「オン抵抗」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

共通スイッチＳ0は、オン抵抗Ｒ0を有し、個別スイッチＳ1、Ｓ2、、Ｓnは、オン抵抗Ｒ1を有し、個別電極側に配線抵抗Ｒiを有する。例文帳に追加

The common switch S0 has ON resistance R0, while the individual switches S1, S2 and Sn have an ON resistance R1 and have a wiring resistance Ri on the side of individual electrodes. - 特許庁

これらトランジスタを大きくしてオン抵抗を低減せずとも、該オン抵抗及び抵抗（２Ｒ−α）の合成抵抗の抵抗値が２Ｒになるようにすることができる。例文帳に追加

The value of the combined resistance of the on-resistance and the resistance of each resistor (2R-α) is set to 2R without the need for increasing the size of the TRs to reduce their on-resistance. - 特許庁

pHの変更に抵抗するイオンの混合物例文帳に追加

an ionic compound that resists changes in its pH  - 日本語WordNet

スイッチ２２_１はスイッチ２１_１よりもオン抵抗が低い。例文帳に追加

The switch 22_1 has a lower on-resistance than the switch 21_1. - 特許庁

オン抵抗が低い電力用半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a power semiconductor element with low ON-resistance. - 特許庁

オン抵抗が低い半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device with low on-resistance. - 特許庁

半導体装置のオン抵抗をより低減させる。例文帳に追加

To further reduce an on-resistance of a semiconductor device while miniaturizing the semiconductor device. - 特許庁

スイッチ回路１１のオン抵抗は、バイポーラトランジスタＱ１のオン抵抗と、バイポーラトランジスタＱ２のオン抵抗との並列和によって規定されるため、スイッチ回路１１のオン抵抗を小さくすることが可能となる。例文帳に追加

The on-resistance of the switch circuit 11 is specified by the parallel sum of the on-resistance of the bi-polar transistor Q1 and the on-resistance of the bi-polar transistor Q2 so that the on-resistance of the switch circuit 11 can be reduced. - 特許庁

低オン抵抗の高電圧ＭＯＳトランジスタ例文帳に追加

HIGH VOLTAGE MOS TRANSISTOR OF LOW ON-STATE RESISTANCE - 特許庁

その結果として、素子のオン抵抗をさらに低減できる。例文帳に追加

As a result, the on resistance of the element can be further reduced. - 特許庁

ＭＯＳトランジスタのオン抵抗検査方法例文帳に追加

METHOD FOR INSPECTING ON RESISTANCE IN MOS TRANSISTOR - 特許庁

半導体装置のオン抵抗を低下させる。例文帳に追加

To reduce the on-resistance of a semiconductor device. - 特許庁

半導体装置及びオン抵抗測定方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ON-RESISTANCE MEASURING METHOD - 特許庁

オン抵抗を十分なレベルにまで低減させる。例文帳に追加

To lower on-resistance to a sufficient level. - 特許庁

カチオン抵抗性菌用殺菌剤及びその使用方法例文帳に追加

MICROBICIDE AGAINST CATION-RESISTANT MICROBE AND METHOD OF USING THE SAME - 特許庁

抵抗素子Ｒ１は、ＭＯＳトランジスタを使用して、そのオン抵抗を利用するようにした。例文帳に追加

The resistance element R1 uses an MOS transistor so as to use its on-resistance. - 特許庁

また、抵抗用配線７の抵抗値を調整するために、不純物イオンの注入を行う。例文帳に追加

The impurity ion is further injected into the board to adjust the resistance of the resist wiring 7. - 特許庁

ゲート抵抗を増加させることなく、オン抵抗の低減とチャネル電位の安定化を実現すること。例文帳に追加

To achieve the reduction of an ON resistance and stabilization of channel potential without increasing gate resistance. - 特許庁

そしてこのスイッチ３２がオンされることによって抵抗器３３が抵抗器２７と並列に接続される。例文帳に追加

By turning on the switch 32, the resistor 33 is connected in parallel with a resistor 27. - 特許庁

トレンチゲートＭＯＳＦＥＴのソース抵抗の低減をはかりオン抵抗を低減する。例文帳に追加

To reduce on-resistance by reducing source resistance of a trench-gate MOSFET. - 特許庁

このオンにより、抵抗素子４への通電路が形成され、抵抗素子４が発熱動作する。例文帳に追加

A current-carrying passage to a resistance element 4 is formed by this ON, and the resistance element 4 is operated for heating. - 特許庁

本発明では、半導体基板(2)に固定抵抗(3,4,5)と可変抵抗(14)とを形成し、同可変抵抗(14)を構成する拡散層(22,23)に固定抵抗(3,4,5)と可変抵抗(14)との合成抵抗値(R)が所定の抵抗値(Ro)となるようにイオンを注入することにした。例文帳に追加

Fixed resistors (3, 4, 5) and a variable resistor (14) are formed on a semiconductor substrate (2) and ions are injected into diffusion layers (22, 23) constituting the variable resistor (14) such that the combined resistance (R) of the fixed resistors (3, 4, 5) and the variable resistor (14) will be equal to a predetermined resistance (Ro). - 特許庁

可変抵抗の抵抗値の可変は、複数の抵抗を設け、その抵抗に接続されたトランジスタ等のスイッチをオンまたはオフさせることにより、各抵抗を有効化あるいは無効化させることによりなされる。例文帳に追加

The resistance value of the variable resistor can be varied by making on/off the switch of transistors etc. connected to a plurality of prepared resistors to make each resistor effective or ineffective. - 特許庁

電源スイッチ回路２０００は、電源オン時に、並列接続されているオン抵抗の大きいＭＯＳＦＥＴＱ１とオン抵抗の小さいＭＯＳＦＥＴＱ２のうち、まず、オン抵抗の大きいＭＯＳＦＥＴＱ１をオンした後、所定時間経過後に、オン抵抗の小さいＭＯＳＦＥＴＱ２をオンさせる。例文帳に追加

The power supply switch circuit 2000 first turns on a MOSFET Q1 having large on-resistance out of the MOSFET Q1 having large on-resistance and a MOSFET Q2 having small on-resistance that are connected in parallel with each other, and after that, turns on the MOSFET Q2 having small on-resistance after the lapse of a prescribed time. - 特許庁

電極２は、酸化物層３から酸素イオン５を受容して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、酸化物層３に酸素イオン５を供与して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。例文帳に追加

The electrode 2 changes to the high resistance state from the low resistance state by receiving the oxygen ion 5 from the oxide layer 3 and changes to the low resistance state from the high resistance state by giving the oxygen ion 5 to the oxide layer 3. - 特許庁

酸化物層３は、電極２に酸素イオン５を供与して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、電極２から酸素イオン５を受容して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。例文帳に追加

The oxide layer 3 is capable of changing to the high resistance state from the low resistance state by giving oxygen ion 5 to the electrode 2 and changing to the low resistance state from the high resistance state by receiving the oxygen ion 5 from the electrode 2. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴ１１２ｃのオン抵抗は、ＭＯＳＦＥＴ１２２ｂのオン抵抗とゲート抵抗１２１との合成抵抗の２倍以上となるように設定されている。例文帳に追加

On-resistance of the MOSFET 112c is set to two times or more of a combined resistance of on-resistance of the MOSFET 122b and resistance of a gate resistor 121. - 特許庁

前段の最終段トランジスタのオン抵抗Ｒｏｕｔ、配線抵抗Ｒｗ、パスゲートトランジスタのオン抵抗及びプルアップトランジスタのオン抵抗の合成抵抗Ｒｉｎに基づいて、前記セルの入力信号の電圧をネット毎で推定する。例文帳に追加

On the basis of ON resistance Rout of a final transistor on the processing stage, wiring resistance Rw and resistance Rin synthesizing the ON resistance of a pass gate transistor and the ON resistance of a pull-up transistor, the voltage of an input signal to the cell is estimated for each cell. - 特許庁

２つの短絡抵抗と２つの短絡オンオフスイッチとからなり直列抵抗回路に並列接続された短絡回路を設け、更に、短絡抵抗の抵抗比と等しい抵抗比となる直列抵抗回路の接続点に短絡回路の中間点が接続される構成とするトリミング回路。例文帳に追加

The trimming circuit is provided with a short-circuit consisting of two short-circuit resistances and two short-circuit on-off switches and connected to a series resistance circuit in parallel, wherein a middle point of the short-circuit is connected to a connection point of the series resistance circuit whose resistance ratio is equal to a resistance ratio of the short-resistances. - 特許庁

入力抵抗Ｒ２は、入力抵抗Ｒ１より大きい抵抗値に設定されているから、三線式センサ４がオン動作時でも、入力抵抗Ｒ１に流れる電流量が抑制され、抵抗値が小さい入力抵抗Ｒ２を使用する場合に比べて発熱を低くすることができる。例文帳に追加

An input resistance R2 has its resistance value set larger than the input resistance R1, so even when the three-wire type sensor 4 is on, the amount of the current flowing to the input resistance R1 is suppressed to reduce the heat generation as compared with the use of the input resistance R2 having the small resistance value. - 特許庁

そして、各通電量増減回路ＺＫ＊では、抵抗２５よりも抵抗値が大きい抵抗Ｒ＊で信号ラインＬ＊を常時プルダウンするが、スイッチ手段ＳＷ＊がオンされてからある時間までは、スイッチＣＴ＊がオンとなって信号ラインＬ＊を小抵抗値の抵抗２５でもプルダウンする。例文帳に追加

Each current increase and decrease circuit ZK* always pulls down the signal lines L* by using a resistor R* larger than the resistor 25, but it pulls down the signal lines L+ with a small resistor 25 for a certain time, after the switch SW+ is turned on, because the switch CT* is on. - 特許庁

このオンオフ制御により、端子Ｔ21、Ｔ22の間に、オンとされたＭＯＳ−ＦＥＴに直列接続されている抵抗器で決まる抵抗値を得る。例文帳に追加

Though the on/off control of the above, a resistance depending on the resistors connected in series with the conductive MOSFETs is obtained between the terminals T21, T22. - 特許庁

ＭＯＳ−ＦＥＴ４０は、常温におけるオン抵抗１．８ｍΩ、液体窒素温度におけるオン抵抗０．５ｍΩのＭＯＳ−ＦＥＴである。例文帳に追加

MOS-FET40 is an MOS-FET having an on-resistance of 1.8 MΩ at normal temperature and an on-resistance of 0.5 MΩ at a liquid nitrogen temperature. - 特許庁

パワーＭＯＳＦＥＴのオン抵抗測定方法及びパワーＭＯＳＦＥＴのオン抵抗測定装置並びにパワーＭＯＳＦＥＴ例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING ON-RESISTANCE OF POWER MOSFET AND POWER MOSFET - 特許庁

素子面積を増大させずにオン抵抗の低減を実現した横型MOSFETにおいて、更にオン抵抗を低減させる。例文帳に追加

To achieve further on resistance reduction in the horizontal trench MOSFET that has achieved on resistance reduction, without extending a device area. - 特許庁

このとき、ｎＭＯＳ非選択スイッチ４２のオン抵抗がｐＭＯＳ選択スイッチ４１のオン抵抗より大きい。例文帳に追加

At this time, ON-state resistance of the nMOS non-selector switch 42 is larger than ON-state resistance of the pMOS selector switch 41. - 特許庁

オン抵抗およびオン抵抗のばらつきを低減できる縦型ＭＯＳＦＥＴ構造の半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device with a vertical MOSFET structure that can reduce ON-resistance and the variation of the ON-resistance. - 特許庁

非通紙に、イオン導電ローラにバイアスを印加して抵抗値を検知し、この抵抗値からイオン導電ローラの温度を算出する。例文帳に追加

The temperature of the ionic conductive roller is calculated from the resistance detected by applying bias voltage to the ionic conductive roller when paper is not loaded thereon. - 特許庁

すなわち、絶縁抵抗５０の抵抗値を検出する際にオンにするスイッチ３７をオフにするとともに、スイッチ３８をオンにする。例文帳に追加

Namely, a switch 37 to be switched to the on state when detecting the resistance value of an insulation resistance 50 is switched to the off state, and a switch 38 is switched to the on state. - 特許庁

耐圧とオン抵抗の間に存在しているトレードオフ関係を打破し、高耐圧で低オン抵抗な半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a high breakdown voltage and a low on-state resistance by overcoming a trade-off relation between breakdown voltage and on-state resistance. - 特許庁

同一の膜から抵抗率の異なる複数の抵抗層を形成できるようにすると共に、抵抗層のデザイン変更を伴わずに、多重イオン注入によってその抵抗値のみを任意に変更できるようにする。例文帳に追加

To enable to form several resistance layers of different resistivity from the same film and to enable to arbitrarily change only the resistance by multiple ion implantation without changing the design of the resistance layers. - 特許庁

終端抵抗ネットワーク５０は、その抵抗値がオンチップ基準抵抗ネットワーク４２の抵抗値に対して所定の関係を呈するように構成される。例文帳に追加

A termination resistor network 50 is constructed so that the value of resistance of the network 50 may present a prescribed relation to the value of resistance of an on-chip reference resistor network 42. - 特許庁

抵抗素子の抵抗値Ｒsは、ドライバーのオン抵抗より十分に大きい抵抗値をもち、かつ、ドライバーの出力インピーダンスと信号線のインピーダンスとが等しくなるように決定される。例文帳に追加

The resistance Rs of the resistive element is sufficiently higher than the ON resistance of the driver and decided so that the output impedance of the driver is equal to the impedance of the signal line. - 特許庁

高い抵抗値の抵抗によらず、強反転領域の非飽和領域で動作するＮＭＯＳトランジスタ１３の高い抵抗値のオン抵抗により、定電流回路の定電流ＩＲＥＦが少なくなる。例文帳に追加

Without employing a resistor having a high resistance value, a constant current IREF of a constant curent circuit is reduced by an on resistance having a high resistance value of an NMOS transistor 13 operated in an unsaturated region of a strong inversion region. - 特許庁

抵抗素子３０は、２つのスイッチング素子２１、２２のオン抵抗よりも大きく、２つのスイッチング素子２１、２２のオフ抵抗よりも小さい抵抗を有する。例文帳に追加

The resistance element 30 includes resistance which is greater than on resistance of the two switching elements 21 and 22 and smaller than off resistance of the two switching elements 21 and 22. - 特許庁