して高選択比でエッチングすることができ、また、電極への堆積物の付着を有効に解消することができ、さらにプラズマ密度のコントロールが可能なプラズマエッチング装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma etching system in which etching can be carried out with high selection ratio, while sustaining high plasma resistance of the organic mask layer, such as resist layer, eliminating sticking of deposits to electrode effectively, and the plasma density can be controlled. - 特許庁

アモルファスシリコン膜２４とシリコン基板２０はエッチング選択比が実質的に等しく、ＲＩＥによりエッチングが行われるため、アモルファスシリコン膜２４の断面形状を反映してトレンチ２５の側面を緩やかに出来る。例文帳に追加

Etching selection ratio of the amorphous silicon film 24 is practically equal to that of the silicon substrate 20, and etching is performed by RIE, so that the side surface of the trench 25 can be finished gentle by reflecting the sectional form of the amorphous silicon film 24. - 特許庁

半導体基板の上において層間絶縁膜の中に低層配線と高層配線と、この両者の中間の高さに所定のエッチング条件に対して層間絶縁膜とは異なるエッチング選択比を有するエッチング停止膜を形成する。例文帳に追加

An etching stop film having an etching selective ratio different from a layer insulating film on prescribed etching conditions at the intermediate height of low layer wiring and high layer wiring is formed together with both the low layer wiring and the high layer wiring inside the layer insulating film on a wafer. - 特許庁

リン酸、可溶性ケイ素化合物、硝酸及び／又は硝酸塩、水を含んでなり、しかもフッ酸を含有しない窒化ケイ素のエッチング用組成物では、酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチング選択比が高く、なおかつバッチ処理を繰り返した場合における酸化ケイ素の再析出の問題がない。例文帳に追加

The composition for etching silicon nitride which contains phosphoric acid, a soluble silicon compound, nitric acid and/or nitrate, and water and contains no hydrofluoric acid has a high etching selection ratio of silicon nitride to silicon oxide and is free of a problem of redeposition of silicon oxide when a batch process is repeated. - 特許庁

半導体基板１２の表面に形成されたシリコンの酸化膜１４の上に金属配線層１６を形成し、その上に金属配線層１６の材料に対してエッチング選択比の大きい材料による絶縁膜２を形成する。例文帳に追加

A metallic wiring layer 16 is formed onto a silicon oxide film 14 formed on the surface of a semiconductor substrate 12, and an insulating film 2 composed of a material having a large etching selection ratio to the material of the metallic wiring layer 16 is formed onto the layer 16. - 特許庁

また、ダミーパターンを選択的に除去する工程（工程Ｓ２４）では、ダミーパターンの材料は周囲の材料、即ち、ＳｉＯ_2との選択比が高いので、ＳｉＯ_2の形状をほとんど変えることなく、ダミーパターンを選択的に除去することができる。例文帳に追加

In a step (S24) of selectively removing the dummy pattern, this pattern can be selectively removed, hardly changing the shape of a neighboring material SiO2, since the material of the dummy pattern has high selectivity to the neighboring material SiO2. - 特許庁

チャネルエッチ型を適用した場合にソース電極５０Ｓおよびドレイン電極５０Ｄと酸化物半導体膜４０とのウェットエッチング選択比を高めることが可能となり、チャネルエッチ型の簡素な構成の適用による製造工程の削減が可能となる。例文帳に追加

This improves a wet etching selection ratio of the source electrode 50S and the drain electrode 50D for the oxide semiconductor film 40 when a channel etch type is applied, and the manufacturing steps can be reduced by the application of a simple channel etch type structure. - 特許庁

レジスト層等の有機マスク層の耐プラズマ性を高く維持して高選択比でエッチングすることができ、また、電極への堆積物の付着を有効に解消することができ、さらにプラズマ密度のコントロールが可能なプラズマエッチング装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma etching system capable of etching with a high selection ratio while maintaining the high plasma resistance of an organic mask layer such as a resist layer or the like, and effectively eliminating the adhesion of a deposit to an electrode and, furthermore, controlling plasma density. - 特許庁

本発明によれば、ハードマスク層は基板に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応するハードマスク層の段差は、所望する３次元構造パターンよりも、深さを小さくすることが出来る。例文帳に追加

Since a hard mask layer is formed of a material having a high etching selection ratio relative to a substrate, in a step of the hard mask layer corresponding to the three-dimensional structure pattern to be formed, the depth can be made smaller than that of the desired three-dimensional structure pattern. - 特許庁

従来技術に比べてマスク層及び下地絶縁層に対し広範囲の選択比をとることができ、これにより、加工時のマスク層の後退が殆どなく、下地絶縁層の堀り込みも小さい逆テーパ形状の磁気記録ヘッドの製造技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique for manufacturing a magnetic recording head having a reverse tapered shape, with which the retreat of a mask layer scarcely occurs in processing, and little engraving of an insulating underlayer occurs, by making a selection ratio of a wider range with respect to the mask layer and the insulating underlayer than that in the conventional technique available. - 特許庁

選択比率変更部３２は、不完了率計測機能３１１により計測された不完了率がより低い事業者が選択される確率が高くなり、かつ、接続単金が低い事業者が選択される確率が高くなるように、複数の各事業者のＲＲ比率を変更する。例文帳に追加

A selected ratio change part 32 changes RR ratios of respective companies so that the probability that companies of which the incomplete call rates measured by the incomplete call measuring function 311 are lower are selected is raised and the probability that companies charging lower access charges are selected is raised. - 特許庁

上記被覆膜２１，２６は、少なくともゲート電極３上の被覆膜２１，２６の上方に形成された層間絶縁膜２３のエッチング時のエッチング停止材料として機能するような層間絶縁膜２３に対する選択比を有する材料からなる。例文帳に追加

The coating films 21 and 26 are composed of such a material as having a selection ratio to an interlayer insulating film 23 functioning as an etching stop material at the time of etching the interlayer insulating film 23 formed above the coating films 21 and 26 at least on the gate electrode 3. - 特許庁

シリコン基板１上のゲート電極７の側面にＣＶＤ酸化膜（ＴＥＯＳ膜８）からなるサイドウォール９を形成した後に、サイドウォール９が露出した状態で、ＣＶＤ酸化膜の熱酸化膜に対するエッチング選択比が５以下になるようにシリコン基板１に対して洗浄を行なう。例文帳に追加

After forming a side wall 9 with a CVD oxide film (TEOS film 8) on the side of a gate electrode 7 on a silicon substrate 1, this substrate 1 is cleaned with the side wall 9 exposed, until the etching selectivity of the CVD film to a thermal oxidation film is 5 or less. - 特許庁

半導体などの表面処理において高精度にパターン形成を行うための手段となる反射防止膜であるＢＡＲＣなどの有機材とパターンを形成するマスクであるレジストとのエッチング速度の比、すなわち選択比を高くした表面処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for surface treatment capable of enhancing the selection ratio or the ratio of the etching rate of an antireflection film, such as BARC or the like of an organic material, which serves as a means for forming a highly precise pattern by surface treatment of a semiconductor or the like to that of a resist which servers as a mask for forming the pattern. - 特許庁

Moを主成分とする金属材料のドライエッチングにおいて、下地材料との選択比を確保しつつエッチングレートおよび形状に優れる薄膜の加工方法と薄膜トランジスタの製造方法および高密度プラズマエッチング装置を提供する。例文帳に追加

To provide the processing method of a thin film, the manufacturing method of a thin film transistor and a high density plasma etching device superior in an etching rate and a shape while securing a selection ratio with a substrate material in the dry etching of a metal material mainly comprising Mo. - 特許庁

第２の半導体領域２４をエッチングするとともに、該エッチング期間中に第２のマスク層２５ａの厚さＦを分光エリプソメトリにより測定して、該測定の測定値と選択比Ｋとを用いてエッチングの停止を判断する。例文帳に追加

A second semiconductor region 24 is etched, and a thickness F of a second mask layer 25a is measured by spectroscopic ellipsometry during its etching time period, and stop of the etching is determined using a measurement value by the measurement and the selection ratio K. - 特許庁

シリコン基板上の酸化シリコン層または窒化シリコン層をエッチングする方法において、エッチングガスとして地球温暖化ガスを含まず、しかも高選択比、高アスペクト比、及び実用的なエッチング速度が得られるエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etching method applicable in a process of etching a silicon oxide layer or a silicon nitride layer on a silicon substrate, using etching gas which does not contain global warming gases and achieving a high selection ratio, a high aspect ratio, and a practical etching rate. - 特許庁

表面改質層１２のエッチング速度が向上し、下部電極層５のハードマスク層７に対するエッチング選択比を向上でき、表面改質層１２および下部電極層５をＯ_2 ／Ｃｌ_2 ガス系を用いてエッチングし、角柱形状の下部電極層５を得る。例文帳に追加

The etching speed of a surface-reforming layer 12 is improved, an etching selection ratio for the hard mask layer 7 of the lower electrode layer 5 is improved, and the surface- reforming layer 12 and the lower electrode layer 5 are etched using an O2/Cl2 gas, thus obtaining the lower electrode layer 5 into a prism shape. - 特許庁

この際に、ホール部位に、層間絶縁膜または絶縁膜に対して高選択比でＴｉ膜が成膜されるように、前記ガスの流量、基板温度、チャンバー内圧力およびプラズマを形成する際の投入電力を調整する。例文帳に追加

At this time, the flow rates of the gases, the temperature of the substrate, the pressure in the chamber and the electric power to be applied on the plasma formation are controlled so that the Ti film is deposited on the interlayer insulation film or insulation film at a high selection ratio. - 特許庁

バリアメタルの絶対的な研磨速度を適度に上げることに加え、金属配線材との研磨速度比を適切な選択比に調節できる金属研磨用、特にバリア金属研磨用、研磨液及び該研磨液を用いた研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing liquid for metals, especially for barrier metals and a polishing method using the polishing liquid wherein it improves moderately the absolute polishing speed of a barrier metal, and in addition to this, its polishing-speed ratio of the barrier metal to a metal-wiring material can be so adjusted as to make the selective ratio thereof proper. - 特許庁

レジストマスクで覆われたＳｉＯＣＨ或いはＳｉＯＣ系材料の低誘電率層間絶縁膜をドライエッチングする場合に、対レジスト選択比が低下することが防止でき、その上、層間絶縁膜にダメージを与えることがないようにする。例文帳に追加

To provide a method by which the fall of a resist selection ratio can be prevented and, in addition, no damage is given to a low-dielectric constant interlayer insulating film covered with a resist mask and composed of an SiOCH- or SiOC-based material in dry-etching the interlayer insulating film. - 特許庁

このとき、バイアス高周波電力の周波数を１ｋＨｚ〜１ＭＨｚに設定すると共に、金属膜２４とフォトレジスト２６との選択比が０．８以上となるようにバイアス高周波電力の出力値を設定する。例文帳に追加

At this time, the frequency of the bias high frequency electric power is set to 1 K to 1 MHz, and moreover, the output value of the bias high frequency electric power is set so that the selective ratio between the metallic film 24 and a photo-resist is controlled to ≥0.8. - 特許庁