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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 小結晶に関連した英語例文

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小結晶の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1291



例文

氷のさな結晶例文帳に追加

small crystals of ice  - 日本語WordNet

結晶炭化ケイ素基板を使って単結晶炭化ケイ素種結晶を自己成長させ、単結晶炭化ケイ素種結晶片を生成する。例文帳に追加

To generate small pieces of single crystal silicon carbide seed crystals by allowing a single crystal silicon carbide seed crystal to self-grow by using a polycrystalline silicon carbide substrate. - 特許庁

ナノオーダー微有機単結晶例文帳に追加

NANO-ORDER MICRONIZED ORGANIC SINGLE CRYSTAL - 特許庁

Au電極の結晶粒よりも結晶粒のさいAu微細結晶膜をAu電極上に形成する。例文帳に追加

An Au fine crystal film having smaller crystal grains than Au electrode crystal grains is formed on the Au electrode. - 特許庁

例文

結晶との取り付け面5の面積が、種結晶3よりもさい種結晶台座2を用いる。例文帳に追加

A seed crystal mount 2 having the area of a mount face for a seed crystal smaller than the seed crystal 3 is used. - 特許庁


例文

これにより、結晶性酸化チタン原料の結晶子サイズをさくする。例文帳に追加

Thus, the crystallite size of the crystalline titanium oxide is reduced. - 特許庁

そして、第3部分(8)に含まれる結晶粒の結晶粒径は、第1部分(6)または第2部分(7)に含まれる結晶粒の結晶粒径よりもさい。例文帳に追加

Crystal grains contained in the third portion (8) have a smaller grain size than crystal grains contained in the first portion (6) or the second portion (7). - 特許庁

本発明に係るIII族窒化物半導体基板の製造方法は、一の結晶面と一の結晶面の硬度よりさい硬度の他の結晶面とを含むIII族窒化物半導体単結晶からなるバルク結晶を準備するバルク結晶準備工程と、準備したバルク結晶の他の結晶面側から一の結晶面側に向けてバルク結晶を切断する切断工程とを備える。例文帳に追加

The group III nitride semiconductor substrate production method includes: a bulk crystal preparing step of preparing a bulk crystal formed of a group III nitride semiconductor single crystal having one crystalline plane and an other crystalline plane having hardness of the other crystalline plane being smaller than hardness of the one crystalline plane; and a cutting step of cutting the prepared bulk crystal from the other crystalline plane to the one crystalline plane of the bulk crystal. - 特許庁

結晶粒径が十分にさくて均一な結晶質半導体膜を基板上に得る。例文帳に追加

To obtain a crystal semiconductor film whose crystal particle diameter is sufficiently small and uniform on a substrate. - 特許庁

例文

結晶内の組成のばらつきのさいランガサイト系単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a langasite-based single crystal showing little variation of the composition in the crystal. - 特許庁

例文

ただし、炭素結晶結晶子径は大きくても、さくても良く、また非晶質であっても良い。例文帳に追加

However, the crystallite size of a carbon crystal may be large or small, and besides may be amorphous. - 特許庁

結晶径部凹部への支持部材挿入確認方法および単結晶引上げ装置例文帳に追加

CONFIRMATION OF INSERTION OF SUPPORTER INTO SMALL- DIAMETER DEPRESSION IN SINGLE CRYSTAL AND SINGLE CRYSTAL PULLER - 特許庁

結晶表面テクスチャ作成方法および単結晶の微摺動機構例文帳に追加

METHOD FOR FORMING TEXTURE ON SURFACE OF SINGLE CRYSTAL AND MICRO-SLIDING MECHANISM OF SINGLE CRYSTAL - 特許庁

そのため、結晶核の生成密度が増加し、結晶粒の粒径をさくする事が可能となる。例文帳に追加

Therefore, the production density of crystal nuclei in the semiconductor film is increased and the grain diameter of the crystal grains in the semiconductor film can be lessened. - 特許庁

さな結晶体で現れる一般的な鉱物例文帳に追加

a common mineral occurring in small crystals  - 日本語WordNet

モザイク性のさな炭化珪素単結晶ウエハ例文帳に追加

SMALL SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL WAFER HAVING MOSAIC PROPERTY - 特許庁

晶析方法及び晶析装置並びに微小結晶例文帳に追加

CRYSTALLIZATION METHOD, CRYSTALLIZATION APPARATUS, AND MICRO-CRYSTAL - 特許庁

突起及び突起は、酸化亜鉛針状結晶である。例文帳に追加

The projection and the small projection are zinc oxide needle-like crystal. - 特許庁

欠陥密度のさい結晶性珪素膜を形成する例文帳に追加

To form a low-defect density crystalline silicon film. - 特許庁

ミラー220はシリコン単結晶層から構成される。例文帳に追加

The micromirrors 220 comprise silicon single crystal layers. - 特許庁

形のゼオタイプ結晶の製造方法例文帳に追加

PRODUCTION OF SMALL ZEOTYPE CRYSTAL - 特許庁

極微タンパク質およびその結晶例文帳に追加

MINIATURE PROTEIN AND CRYSTAL THEREOF - 特許庁

アレイ微小結晶化を行う方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR PERFORMING ARRAY MICROCRYSTALLIZATION - 特許庁

小結晶塩の製造方法及びその装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING MICROCRYSTALLINE SALT - 特許庁

固体状態の相変態では、新しい結晶相は、母結晶中で特定の結晶学的方位をもつさな粒子として、しばしば成長する。例文帳に追加

In solid-state phase transformations, new crystalline phases frequently grow as small particles with specific crystallographic orientations within the parent crystal.  - 科学技術論文動詞集

結晶子サイズをさくした結晶性酸化チタンを得ることのできる結晶性酸化チタンの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing crystalline titanium oxide capable of obtaining the crystalline titanium oxide of which crystallite size is reduced. - 特許庁

結晶安定性が高く(結晶転移の少ない)、粒子サイズのさいチタニルフタロシアニン結晶を含む分散液の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacture method for fluid dispersion containing titanyl phthalocyanine crystal which has high crystal stability (scarcely causes crystal dislocation) and has small crystal size. - 特許庁

結晶核をゆっくり引き出す間、溶融結晶材料と溶融体から引き出された単結晶との間にさな温度勾配を設定する。例文帳に追加

A slight temperature gradient is set between a melted crystal material and a single crystal pulled up from a melted body during crystal nuclei are slowly pulled up. - 特許庁

極性反転結晶領域の大きさがさくまたその密度が低いGaN結晶の成長方法およびGaN結晶基板を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a GaN crystal small in the size of a reversed-polarity crystalline region and low in its density and to provide a GaN crystal substrate. - 特許庁

また、微ギャップ間においても、結晶に溶液を供給しながら結晶成長を行うことで、大型結晶を得ることが可能となる。例文帳に追加

Further, it becomes possible to obtain a large crystal by growing the crystal while supplying a solution to the crystal even in a small gap space. - 特許庁

蛋白質結晶サイズの結晶を含めて高い精度で検出できる蛋白質結晶検出方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method of detecting protein crystals, capable of detecting the protein crystal inclusive of a small size crystal with high accuracy. - 特許庁

結晶粒径が大きく表面粗さがさい多結晶シリコン膜を形成可能な多結晶シリコン膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a polycrystalline silicon film, with which a polycrystalline silicon film with a large crystal particle size and large surface roughness can be formed. - 特許庁

粒径が比較的大きい板状結晶であって、粒径の比較的さい結晶の混入が少ない板状結晶を安定的に得る。例文帳に追加

To provide plate-like crystals having a relatively large particle size and having little contamination of crystals of a relatively small particle size. - 特許庁

転位密度のさな結晶薄膜を製造することのできる結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal growth method by which a crystal thin film having low dislocation density can be produced, and to provide a crystal growth apparatus. - 特許庁

複数の結晶面で構成される単結晶超砥粒であって、複数の結晶面のうち(111)面と(100)面に微突起を形成し、微突起を形成した結晶面はPV値が0.1〜5μmの表面粗さとする。例文帳に追加

This single crystal superabrasive grain is constituted by a plurality of crystalline planes, minute projections are formed on 111 plane and 100 plane among a plurality of crystalline planes, respectively, and the crystalline plane forming the minute projection has surface roughness obtained by a PV value of 0.1-5 μm. - 特許庁

電子顕微鏡写真(A)に見られるように、大きな柱径の柱状結晶の間にさい柱径の柱状結晶を混在させ、大きな柱径の柱状結晶の間を柱径のさい柱状結晶が埋めたような状態とする。例文帳に追加

As shown in an electron microscope photograph (A), in this state, columnar crystals of small column diameters are mixed among columnar crystals of large column diameters, and the columnar crystals of small column diameters are filled into gaps among the columnar crystals of large column diameters. - 特許庁

450mmあるいはそれより大径の大口径シリコン単結晶結晶欠陥を、これよりさな径の口径シリコン単結晶と同等の水準で、しかも低コストかつ短時間にて推定することができる大口径シリコン単結晶結晶欠陥推定方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for estimating a crystal defect of a large-diameter silicon single crystal capable of estimating a crystal defect of a large-diameter silicon single crystal having a diameter of 450 mm or more at a level equivalent to a small-diameter silicon single crystal having a diameter smaller than this at a low cost and in a short time. - 特許庁

このため、このトランジスタDTFTを構成する多結晶シリコン10の結晶粒の粒径は、トランジスタTFTを構成する多結晶シリコン15の結晶粒の粒径よりもさく設定される。例文帳に追加

Consequently, particle sizes of crystal grains in polycrystalline silicon 10 constituting the transistor DTFT are set smaller than those of polycrystalline silicon 15 constituting the transistor TFT. - 特許庁

金属元素を用いる熱結晶化法によって得られる結晶質半導体膜の結晶粒の粒径をさくすることで、デバイスの活性領域における結晶粒の数を一様にする。例文帳に追加

To make uniform the numbers of crystal grains in the active region in a semiconductor device by lessening the grain diameter of crystal grains in a crystalline semiconductor film obtained by a thermal crystallizing method using a metallic element. - 特許庁

結晶引上げ時の熱履歴を制御し、単結晶中の微欠陥を有効に制御することによって、品質の安定した単結晶を製造する単結晶引上げ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for pulling up a single crystal to produce a single crystal with stable quality, by controlling thermal history in pulling the single crystal so as to effectively control minute defects in the single crystal. - 特許庁

P型低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥を、低コストで基板表面の面あれをさくして高精度で迅速に評価することができるシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal defect evaluating method of a silicon single crystal substrate for quickly evaluating a crystal defect of the p-type low resistance silicon single crystal substrate at a low cost with higher accuracy, by reducting roughness at the front surface of the substrate. - 特許庁

結晶基板上に材質の異なる単結晶薄膜を成長させる場合に転位密度のさな高品質の単結晶薄膜を容易に形成することができる単結晶薄膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a single crystal thin film in which a high quality single crystal thin film having a small dislocation density can readily be produced when growing a single crystal thin film having different quality of material on a single crystal substrate. - 特許庁

CZ法により原料融液から単結晶を成長させる際、インゴットの尾部の凸形状をさくすることができる単結晶引き上げ装置、単結晶引き上げ方法及び製造された単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal pulling apparatus capable of making the convex shape of a tail part of ingot small, when a single crystal is grown up from a raw material melt by the CZ method, a method for pulling a single crystal and a produced single crystal. - 特許庁

ITO膜を、各結晶結晶面が膜の厚さ方向に配向した内部層と、各結晶が膜の厚さ方向に配向した結晶面を持たず、かつ層の厚さがさい表面層とで構成する。例文帳に追加

This ITO film comprises (A) an internal layer where crystal face of each crystal is oriented in the film thickness direction and (B) a surface layer where each crystal has not crystal face oriented in the film thickness direction and layer thickness is small. - 特許庁

第2チャネル領域(C2)のチャネル長は第1チャネル領域(C1)のチャネル長よりも短く、第2多結晶領域(P2)の平均結晶粒径は第1多結晶領域(P1)の平均結晶粒径よりもさい。例文帳に追加

A second channel region (C2) has a channel length shorter than the channel length of a first channel region (C1), and the second polycrystalline region (P2) has an average crystal grain size smaller than the average crystal grain size of the first polycrystalline region (P1). - 特許庁

結晶15を保持部材17によって保持した後、引き下げ軸に対する保持部材の角度を傾斜させることによって、種結晶15の結晶育成のために選ばれた結晶方位の引き下げ軸に対する角度を縮させる。例文帳に追加

After the holding member holds the seed crystal 15, an angle of the holding member to the pull down shaft is tilted, so as to reduce the angle between an azimuth selected for bringing up the seed crystal 15 and pull down shaft. - 特許庁

シリコン微結晶4の結晶粒径(サイズ)は3〜10nmの範囲で分布しており、絶縁膜3の膜厚は、シリコン微結晶4の結晶粒径よりもさくしてある。例文帳に追加

The crystal particle diameters (size) of the silicon fine crystals 4 are distributed in the range of 3-10 nm and the film thickness of the insulating film 3 is specified to be thinner than the crystal particle diameters of the silicon fine crystals 4. - 特許庁

金属基板1の表面における結晶方位のずれが5度以内であるため、n型多結晶Si薄膜3及びp型多結晶Si薄膜4の結晶方位のずれも極めてさくなる。例文帳に追加

Since deviation of crystal orientation in the surface of the metal substrate 1 is within 5 degrees, deviation of crystal orientation of the n-type polycrystalline Si thin film 3 and the p-type polycrystalline Si thin film 4 is also extremely small. - 特許庁

製造方法は、耐火性容器内に、針状結晶を析出する複数の結晶性ガラス体を収容し、熱処理して互いに融着させ、針状結晶を析出させて結晶化ガラス物品10を製造する。例文帳に追加

The manufacturing method comprises housing a plurality of crystallizable glass small pieces, which deposit acicular crystals, within a refractory container; fusing them with each other by a heat treatment; and depositing acicular crystals so as to manufacture a crystallized glass article 10. - 特許庁

例文

従来のLPS膜よりも平均結晶粒径が大きく、且つ、従来の固相結晶化膜(例えば、CGSシリコン膜)よりも平均結晶粒径がさい結晶質半導体膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a crystalline semiconductor film which has a mean particle diameter larger than that of a conventional LPS film and smaller than that of a conventional solid-phase crystallized film (for example, a CGS silicon film). - 特許庁

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