「くえん酸回路」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

基準電圧発生回路７２、電圧降圧回路７３およびＶＰＰ発生回路７６は、３．３Ｖの電源電圧に適したゲート酸化膜厚を有する厚膜ＭＯＳトランジスタを用いて構成される。例文帳に追加

The reference voltage generating circuit 72, the drop circuit 73, and the VPP generating circuit 76 are constituted by using thick film MOS transistors having the gate oxide film thickness suitable for power source voltage of 3.3V. - 特許庁

あるいは、周辺回路部のＳＴＩ側壁に酸窒化膜を形成し、酸化膜エッチング時の側壁絶縁膜の膜減りを防止する。例文帳に追加

Otherwise, the oxide-nitride film is formed on the STI sidewall to prevent film reduction of a sidewall insulation film at the time of etching the oxidation film. - 特許庁

１つの集積回路製造プロセスでは、有機ケイ酸塩層は、反射防止皮膜（ＡＲＣ）として使用される。例文帳に追加

In one integrated circuit fabrication process, the organosilicate layer is used as an antireflective coating(ARC). - 特許庁

薄膜埋め込み酸化膜層を持つＦＤ−ＳＯＩを使用し、薄膜埋め込み酸化膜層の下層半導体領域をバックゲートとし、論理回路ブロックにおいてブロック中の負荷の軽い論理回路にはバックゲートの電圧をブロック活性化に合わせてブロック外から制御する。例文帳に追加

An FD-SOI having a thin-film buried oxide film layer is used, a lower-layer semiconductor region of the thin-film buried oxide film layer serves as a back gate, and in a logic circuit block, a voltage of the back gate is controlled from outside the block for a logic circuit with a light load in accordance with block activation. - 特許庁

金属層とポリイミドフィルムとの積層体を使用しての回路基板の製造方法において、ポリイミドフィルムをエッチング加工する際に、化学エッチング剤での処理後に化学エッチング剤による変性層を洗浄除去し、さらに酸性水溶液で処理するプロセスを有する回路基板の製造方法とこの方法によって得られる回路基板。例文帳に追加

The method of manufacturing the circuit board using the laminate of the metal layer and the polyimide film has a process for cleaning and removing, after a treatment with a chemical etching agent, an altered layer generated by the chemical etching agent and performing treatment with an acid aqueous solution when the polyimide film is subjected to an etching processing. - 特許庁

酸化膜の形成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置、ＳｉＣ基板の酸化方法とそれを用いたＳｉＣ−ＭＯＳ型半導体装置およびそれを用いたＳｉＣ−ＭＯＳ型集積回路、並びにＳｉＣ−ＭＯＳ型半導体装置およびＳｉＣ−ＭＯＳ型集積回路の製造装置例文帳に追加

METHOD OF FORMING OXIDE FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF OXIDIZING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE MOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE MOS INTEGRATED CIRCUIT USING THE METHOD, AND APPARATUS FOR MANUFACTURING THE SILICON CARBIDE MOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE MOS INTEGRATED CIRCUIT - 特許庁

試作された半導体集積回路が所望の動作をした場合に、出荷用の半導体基板１５におけるフィールド酸化膜１７に囲まれた所定領域（実線部分のみから成る領域）にトランジスタの不純物拡散領域１６Ｐ、１６Ｎを形成して出荷用の半導体集積回路を製造する。例文帳に追加

For successful operation of the prototype semiconductor integrated circuit, the semiconductor integrated circuit for shipment is manufactured, by forming impurity diffusion region 16P and 16N of transistor in the prescribed region (region comprising only solid line part) which is enclosed by the field oxide film on the semiconductor wafer 15 for shipment. - 特許庁

本発明は、第１の電極と、第１の電極上に形成した五酸化タンタル層と、五酸化タンタル層上に形成した第１の障壁層と、第１の障壁層上に形成した第２の銅電極とを具備する、集積回路の金属−酸化物−金属（ＭＯＭ）コンデンサを提供する。例文帳に追加

A metal-oxide-metal(MOM) capacitor of an integrated circuit is provided with a first electrode, a tantalum pentoxide layer formed on the first electrode, a first barrier layer formed on the tantalum pentoxide layer, and a second copper electrode formed on the first barrier layer. - 特許庁

金属、金属酸化物、合金から選ばれる少なくとも１つの導体層と、樹脂層の密着を向上させるために、導体表面にシランカップリング剤が塗布されたプリント回路基板における密着性の分析方法であって、プリント回路基板に、酸化還元指示薬液を滴下し、変色を確認することで導体層と樹脂層の密着性を分析する。例文帳に追加

In an analysis method of adhesiveness of a printed circuit board wherein a silane coupling agent is applied on the conductor surface in order to improve adhesion between at least one conductor layer selected from a metal, a metal oxide and an alloy and a resin layer, oxidation-reduction indicator liquid is dropped onto the printed circuit board, and discoloration thereby is confirmed, to thereby analyze adhesiveness between the conductor layer and the resin layer. - 特許庁

粘着剤層がアクリル酸ジブチルとアクリル酸２−エチルヘキシルと酢酸ビニルとを共重合して得られた重量平均分子量５０００００〜２００００００の樹脂１００重量部と架橋剤２〜１５重量部からなることを特徴とするフレキシブル回路製造工程用粘着シート。例文帳に追加

This adhesive sheet for the production process of the flexible circuit is characterized in that an adhesive mass layer is composed of 100 pts.wt. of a resin prepared by copolymerizing dibutyl acrylate with 2-ethylhexyl acrylate and vinyl acetate and having 500,000-2,000,000 weight-average molecular weight and 2-15 pts.wt. of a cross-linking agent. - 特許庁

Ｎｉ電極上に安定したＣｕ−Ｚｎ−Ｎｉ化合物相を均一に形成することができると共に、はんだ粉末の酸化を抑制してはんだ付けの信頼性を向上させるはんだペーストおよび電子回路を提供する。例文帳に追加

To provide soldering paste and an electronic circuit which improves the reliability of soldering by suppressing the oxidization of soldering powder with uniformly forming a stable Cu-Zn-Ni compound phase on an Ni electrode. - 特許庁

界面活性剤が添加されたバッファドＨＦ液で酸化膜エッチングを行う時、シリコン基板に局所的なシリコンの削れ（ピット）が生じない半導体集積回路装置の製造技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology for manufacturing a semiconductor integrated circuit device for preventing generation of local silicon deletion(pit) in a silicon substrate at the time of oxide film etching by buffered HF liquid added with surface active agent. - 特許庁

クエン酸回路における代謝機能の促進と、摂取栄養素を有効に消化吸収せしめて健康増進を図る健康増進飲料を提供する。例文帳に追加

To provide a health promotion drink for promoting health by promoting metabolic function in the citric acid cycle and effectively digesting and absorbing ingested nutrients. - 特許庁

メタルめっきの技術で導電のメタル又はメタルの酸化物を均一に透明ガラス基板の透明導電層において、エッジに近づくエリアの予定位置に塗布して、第一の回路を形成する。例文帳に追加

A first circuit is formed by uniformly applying conductive metal or the oxide of metal to the scheduled position of an area close to the edge in the transparent conductive layer of a transparent glass substrate in a metal plating technology. - 特許庁

集積回路に三重ウエルを備える高速の絶縁体上の金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ−ＳＯＩ）の応用例のためのターミネータを提供する。例文帳に追加

To provide a terminator for the application example of a metal oxide film semiconductor (CMOS-SOI) on a high-speed insulator provided with a triple well in an integrated circuit. - 特許庁

従来の高電圧スイッチング回路において、比較的薄いゲート酸化膜ＭＯＳ Ｎチャネルトランジスタに直列のさらなる比較的厚いゲート酸化膜トランジスタを加えて、高電圧電源のための信頼性の高い最大電圧を増大させる。例文帳に追加

This is effectuated by adding an additional relatively thick gate oxide transistor in series with the relatively thin gate oxide MOS N-channel transistor in a conventional high voltage switching circuit to increase the reliable maximum voltage for the high voltage power supply. - 特許庁

本発明のロケットエンジンシステムは、中心線を画定する燃焼室２２と、酸化剤供給部１２と、燃料供給部１６Ａに接続された第一の燃料搬送回路Ａと、燃料供給部１６Ｂに接続された第二の燃料搬送回路Ｂと、燃焼室２２に配置されたインジェクタアセンブリ１０と、を含む。例文帳に追加

A rocket engine system includes a combustion chamber 22 defining a centerline axis, an oxidizer supply 12, a first fuel delivery circuit A connected to a fuel supply 16A, a second fuel delivery circuit B connected to a fuel supply 16B, and an injector assembly 10 positioned at the combustion chamber 22. - 特許庁

試作用の半導体基板１５におけるフィールド酸化膜１７に囲まれた所定領域（実線部分と破線部分から成る領域）にトランジスタの不純物拡散領域１６Ｐ、１６Ｎを形成して半導体集積回路を試作し、検査する。例文帳に追加

The prototypic semiconductor integrated circuit is manufactured and checked, by forming impurity diffusion regions 16P and 16N of a transistor in a prescribed region (region comprising solid line part and broken line part) enclosed by field oxide film 17 on a semiconductor wafer 15 for a prototype. - 特許庁

本発明は、タンクと流体継手とバルブとを一体的に確実に固定でき、酸等の腐食性雰囲気内での使用もでき、薬液供給回路の小型化が図れ、メンテナンス性が高く、安価なバルブとタンクの固定機構を有するタンク構造を提案することを目的とする。例文帳に追加

To provide an inexpensive tank structure capable of integrally and reliably fixing the tank having a fixing mechanism of a valve to a tank which is a fluid coupling and the valve to each other, using even in a corrosive atmosphere such as acid, and miniaturizing a chemical supply circuit, and high in maintainability. - 特許庁

ＳＲＡＭメモリセルをＦＤ−ＳＯＩトランジスタで構成し、駆動トランジスタを構成するＳＯＩトランジスタの埋め込み酸化膜の下の層の電位を制御して、低電源電圧状態でのＳＲＡＭ回路の性能を向上させる。例文帳に追加

To improve performance of an SRAM circuit in a low power-supplying-voltage condition by constituting an SRAM memory cell with an FD-SOI transistor, and controlling the potential of the lower layer of the embedded oxide film of the SOI transistor constituting a drive transistor. - 特許庁

平均重合度１０００から１５００のポリ塩化ビニル樹脂１００重量部あたり５０から９０重量部のトリメリト酸トリス−２−エチルへキシルと３から１０重量部のエポキシ化ダイズ油からなるポリ塩化ビニル樹脂組成物により形成した高圧蒸気滅菌処理用血液回路。例文帳に追加

The blood circuit for high pressure steam sterilization treatment is formed with a polyvinylchloride resin composition comprising 50 to 90 pts.wt. trimellitic acid tris-2-ethylhexyl and 3 to 10 pts.wt. epoxidized soybean oil based on 100 pts.wt. of the polyvinylchloride resin having a 1000 to 1500 average degree of polymerization. - 特許庁

二酸化炭素冷媒回路３０は、圧縮機３１、外気側熱交換器３５、膨張弁３２、３３、熱交換部位３７、受液器３４、これらの接続状態を設定する接続状態設定部３９、氷蓄熱槽６２に設けられた熱交換器３６、受液器３４と熱交換器３６の間で二酸化炭素冷媒を循環するポンプ３８を備える。例文帳に追加

A carbon dioxide refrigerant circuit 30 includes a compressor 31, an outside air-side heat exchanger 35, expansion valves 32, 33, a heat exchanging region 37, a liquid receiver 34, a connecting state setting section 39 setting the connecting states thereof, a heat exchanger 36 disposed in an ice storage tank 62, and a pump 38 for circulating the carbon dioxide refrigerant between the liquid receiver 34 and heat exchanger 36. - 特許庁

純水を用いた洗浄処理において、簡便な方法を用いて純水に二酸化炭素を溶解させて比抵抗を下げ、これにより静電気の発生を防止し、また酸性化された純水により有機アミン系等の薬液と純水との反応によるアルカリ性物質の生成を抑制して、ウエハに形成された回路を保護する洗浄処理方法および洗浄処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaning and processing method and an apparatus capable of protecting a circuit formed on a wafer against damage by preventing static electricity from occurring through a simple method for dissolving carbon dioxide into pure water to reduce it in resistivity in a cleaning method that uses pure water, and by restraining alkaline matter generated by the reaction of chemicals such as organic amine upon pure water is prevented from occurring by the acidified pure water. - 特許庁

非黒鉛質炭素材料（例えば、ハードカーボン）および非結晶質酸化物（例えば、酸化ケイ素）から選ばれる少なくとも１種を含む材料を負極活物質に用いた少なくとも１個の二次電池２（例えばリチウム二次電池）と、少なくとも１個のキャパシタ３（例えば電気二重層キャパシタ）とを並列に接続した回路構成とする。例文帳に追加

The constitution consists of the circuit connecting in parallel with at least one secondary battery 2 (e.g. a lithium secondary battery) using material containing at least one kind selected from non-graphite carbon material (e.g. hard carbon) and amorphous oxide (e.g. silicon dioxide) for negative pole active material, and at least one capacitor 3 (e.g. an electric double layer capacitor). - 特許庁

室温領域に配置された励磁用電源１から、低温領域９に配置された超電導マグネット１０に酸化物超電導体製電流リード６Ａ，６Ｂを介して電流を供給する超電導マグネット装置において、停電による電流供給停止が発生した場合でも超電導マグネット１０のクエンチを回避できるようにした、超電導マグネット装置の保護回路を提供すること。例文帳に追加

To provide a protection circuit for superconducting magnet equipment, by which the quench of a superconducting magnet 10 can be avoided even when current-feed stopping due to an interruption of power supply occurs in superconducting magnet equipment where a current is supplied via current leads 6A, 6B made of oxide superconductors from a power 1 for excitation arranged in a room temperature region to the superconducting magnet 10 arranged in a cold temperature region 9. - 特許庁

インクジェットヘッド製造の最初の工程としてシリコン基板に駆動回路とその端子を形成し、酸化膜と配線電極を形成し、Ｔａ−Ｓｉ−ＳｉＯなどの微細抵抗（発熱素子１５）、Ｎｉなどによる電極（共通電極１２、個別配線電極１４）を形成して発熱素子１５の位置と形状を決める。例文帳に追加

As an initial manufacturing process of ink jet head, a drive circuit and the terminals thereof are formed on a silicon substrate followed by formation of an oxide film, wiring electrodes, fine resistors (heating elements 15) of Ta-Si-SiO, for example, and electrodes (common electrode 12, individual wiring electrodes 14) of Ni, for example, before determining the position and shape of the heating element 15. - 特許庁

本発明による印刷回路基板用難燃性樹脂組成物は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、ゴム変性型エポキシ樹脂、およびリン系エポキシ樹脂を含む複合エポキシ樹脂と、硬化剤と、硬化促進剤と、炭酸カルシウム系無機充填剤と、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The flame retardant resin composition for the printed circuit board includes: a complex epoxy resin containing a bisphenol A type epoxy resin; a cresol novolac epoxy resin; a rubber-modified epoxy resin, and a phosphorus type epoxy resin; a curing agent; a curing accelerator; and a calcium carbonate type inorganic filler. - 特許庁

本発明に係る半導体集積回路の多層配線用層間絶縁膜の製造方法は、シリコン系炭化水素を材料ガスとして用いてプラズマＣＶＤ法により、第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜を形成した後、ｉｎ−ｓｉｔｕで連続的にシリコン系炭化水素ガス及び酸化性ガスを材料ガスとして用いてプラズマＣＶＤ法により、第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程とから成る。例文帳に追加

The method for manufacturing the interlayer insulating film for a multilayer wiring of a semiconductor integrated circuit includes a process of forming a 1st insulating film by a plasma CVD method using silicon-based hydrocarbon as material gas, and a process of forming a 2nd insulating film on the 1st insulating film by the plasma CVD method using silicon-based hydrocarbon gas and oxidative gas as material gas continuously in situ. - 特許庁