「準結晶」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

カーボンナノチューブの精製、整列、及び準結晶化例文帳に追加

PURIFICATION, ALIGNMENT, AND QUASI-CRYSTALLIZATION OF CARBON NANOTUBE - 特許庁

準結晶粒子分散合金積層材の製造方法、準結晶粒子分散合金バルク材の製造方法、準結晶粒子分散合金積層材および準結晶粒子分散合金バルク材例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING ALLOY LAMINATE MATERIAL CONTAINING DISPERSED QUASICRYSTAL GRAINS, METHOD FOR PRODUCING ALLOY BULK MATERIAL CONTAINING DISPERSED QUASICRYSTAL GRAINS, ALLOY LAMINATE MATERIAL CONTAINING DISPERSED QUASICRYSTAL GRAINS, AND ALLOY BULK MATERIAL CONTAINING DISPERSED QUASICRYSTAL GRAINS - 特許庁

シリコン結晶を、結晶内欠陥反応が準熱平衡状態に達するまで加熱する。例文帳に追加

The method for evaluating the silicon crystal comprises the step of heating the crystal until a defect reaction in the crystal arrives at a metal-thermal equilibrium state. - 特許庁

また、種結晶として、上記のＡｌＮ結晶の成長方法により得られたＡｌＮ結晶２の少なくとも一部である第２のＡｌＮ種結晶１を準備し、この第２のＡｌＮ種結晶１を用いて昇華法によりＡｌＮ結晶２を成長させるＡｌＮ結晶の成長方法。例文帳に追加

In an alternative method for growing the AlN crystal, the AlN crystal 2 is grown through the sublimation method by using a second AlN seed crystal 1 as a seed crystal, wherein the second AlN seed crystal 1 is at least a portion of the AlN crystal 2 obtained through the method for growing the AlN crystal. - 特許庁

基準圧力よりも低い圧力下で窒化ガリウム結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for growing a gallium nitride crystal under a pressure lower than a standard pressure. - 特許庁

次いで、前記優先面を成長面に有する単結晶を準備し、前記単結晶を第２の種結晶として結晶成長を行い、バルク単結晶を得る。例文帳に追加

Then, a single crystal having the preferential face as a growth face is prepared and used as a second seed crystal for crystal growth to obtain the bulk single crystal. - 特許庁

結晶形または結晶化度の異なる二種以上の結晶を、それぞれ独立に粉砕処理し、それぞれの粉砕結晶を、それぞれ所定量ずつ秤量し、混合処理を行い、結晶形の含有割合または結晶化度の異なる複数の標準混合粉末を得る。例文帳に追加

Two or more kinds of crystals of various crystalline shapes or degrees of crystallization are independently powdered, and the powdered crystal is measured by specific quantity and mixed to prepare a plurality of kinds of standard mixed powder different from each other in contents of crystalline shapes and degrees of crystallization. - 特許庁

第一の半導体結晶基板を準備し、この第一の半導体結晶基板を接着によりサセプタ上に固定し、この第一の半導体結晶基板上にIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶を成長する。例文帳に追加

A first semiconductor crystal substrate is prepared, then the first semiconductor crystal substrate is fixed on a susceptor by bonding, and a group III-V nitride-based semiconductor crystal is grown on the first semiconductor crystal substrate. - 特許庁

多結晶体の結晶粒の特定の結晶面Ａが配向する結晶配向セラミックスの製造方法であり、準備工程と混合工程と成形工程と焼成工程とを行う。例文帳に追加

Disclosed is a method of manufacturing a crystal oriented ceramic where specified crystal planes A in the crystal grain of a polycrystal body are oriented, and comprises: a preparing step; a mixing step; a shaping step; and a firing step. - 特許庁

多結晶体の結晶粒の特定の結晶面Ａが配向する結晶配向セラミックスの製造方法であり、準備工程と混合工程と成形工程と評価工程と焼成工程とを行う。例文帳に追加

Disclosed is a method of manufacturing a crystal oriented ceramic where specified crystal planes A in the crystal grains of a polycrystal body are oriented, and comprises: a preparing step; a mixing step; a shaping step; an evaluating step; and a firing step. - 特許庁

多くの場合、アルミニウムと2つの遷移金属が準結晶を構成する。例文帳に追加

In many cases, aluminum and two transition metals constitute a quasicrystal.  - 科学技術論文動詞集

HAADF-STEMは、準結晶の原子的な構造を視覚化するのを助ける。例文帳に追加

HAADF-STEM helps to visualize the atomic structures of quasicrystals.  - 科学技術論文動詞集

熱間成形性の優れた準結晶相強化マグネシウム系合金例文帳に追加

QUASICRYSTAL-PHASE-STRENGTHENED MAGNESIUM ALLOY WITH EXCELLENT HOT PROCESSABILITY - 特許庁

窒素濃度の異なる複数のシリコン結晶を準備する。例文帳に追加

A plurality of silicon crystals having different nitrogen concentrations are prepared. - 特許庁

シリコン単結晶中の浅い準位の測定方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING SHALLOW LEVEL IN SILICON SINGLE CRYSTAL - 特許庁

第１の半導体材料からなる単結晶の仮の基板を準備する。例文帳に追加

A temporary substrate of single crystal which is composed of first semiconductor material is prepared. - 特許庁

難水溶性化合物の準安定形結晶の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING METASTABLE FORM CRYSTAL OF HARDLY WATER-SOLUBLE COMPOUND - 特許庁

準結晶粒子分散アルミニウム合金およびその製造方法例文帳に追加

QUASI-CRYSTAL-PARTICLE-DISPERSED ALUMINUM ALLOY AND PRODUCTION METHOD THEREFOR - 特許庁

４５０ｍｍあるいはそれより大径の大口径シリコン単結晶の結晶欠陥を、これより小さな径の小口径シリコン単結晶と同等の水準で、しかも低コストかつ短時間にて推定することができる大口径シリコン単結晶の結晶欠陥推定方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for estimating a crystal defect of a large-diameter silicon single crystal capable of estimating a crystal defect of a large-diameter silicon single crystal having a diameter of 450 mm or more at a level equivalent to a small-diameter silicon single crystal having a diameter smaller than this at a low cost and in a short time. - 特許庁

磁気ヘッドスライダ用焼結体は、アルミナ結晶粒、炭化チタン結晶粒、及び炭素結晶粒を含む焼結体であり、焼結体断面中の炭素結晶粒の個数基準の粒径分布において、粒径が１００ｎｍ超の炭素結晶粒の割合が３５％以下である。例文帳に追加

The sintered compact for the magnetic head slider comprises alumina crystal grains, titanium carbide crystal grains and carbon crystal grains, wherein the ratio of carbon crystal grains having a particle diameter exceeding 100 nm is ≤35% in the particle diameter distribution of the carbon crystal grains basing on the number as a reference on the sintered compact cross section. - 特許庁

ダイヤモンド単結晶の製造方法は、厚みが１００μｍ以下の板状種結晶としてのダイヤモンド単結晶基板１０１を準備する工程と、ダイヤモンド単結晶基板１０１上にダイヤモンド単結晶１０２を気相合成法により形成する工程とを備える。例文帳に追加

A method of manufacturing a diamond single crystal comprises a process of preparing a diamond single crystal substrate 101 as a platy seed crystal having a thickness of not greater than 100 μm, and a process of forming a diamond single crystal 102 on the diamond single crystal substrate 101 by a vapor phase synthesis method. - 特許庁

ダイヤモンド単結晶の製造方法は、厚みが１００μｍ以下の板状種結晶としてのダイヤモンド単結晶基板１０１を準備する工程と、ダイヤモンド単結晶基板１０１上にダイヤモンド単結晶１０２を気相合成法により形成する工程とを備える。例文帳に追加

A method for producing the diamond single crystal includes a step for providing a diamond single crystal substrate 101 as a plate-like seed crystal having a thickness of ≤100 μm and a step for forming the diamond single crystal 102 on the diamond single crystal substrate 101 by a vapor phase synthetic method. - 特許庁

本発明に係る準結晶粒子分散合金積層材１の製造方法は、積層装置１００によって基材２上に、マトリクス中に準結晶粒子を分散させた準結晶粒子分散合金を前記準結晶粒子の分解温度以下の温度で積層させることにより、準結晶粒子分散合金積層材１を製造することを特徴とする。例文帳に追加

The method for producing an alloy laminate material containing dispersed quasicrystal grains 1 is characterized in that alloys containing dispersed quasicrystal grains each obtained by dispersing quasicrystal grains into a matrix are laminated on a base material 2 at the decomposition temperature of the quasicrystal grains or below by a laminating apparatus 100, so as to produce the alloy laminate material containing dispersed quasicrystal grains 1. - 特許庁

ＧａＮ種結晶基板１０上にＧａＮ結晶２０を成長させる方法であって、ＧａＮ種結晶基板１０の熱膨張係数がＧａＮ結晶２０に比べて大きくなるような第１のドーパントを含むＧａＮ種結晶基板１０を準備する工程と、ＧａＮ種結晶基板１０上に厚さ１ｍｍ以上のＧａＮ結晶２０を成長させる工程を含む。例文帳に追加

The growth method is to grow a GaN crystal 20 on a GaN seed crystal substrate 10 and involves a step to prepare a GaN seed crystal substrate 10 containing a first dopant which makes the coefficient of thermal expansion of the GaN seed crystal substrate 10 greater than that of the GaN crystal 20 and a step to grow a ≥1 mm thick GaN crystal 20 on the GaN seed crystal substrate 10. - 特許庁

絶縁層上に形成された単結晶半導体層の界面における界面準位または結晶欠陥を低減させる。例文帳に追加

To reduce interface level or crystal defect in interface of a single crystal semiconductor layer formed on insulator. - 特許庁

このＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、平均結晶粒径を１２μｍ以下、結晶粒径の標準偏差を４．５μｍ以下とすることができる。例文帳に追加

The Ni-Cu-Zn based ferrite material can have ≤12 μm average crystal particle diameter and ≤4.5μm standard deviation of crystal particle diameter. - 特許庁

シリコン単結晶基板５１、シリコン酸化層５３、シリコン単結晶層５５が積層されたＳＯＩ基板を準備する。例文帳に追加

An SOI substrate wherein a silicon single crystalline substrate 51, a silicon oxide layer 53 and a silicon single crystalline layer 55 are laminated is prepared. - 特許庁

この素材は、平均結晶粒径が5μm以上20μm以下、平均結晶粒径の標準偏差が5.0μm以下である。例文帳に追加

In the stock, the average crystal grain sizes are 5 to 20 μm, and the standard deviation in the average crystal grain sizes is ≤5.0 μm. - 特許庁

加熱溶融成形の際、準安定な結晶系から最安定な結晶系への転移速度が速い高分子組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a polymer composition which quickly transforms from a metastable crystal system to the most stable crystal system in the heat melting molding. - 特許庁

鋳塊内の結晶粒を微細化し、かつ結晶粒径の標準偏差を小さくしたアルミニウム合金鋳塊を得る。例文帳に追加

To obtain an aluminum alloy ingot in which the crystal grains therein are refined, and also, the standard deviation of the crystal grains is reduced. - 特許庁

結晶多形を有する有機化合物の準安定型結晶から安定型結晶を製造する方法及びその方法によって製造される安定型結晶、特に、エチル＝（Ｒ）−２−［４−（６−クロロ−２−キノキザリルオキシ）フェノキシ］プロピオン酸の高融点型結晶を製造する方法及びその方法によって製造される安定型結晶に関する。例文帳に追加

To provide a method for producing a stabilized crystal of a crystal polymorphic organic compound from its metastable crystal and obtain the stabilized crystal produced by the method, especially provide the method for producing high melting point type crystal of ethyl=(R)-2-[4-(6-chloro-2-quinoxalyloxy) phenoxy] propionate and the stabilized crystal produced by the same method. - 特許庁

現在の小型非結晶合金バルク(金属ガラスバルク或いはナノ結晶合金や準結晶合金バルク)を脱して大きいサイズのバルクを作製できるようにすることである。例文帳に追加

To manufacture a large size bulk exceeding the current small size amorphous alloy bulk (a metallic glass bulk or a nanocrystalline alloy or a quasicrystalline alloy bulk). - 特許庁

そして、この相対角度（φ−ψ）だけ単結晶インゴット１を回転することにより、該単結晶インゴット１の結晶格子面を研削基準位置ａに位置決めする。例文帳に追加

Then the crystal lattice plane of a single crystal ingot 1 is positioned in the grinding reference position a by revolving the single ingot 1 up to the intersection angle (ϕ-ψ). - 特許庁

その主成分の結晶系は、本来室温において安定な結晶系とは異なり、本来室温より高い温度域で安定な結晶系が室温において準安定状態となっているものである。例文帳に追加

The crystal system of the main component is different from a crystal system originally stable in room temperature and originally stable in a temperature range higher than room temperature, and becomes a metastable state in room temperature. - 特許庁

次に、結晶化熱処理によって、結晶粒径の平均が５ｎｍ以上４０ｎｍ以下、標準偏差σが２．５ｎｍ以下の均質微細組織を有する微細結晶型鉄基合金磁石を作製する。例文帳に追加

Subsequently, a fine crystal type iron-base alloy magnet having a homogenous microstructure with an average crystal grain size between 5 nm and 40 nm inclusive and a standard deriation σ of 2.5 nm or lower is manufactured by a thermal crystallization treatment. - 特許庁

マスク層と周囲のＧａＮ系結晶層との識別を容易にし、ＧａＮ系結晶層を成長させた後の種々の加工の好ましい基準となりえるマスク層を有するＧａＮ系結晶成長用基板を提供すること。例文帳に追加

To provide the substrate which enables easy discrimination between a mask layer and a GaN-based crystal layer formed on the periphery of the mask layer and has the mask layer capable of becoming an appropriate reference for various kinds of fabrication after growing the GaN-based crystal layer. - 特許庁

準備工程、混合工程、成形工程、及び焼成工程を行うことにより、等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、その結晶粒の特定の結晶面Ａが配向する結晶配向セラミックスを製造する方法である。例文帳に追加

The method is for producing a crystal-oriented ceramic composed of a polycrystal comprising an isotropic perovskite-type compound as a main phase, wherein a specific crystal face A of its crystal grains is oriented, by performing the steps of preparation, mixing, molding, and burning. - 特許庁

｛１００｝結晶面あるいは｛１１１｝結晶面を表面とする珪素単結晶基板上に形成した、基板表面を水平の基準として、傾斜角度を２０度（°）以下とする｛１１０｝結晶層からなる｛１１０｝−含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を用いて化合物半導体素子を作製する。例文帳に追加

The compound semiconductor element is manufactured by using the boron-containing {110} IIIV compound semiconductor layer composed of a {110} crystal layer formed on single-crystal silicon substrate having a surface composed of a {100} or {111} crystal plane and inclined at ≤20° by making the surface of the substrate a horizontal reference. - 特許庁

結晶製造方法は、坩堝１０１内壁１０１ａと原料１７との間に緩衝層１１０を配置した結晶製造装置を準備する工程と、結晶製造装置内で結晶を成長する工程とを備えている。例文帳に追加

The method for manufacturing the crystal is equipped with a process for preparing an apparatus for manufacturing a crystal in which a buffer layer 110 is arranged between an inner wall 101a of a crucible 101 and a raw material 17 and a process for growing a crystal in the apparatus for manufacturing a crystal. - 特許庁

β相の最大結晶粒径：１５μｍ以下、α相の面積率：８０〜９７％、α相の平均結晶粒径：２０μｍ以下であって、且つ、α相の結晶粒径の標準偏差÷α相の平均結晶粒径×１００が、３０％以下である。例文帳に追加

The maximum grain size of β phases is 15 μm or less, an area rate of α phases is 80-97%, an average grain size of the α phases is 20 μm or less and the value of standard deviation of grain sizes of α phases÷average grain size of α phases×100 is 30% or less. - 特許庁

更に、再結晶の生じる完全なまし焼鈍を施して、平均結晶粒径の５倍を超える粗大粒の存在量が10mm幅あたり10個以下である金属組織とするか、結晶粒径の標準偏差が平均結晶粒径の70％以下である金属組織とする。例文帳に追加

Further, full annealing by which recrystallization occurs is performed to form a metallic structure in which the existence of coarse grains with a grain size >5 times the average grain size is ≤10 pieces per width of 10 mm or a metallic structure in which the standard deviation of the grain sizes is ≤70% of the average grain size. - 特許庁

本発明の結晶質半導体膜は複数の結晶粒を含んでおり、この複数の結晶粒のうち、＜００１＞方位が膜面内に規定される所定の方向から±１０°以内にある結晶粒が、面積基準で全体の７０％以上を占めている。例文帳に追加

The crystalline semiconductor film contains a plurality of crystal grains, and crystal grains of which the <001> azimuth is ≤ ±10° from a prescribed direction regulated in a film surface out of the plurality of crystal grains occupy ≥ 70% of the whole crystal grains as an area. - 特許庁

HAADF-STEMは、われわれに十角形相の準結晶のより良いモデルを構築することを可能にする。例文帳に追加

HAADF-STEM enables us to construct better models of decagonal quasicrystals.  - 科学技術論文動詞集

HAADFが準結晶に効果的に応用できることは、幅広く受け入れられている。例文帳に追加

It is widely accepted that the HAADF method can be effectively applied to quasicrystals.  - 科学技術論文動詞集

準結晶Ａｌ合金粒子を担体とする化合物触媒超微粒子とその製造法例文帳に追加

ULTRAFINE PARTICLE OF COMPOUND CATALYST COMPRISING QUASICRYSTAL ALUMINUM ALLOY PARTICLE AS CARRIER, AND PRODUCTION THEREOF - 特許庁