「バイアス抵抗器」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ＦＥＴ６のゲートバイアス電圧供給回路に電流制限抵抗器１を挿入する。例文帳に追加

A current limiting resistor 1 is inserted to a gate bias voltage supply circuit of an FET 6. - 特許庁

これらトランジスタQ1およびQ2のベースには、抵抗分圧器R1-R2によりベースバイアス電圧が印加される。例文帳に追加

A base bias voltage is impressed by resistance voltage dividers R1-R2 to the base of transistors Q1 and Q2. - 特許庁

−Ｖ電源と第１の入力端子７ａの間はバイアス抵抗器９が接続されている。例文帳に追加

Between a -V electric source and the 1st input terminal 7a is connected with a bias resistor 9. - 特許庁

少なくとも２つの異なった抵抗状態を有するメモリ用センス増幅器バイアス回路例文帳に追加

SENSE AMPLIFIER BIAS CIRCUIT FOR MEMORY HAVING AT LEAST TWO DIFFERENT RESISTIVE STATE - 特許庁

バイアス安定用抵抗器（Ｒbs）の抵抗値をローパスフィルタ（２０）の出力インピーダンス（Ｚout）のインピーダンス値と等しくする（Ｒbs＝Ｚout）。例文帳に追加

A resistance of a bias stabilizing resistor (Rbs) is made equal to the output impedance (Zout) of a low-pass filter 20 (Rbs=Zout). - 特許庁

第２の抵抗器２の抵抗値は小値であり、その微調整により、ＦＥＴ６のバイアス調整が行われる。例文帳に追加

The resistance value of the second resistor 2 is a small value and by finely controlling that value, the bias control of the FET 6 is performed. - 特許庁

磁気検出器１３は、磁気抵抗素子２１と、磁気抵抗素子２１にバイアス磁界を印加する磁石Ｍ１とを内蔵している。例文帳に追加

The magnetic detector 13 comprises a magnetoreluctance element 21, and a magnet M1 for applying a bias field to the magnetoreluctance element 21. - 特許庁

バイアス回路は、受信用増幅器に用いられるバイアス回路であって、電界効果型トランジスタのドレイン電極とドレインバイアス端子の間に抵抗が直列に接続され、上記ドレイン電極とゲートバイアス端子の間に少なくとも２個以上の抵抗が直列に接続され、上記直列接続された２個以上の抵抗のうち２個の抵抗が接続される接続点を上記ゲート電極に接続する。例文帳に追加

The bias circuit for use with a receiving amplifier is so constructed that a resistor is connected in series between a drain electrode of a field effect transistor and a drain bias terminal, at least two resistors are connected in series between the drain electrode and a gate bias terminal, and a junction connecting two of the two or more series-connected resistors is connected to a gate electrode. - 特許庁

負の定電圧Ｖggを、トリマブル抵抗である抵抗Ｒ１と正の温度係数を有する固定抵抗である抵抗Ｒ２の直列回路からなるゲートバイアス回路３で分圧して、高周波増幅器をなすＧaＡs ＦＥＴ２のゲートにゲートバイアス電圧Ｖgqとして印加するようにした。例文帳に追加

A constant negative voltage Vgg is divided by a gate bias circuit 3 composed of a serial circuit of a resistor R1 which is a trimmable resistor and a resistor R2 which is a fixed resistor having a positive temperature coefficient, and applied to the gate of a GaAs FET 2 comprising the high frequency amplifier as a gate bias voltage Vgq. - 特許庁

圧電振動子と電圧可変容量素子が直列に接続され、その接続点がバイアス抵抗を介して接地されている回路構成の電圧制御圧電発振器では、周波数可変幅および負性抵抗が前記バイアス抵抗の抵抗値によって変化し、さらに周波数特性を持つため広い周波数範囲をカバーするような最適なバイアス抵抗値を決めることができない。例文帳に追加

To solve the problems that an optimum bias resistance value so as to cover a wide frequency range can not be decided because frequency variable width and negative resistance are changed due to the resistance value of bias resistance and a frequency characteristic is further is held in a voltage controlled piezo-oscillator of a circuit configurations where a piezoelectric resonator and a voltage variable capacitive element are serially connected and the connection is grounded through a bias resistor. - 特許庁

バイアス制御部１０では、バッファアンプ１１１を介したバイアス制御用信号が定抵抗器１３１、可変抵抗部１３２，１３３へ供給される。例文帳に追加

In the bias control part 10, a bias controlling signal having passed through a buffer amplifier 111 is supplied to a fixed resistor 131 and variable resistance parts 132, 133. - 特許庁

発光素子１４は、バイアス電圧を印加することによって動作し、当該バイアス電圧は、調整器１８に含まれる可変抵抗２８の抵抗値を変化させることによって調節される。例文帳に追加

The light emitting element 14 is operated by the impression of a bias voltage, and the bias voltage is regulated by changing the resistance value of a variable resistance included in the regulator 18. - 特許庁

また、書込バイアス電圧生成回路７３とそれぞれの走査ドライバ７６との間に抵抗器Ｒ２０を挿入し、この抵抗器Ｒ２０を巻き線抵抗器とする。例文帳に追加

Moreover, a resistor R20 is inserted between a write-in bias voltage generation circuit 73 and each scanning driver 76, and this resistor R20 is a wire wound resistor. - 特許庁

基準電位点１０に一端が接続されたブリーダ抵抗器１８と、動作電位点＋Ｖｃｃに一端が接続されたブリーダ抵抗器１９に接続されたとき、トランジスタ６にバイアスを抵抗器２８、３０が与える。例文帳に追加

When connections with a bleeder resistor 18 whose one end is connected to a reference potential point 10 and a bleeder resistor 19 whose one end is connected to the operating potential point +Vcc are made, resistors 28 and 30 apply a bias to a transistor 6. - 特許庁

バイアス制御信号に基づき、定抵抗器１３１はバイアス電圧Ｖｂｉａｓ１を半導体増幅素子２１１へ供給し、可変抵抗部１３２はバイアス電圧Ｖｂｉａｓ２を半導体増幅素子２１２へ供給し、可変抵抗部１３３はバイアス電圧Ｖｂｉａｓ３を半導体増幅素子２１３へ供給する。例文帳に追加

Based on a bias control signal, the fixed resistor 131, the variable resistance part 132 and the variable resistance part 133 supply a bias voltage Vbias1, a bias voltage Vbias2 and a bias voltage Vbias3 to the semiconductor amplifying element 211, the semiconductor amplifying element 212, and the semiconductor amplifying element 213, respectively. - 特許庁

各バイアス電位を元となるバイアス電位から多段に接続された抵抗分圧回路及び増幅器により発生させるため、液晶駆動回路に供給する各バイアス電位のバラツキを低減させることができる。例文帳に追加

As each bias potential is generated by resistance potential- dividing circuits 1 connected in a multistage way from an original bias potential and by amplifiers 2, irregularities of each bias potential to be supplied to a liquid crystal driving circuit can be reduced. - 特許庁

増幅装置は、負荷抵抗、第１及び第２ＦＥＴが直列に接続された構造を有する増幅器と、第１ＦＥＴに第１バイアス電流を供給する第１バイアス回路と、第２ＦＥＴに第２バイアス電流を供給する第２バイアス回路とを有する。例文帳に追加

An amplifying apparatus includes the amplifier having a structure wherein a load resistance and first and second FETs are connected in series, a first bias circuit supplying a first bias current to the first FET, and a second bias circuit supplying a second bias current to the second FET. - 特許庁

入力増幅段（205）は、第１のバイアス電流によりバイアスをかけられるトランスコンダクタンス段(202)、第２のバイアス電流によりバイアスをかけられる第１のトランスインピーダンス増幅器(TIA)(204)、及び第１のTIAの入力(208)と出力(210)との間に結合された第１のフィードバック抵抗を含む。例文帳に追加

An input amplifying stage (205) includes a transconductance stage (202) biased by a first bias current, a first transimpedance amplifier (TIA) (204) biased by a second bias current, and a first feedback resistance connected between an input (208) and an output (210) of the first TIA. - 特許庁

基準電圧ＶREFは、終端抵抗器ＲTERMを介してノードＶxに接続されると共に、増幅器の−入力端にもバイアス用に接続される。例文帳に追加

A reference voltage VREF is connected to a node VX via a terminal resistor RTERM, and also to a - input terminal of the amplifier for bias. - 特許庁

本発明の粒子状物質センサは、互いに離間された第１及び第２の電極及びこれらの電極間に接続されたバイアス抵抗器を含む。例文帳に追加

A particulate matter sensor includes first and second electrodes spaced from each other with a bias resistor connected between the first and second electrodes. - 特許庁

増幅器３０が低電力出力時には、ベースバイアスをリファレンス電圧Ｖｒｅｆ端子５から抵抗Ｒ３（１２）を介して供給する。例文帳に追加

The base bias is supplied through a resistor R3 (12) from a reference voltage Vref terminal 5 when the amplifier 30 is in the low power output mode. - 特許庁

したがって、バイアス回路（１０）とそれら周辺の回路に必要な抵抗器の数を削減することができる。例文帳に追加

Thus, the number of resistors required for the bias circuit 10 and its peripheral circuits can be reduced. - 特許庁

増幅器１２の正帰還経路を、直列ダイオード・リミッタ１８と、バイアス電流源２０と、抵抗Ｒ３とで構成する。例文帳に追加

A positive feedback path of the amplifier 12 is constituted of a serial diode limiter 18, a bias current source 20 and a resistance R3. - 特許庁

ＦＥＴ６のバイアス回路１１において、第１の抵抗器１はマイクロストリップ線路５を介してＦＥＴ６のゲート端子７に接続される。例文帳に追加

In a bias circuit 11 of an FET 6, a first resistor 1 is connected through a microstrip line 5 to a gate terminal 7 of the FET 6. - 特許庁

アレイセルは抵抗器をバイアスすることなく、かつより緩やかな許容誤差内で後に基準セルを用いてプログラムされかつ読出される。例文帳に追加

The array cells are programmed and read without resistor biasing and under looser tolerances using the reference cells at a later time. - 特許庁

また、その調整時にバイアス抵抗１１ａの値を可変制御するとともに出力用増幅器１１ｂのゲインも可変制御する。例文帳に追加

During the adjustment, the value of a bias resistance 11a is varied and the gain of an amplifier 11b for output is also varied. - 特許庁

抵抗器１４は、可変電流回路１６によって生成される制御電流に応じた電圧降下を逆バイアス電圧に生じさせる。例文帳に追加

A resistor 14 generates a voltage drop according to a control current generated by a variable current circuit 16 at the reverse bias voltage. - 特許庁

切換スイッチ６６が第１及び第２のいずれの状態においても、切換スイッチ６６に、バイアス抵抗器６０、６２が電流を流す。例文帳に追加

Even in any of the first and second states of the switch 66, a current flows from bias resistors 60, 62 to the switch 66. - 特許庁

このフォトダイオードのカソードが接地され、アノードが抵抗器４６を介して接地されることによって、無バイアス状態で動作する。例文帳に追加

A cathode of the photodiode is grounded and its anode is grounded via a resistor 46, thereby operating under a non-bias state. - 特許庁

計測装置１は、素子接続部４、制限抵抗３、ＤＣバイアス源２、電流測定器５、および演算部６を備える。例文帳に追加

A measuring apparatus 1 includes: an element connection 4, a limiting resistor 3, a DC bias source 2, a current measuring instrument 5, and an arithmetic part 6. - 特許庁

バイアス発生器３４は、基準電流Ｉ_refに基づいて論理回路３２の負荷抵抗およびテール電流を制御する。例文帳に追加

A bias generator 34 controls a load resistance and the tail current of the logic circuit 32 based on the reference current I_ref. - 特許庁

また、共振器４の線路長Ｌを２等分する位置にある短絡部４Ａには、バイアス電源１１と接続する抵抗体７を設ける。例文帳に追加

Further, a short-circuit part 4A disposed at a position where the line length L of the resonator 4 is bisected is provided with a resistor 7 which is connected to a bias power source 11. - 特許庁

帰還キャパシタ２６及び２７は安定性を確立し、帰還抵抗２８及び２９は、ノイズ性能を低下させることなく増幅器にバイアスをかける。例文帳に追加

Feedback capacitors 26 and 27 establish stability, and feedback resistors 28 and 29 bias the amplifier without degrading noise performance. - 特許庁

第１の抵抗器２１の共通接続部と反対側の端子は、負のバイアス電圧Ｖggが供給されるバイアス供給端子２３と接続されており、第２の抵抗器２２の共通接続部と反対側の端子は接地端子２４と接続されている。例文帳に追加

A terminal of the 1st resistor 21 opposite to the common connecting point is connected to a bias supply terminal 23 to which a negative bias voltage Vgg is supplied and a terminal of the 2nd resistor 22 opposite to the common connecting point is connected to a ground terminal 24. - 特許庁

コルピッツ型の発振器においてトランジスタ２３のエミッタに流れる電流をスイッチ用トランジスタ４２でＯＮ／ＯＦＦすると共に、ベース電圧を供給するバイアス抵抗２９とバイアス抵抗３０を流れる電流も、スイッチ用トランジスタ４２で同時にＯＮ／ＯＦＦするようにしたものである。例文帳に追加

The switch transistor 42 turns on/off a current flowing to an emitter of a transistor 23 in a Colpitts oscillator and turns on/off a current flowing to the bias resistors 29, 30 supplying a base voltage at the same time. - 特許庁

第１の抵抗器１は、第２の抵抗器２にるバイアス調整によっても、ＦＥＴ６のゲート端子７から高周波信号の入力側を見たインピーダンスを全周波数領域で変化し難くする。例文帳に追加

Concerning the first resistor 1, an impedance seeing the input side of a high frequency signal from the gate terminal 7 of the FET 6 is hardly changed over the whole frequency region even by the bias control related to the second resistor 2. - 特許庁

バイアス電圧源４８が、過電圧保護デバイス４４の容量を通信線路電圧の変化に依存させないために絶縁抵抗器６４、６６を介して半導体過電圧保護デバイス４４にバイアス電圧を印加する。例文帳に追加

A bias voltage source 48 applies a bias voltage to the semiconductor overvoltage protection device 44 through insulation resistors 64, 66 in order to make the capacitance of the overvoltage protection device 44 independent of changes in communication line voltages. - 特許庁

また、各バイアス電位を前段の増幅器の出力より分圧抵抗により発生させることで各バイアス電圧間の電位差における変動を従来の液晶駆動用分割電圧発生回路よりも抑えることが可能になる。例文帳に追加

And, by generating each bias potential by a potential dividing resistance from an output of a preceding amplifier, fluctuation at a potential difference between each bias voltage can be suppressed better than by a conventional liquid crystal-driving divided-voltage generating circuit. - 特許庁

バイアス電源回路が、２つのカレントミラー回路の間に挿入された一対の抵抗部を有して定電流バイアス電位の他に付加バイアス電位を生成し、差動増幅器が、差動入力トランジスタ対と能動負荷トランジスタ対との間に挿入され且つ当該付加バイアス電位によってバイアスされる電圧降下用トランジスタ対を含むオペアンプ。例文帳に追加

In the operational amplifier, a bias power circuit has a pair of resistance sections inserted between two current mirror circuits to generate an additional bias potential in addition to a constant current bias potential, and a differential amplifier includes a voltage dropping transistor pair inserted between a differential input transistor pair and an active load transistor pair and biased by the additional bias potential. - 特許庁

バイアス抵抗の抵抗値を大きい値に維持して省電力化及び発振効率の向上を図りつつ、広帯域の変調信号に対応することができる電圧制御発振器及びそれを備えた無線通信装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a voltage controlled oscillator compatible with wideband modulation signals while maintaining a large resistance value of a bias resistor and attaining power saving and improving oscillation efficiency, and to provide a wireless communication apparatus with the same. - 特許庁

この時、第１の抵抗２１を十分大きな値にすることでバイアス変動に対して安定した特性を実現し、第２の抵抗２５を調整することにより電力増幅器の逆特性を実現している。例文帳に追加

In this case, the stable characteristic can be realized against bias fluctuation by selecting a sufficiently high resistance for the 1st resistor 21 and the reverse characteristic of the power amplifier can be realized by adjusting the resistance of the 2nd resistor 25. - 特許庁

駆動信号の低域成分が減少した場合、抵抗２４に流れる電流が減り、抵抗２４での電圧降下が減少した分、ＥＡ変調器１１に印加されるバイアス電圧が上昇する。例文帳に追加

When the low-frequency component of the driving signal decreases, a current flowing to the resistance 24 decreases and a bias voltage applied to an EA modulator 11 rises by a decrement in voltage drop at the resistance 24. - 特許庁

電流ミラー回路を主体とするバイアス電流供給回路２および電圧電流変換器５により、抵抗１７および抵抗１２を含む装置の安定性が確保される。例文帳に追加

The stability of the device including resistance 17 and resistance 12 is secured by the circuit 2 and the converter 5. - 特許庁

バイアス回路６において、バイアス電圧あるいはバイアス電流を可変にする方法としては、基準電圧の分圧比を変える方法、可変抵抗を用いる方法、ＤＡ変換器用いる方法、定電流回路で出力電流値を変える方法等がある。例文帳に追加

As a method making bias voltage or current variable in the bias circuit 6, there are a method for changing a voltage dividing ratio of reference voltage, a method using a variable resistor, a method using a DA converter and a method for changing an output current value by a constant current circuit. - 特許庁

トランジスタＭ１とＭ３のゲート間に所定の抵抗値をを持つ抵抗器Ｒ２を挿入し、バイアス回路１の実質的動作に影響を与えずに、端子Ｔ１に印加される基準電圧Ｖ_1 の値の変化に応じて変化する出力バイアス電圧Ｖ_OUT の値を、抵抗器Ｒ２の電圧降下の電圧値だけ低下させる。例文帳に追加

A resistor R2 with a prescribed resistance is inserted between gates of the TRs M1, M3 and the output bias voltage VOUT changed in response to a change in a reference voltage V1 applied to a terminal T1 is reduced by a voltage drop across the resistor R2 without giving effect on a substantial operation of the bias circuit 1. - 特許庁