「ワイドバンド」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ワイドバンド・スリーブアンテナ例文帳に追加

WIDEBAND SLEEVE ANTENNA - 特許庁

ウルトラワイドバンド平面アンテナ例文帳に追加

ULTRA-WIDEBAND PLANE ANTENNA - 特許庁

精密なワイドバンドギャップ半導体のエッチング例文帳に追加

PRECISE ETCHING OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体縦型ＭＯＳＦＥＴ例文帳に追加

WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR VERTICAL MOSFET - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体デバイス用ゲート駆動部例文帳に追加

GATE DRIVE FOR WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体装置およびその製造方法例文帳に追加

WIDEBAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

ワイドバンド光パケットリングネットワークシステム例文帳に追加

WIDE BAND OPTICAL PACKET RING NETWORK SYSTEM - 特許庁

ワイドバンドギャップ逆阻止ＭＯＳ型半導体装置例文帳に追加

WIDE BANDGAP REVERSE BLOCK MOS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ワイドバンドアンテナおよびそれを用いたウエア、持ち物例文帳に追加

WIDEBAND ANTENNA, AND WEAR OR PROPERTY EMPLOYING THE SAME - 特許庁

ワイドバンド半導体のオーミック接続形成方法例文帳に追加

OHMIC CONNECTION FORMING METHOD OF WIDEBAND SEMICONDUCTOR - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体装置とその製造方法例文帳に追加

WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

ワイドバンドのラムダゾンデにおけるガス組成の検知方法例文帳に追加

METHOD OF DETECTING GAS COMPOSITION IN LAMBDA SONDE OF WIDE BAND - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体縦型ＭＯＳＦＥＴとその製造方法。例文帳に追加

WIDEBAND GAP SEMICONDUCTOR VERTICAL MOSFET, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ワイドバンドギャップショットキバリアダイオードを用いたスイッチング回路例文帳に追加

SWITCHING CIRCUIT USING WIDEBAND GAP SCHOTTKY BARRIER DIODE - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体は、ｎ型３Ｃ−ＳｉＣ又はＧａＮである。例文帳に追加

The wide-band gap semiconductor is formed of n-type 3C-SiC or GaN. - 特許庁

ウルトラワイドバンド送信機及びそれを用いた送受信機例文帳に追加

ULTRA-WIDE-BAND TRANSMITTER AND TRANSMITTER RECEIVER USING THE SAME - 特許庁

マルチバンドウルトラワイドバンド通信の方法およびシステム例文帳に追加

MULTI-BAND ULTRA-WIDE BAND COMMUNICATION METHOD AND SYSTEM - 特許庁

ワイドバンド磁気共振画像取得装置及びその応用方法例文帳に追加

WIDEBAND MAGNETIC RESONANCE IMAGING APPARATUS AND APPLICATION METHOD THEREOF - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体を積層した複合基板の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING COMPOSITE SUBSTRATE HAVING LAMINATED WIDEBAND GAP SEMICONDUCTOR - 特許庁

GaNに基づいたワイドバンドギャップの窒化物は、多くの興味を引きつけ続けている。例文帳に追加

Wide band-gap nitrides, based on GaN, continue to attract much interest.  - 科学技術論文動詞集

Ｎｉを使用して基板とワイドバンドギャップ半導体とのショットキー接合を行っている。例文帳に追加

The substrate and the wide-band gap semiconductor compose a Schottky junction, using Ni. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体を用いた絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法例文帳に追加

INSULATED GATE SEMICONDUCTOR DEVICE USING WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

モータ制御装置（10）は、スイッチ素子（14）がワイドバンドギャップ半導体素子である。例文帳に追加

In the motor controller (10), the switch element (14) is a wide band gap semiconductor element. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体としては、ＳｉＣ、ＧａＮ、またはダイヤモンドを用いることができる。例文帳に追加

As the wide band gap semiconductor, SiC, GaN or diamond can be used. - 特許庁

半導体集積回路およびウルトラワイドバンド・インパルスラジオ・送信機の動作方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND OPERATING METHOD FOR ULTRA WIDEBAND-IMPULSE RADIO TRANSMITTER - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体における常時オフ集積ＪＦＥＴ電源スイッチおよび作成方法例文帳に追加

NORMALLY-OFF INTEGRATED JFET POWER SWITCHES IN WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS AND METHODS OF MAKING THE SAME - 特許庁

ウルトラワイドバンド通信による無線伝送方法及びその送信装置、受信装置例文帳に追加

RADIO TRANSMISSION METHOD BY ULTRAWIDE BAND COMMUNICATION, AND ITS TRANSMISSION DEVICE AND RECEPTION DEVICE - 特許庁

ワイドバンド幅を使用したワイヤレスネットワークのレスポンスメカニズムを提供すること。例文帳に追加

To provide a response mechanism for wireless networks using wide bandwidth. - 特許庁

ワイドバンド・ラムダセンサによって生成された信号を校正する方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for calibrating a signal generated in a wide-band lambda sensor. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体材料からなる基板へのオーミック接続形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ohmic connection forming method to a substrate consisting of a wideband gap semiconductor material. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体に存在する深いトラップ準位を室温におて評価する。例文帳に追加

To evaluate, at room temperature, the level of a deep trap existing in a wide band gap semiconductor. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体における、オーミックコンタクト抵抗を低減することを目的とする。例文帳に追加

To reduce an ohmic contact resistance in a wide band gap semiconductor. - 特許庁

常時オフＶＪＦＥＴ集積電源スイッチを含むワイドバンドギャップ半導体デバイスの提供。例文帳に追加

To provide wide bandgap semiconductor devices including normally-off VJFET integrated power switches. - 特許庁

人体近傍に設置可能なワイドバンドアンテナであると共に、入力インピーダンスが劣化せず、広帯域な特性が得られるワイドバンドアンテナを提供する。例文帳に追加

To provide a wideband antenna which can be installed near a human body and can obtain wideband characteristics without causing degradation in input impedance. - 特許庁

該島状のワイドバンドギャップ半導体層の端部がその絶縁層と接する構成となるため、半導体層の端部からワイドバンドギャップ半導体層に水分・大気成分が侵入する現象を防止できる。例文帳に追加

Because ends of the island-like wide bandgap semiconductor layer contact the insulation layer in this structure, a phenomenon of entry of moisture and atmospheric components into the wide bandgap semiconductor layer from ends of the semiconductor layer can be prevented. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体層を半導体層に用いたトランジスタにおいて、水分・大気成分を透過しにくいパッシベーション性を有する絶縁層でワイドバンドギャップ半導体層を島状に分離する構造とする。例文帳に追加

A transistor using a wide bandgap semiconductor layer as a semiconductor layer comprises a structure in which the wide bandgap semiconductor layer is split like islands by an insulation layer having a passivation property in which moisture and atmospheric components less permeate. - 特許庁

第１導電型の第１のワイドバンドギャップ半導体領域１６と、第１の半導体領域に挟まれて形成される第２導電型の第２のワイドバンドギャップ半導体領域１８とを備えている。例文帳に追加

A semiconductor rectifier device includes first wideband gap semiconductor regions 16 of a first conductivity type, and second wideband gap semiconductor regions 18 of a second conductivity type formed on a region sandwiched by the first semiconductor regions. - 特許庁

ワイドバンド受信状態生成部は、受信状態測定部から出力されたサブバンド毎の受信状態測定結果からワイドバンド受信状態情報を生成し、出力する。例文帳に追加

A wideband receiving state generating part generates wideband receiving state information from a receiving state measurement result in each subband, outputted from a reception state measuring part and outputs the wideband reception state information. - 特許庁

（三）　ウルトラワイドバンド技術を用いたものであって、使用者によってチャンネル符号又はスクランブル符号の書換えができるもの例文帳に追加

3. Telecommunication transmission equipment which uses ultra-wide bandwidth technology having a channel code or scramble code which are capable of being rewritten by the user  - 日本法令外国語訳データベースシステム

水素を含まないスパッタリングされた窒化物を有するワイドバンドギャップベースの半導体デバイスの不動態化例文帳に追加

PASSIVATION OF WIDE BAND-GAP BASED SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HYDROGEN-FREE SPUTTERED NITRIDES - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体を用い、高い歩留まりを確保しつつ、低コストで製造することができる半導体デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which is manufactured at a low cost while securing high yield by using a wide band gap semiconductor. - 特許庁

パワートランジスタ（ＱＨ、ＱＬ）はワイドバンドギャップ半導体から成り、そのボディダイオード（ＤＨ、ＤＬ）が帰還ダイオードとして利用される。例文帳に追加

The power transistors (QH, QL) are formed by a wide band gap semiconductor, and body diodes (DH, DL) are used as a feedback diode. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体材層がシリコンカーバイトの場合コンタクト層としてニッケルを使用する。例文帳に追加

When the wide band gap semiconductor layer is made of silicon carbide, nickel is used as a contact layer. - 特許庁

主スイッチング素子としてのユニポーラ素子のＭＯＳＦＥＴ（11）をワイドバンドギャップ半導体によって構成する。例文帳に追加

The MOSFET (11) of a unipolar element as a main switching element is constituted of a wide band gap semiconductor. - 特許庁

ワイドバンド、ハイシグナルカップリング効率、グリッチ低減並びに抗背景直流のレジスタンス切替増幅回路例文帳に追加

WIDE BAND, HIGH SIGNAL COUPLING EFFICIENCY, AND REGISTACNE SWITCHING AMPLIFICATION CIRCUIT FOR GLITCH REDUCTION AND ANTI-BACKGROUND DIRRECT CURRENT - 特許庁