「C bias」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The system is equipped with: a bias application roller 22Y that controls the solid content concentration in a liquid developer on a developing roller 20Y; and a control means C that controls the number of revolutions and the bias value of the bias application roller 22Y.例文帳に追加

現像ローラ２０Ｙ上の液体現像剤中の固形分濃度を調整するバイアス印可ローラ２２Ｙと、バイアス印可ローラ２２Ｙの回転数及びバイアス値を制御する制御手段Ｃとを有することを特徴とする。 - 特許庁

Further, an upper layer ta-c film 1 is formed on the lower layer ta-C film 2 by the FCVA method with high bias voltage.例文帳に追加

さらに、下層ｔａ−Ｃ膜２上に高バイアス電圧でのＦＣＶＡ法により上層のｔａ−Ｃ膜１を形成するようにする。 - 特許庁

While changing and setting a DC development bias Vavg to be supplied to a development roller to biases Vavg_-B and Vavg_-C, the patch image of a density lower than a high density side target density D(op) is formed under each bias.例文帳に追加

現像ローラに与える直流現像バイアスＶavgをバイアスＶavg_B，Ｖavg_Cに変更設定しながら、各バイアス下で高濃度側目標濃度Ｄ(op)よりも低濃度のパッチ画像を形成する。 - 特許庁

Namely, feedback control of the bias voltage is performed so as to acquire the equation: n_i-1/n_i=1, and the whole absorption peak P_B of a waveform 80 is maintained between the channels c_i-1 and c_i.例文帳に追加

つまり、n_i-1／n_i＝１となるようにバイアス電圧がフィードバック制御され、波形８０の全吸収ピークＰ_Bがチャンネルc_i-1とc_iの間に維持される。 - 特許庁

To provide a bias circuit of a Doherty amplifier which facilitates the setting of class C bias of a peak amplifier, and improves productivity of the Doherty amplifier.例文帳に追加

ピーク増幅器のＣ級バイアスの設定を容易にするとともにドハティ増幅器の生産性を向上させるドハティ増幅器のバイアス回路を提供する。 - 特許庁

The first bias voltage Vg1 of the amplifier Q1 is set to be higher than the second bias voltage Vg2 of the amplifier Q2 so that the amplifier Q1 is operational between Class B and AB, and Q2 is operational in Class C.例文帳に追加

Ｑ１がＢ級からＡＢ級までのいずれかの級で動作しＱ２が未満のＣ級で動作するように、Ｑ１の第１バイアス電圧Ｖｇ１は、Ｑ２の第２バイアス電圧Ｖｇ２よりも高い。 - 特許庁

Bias voltage of Y, M and C primary transfer rollers 45 (Y, M and C) is controlled so that the waste toner on the intermediate transfer belt 50 may not adhere to the Y, M and C image carriers.例文帳に追加

Ｙ、Ｍ、Ｃの像担持体には中間転写ベルト５０の廃棄トナーが付着しないように、Ｙ、Ｍ、Ｃの１次転写ローラ４５（Ｙ、Ｍ、Ｃ）のバイアス電圧を制御する。 - 特許庁

In such a case, bias voltage of Y, M and C primary transfer rollers 45 (Y, M and C) is controlled so that the waste toner on the intermediate transfer belt 50 may not adhere to the Y, M and C image carriers.例文帳に追加

この際に、Ｙ、Ｍ、Ｃの像担持体には中間転写ベルト５０の廃棄トナーが付着しないように、Ｙ、Ｍ、Ｃの１次転写ローラ４５（Ｙ、Ｍ、Ｃ）のバイアス電圧を制御する。 - 特許庁

A negative bias voltage Vm is outputted from a capacitor C according to an AC voltage induced in a tertiary winding T3 of a transformer T.例文帳に追加

トランスＴの三次側巻線Ｔ３に誘起された交流電圧に基づいてコンデンサＣからマイナスバイアス用電圧Ｖｍが出力される。 - 特許庁

A second power amplifier 20 branches one portion of the input signal as input, is subjected to bias setting to class C operation, and amplifies the input signal.例文帳に追加

第２の電力増幅器２０は、入力信号の一部を分岐して入力とし、Ｃ級動作にバイアス設定され、入力信号を増幅する。 - 特許庁

The gain variable circuit is constituted of: a differential amplifier circuit section A; a bias circuit section B; and a control circuit section C.例文帳に追加

利得可変回路は、差動増幅回路部Ａと、バイアス回路部Ｂと、コントロール回路部Ｃと、で構成されている。 - 特許庁

The development bias voltage which is variably controlled according to each color (Y, M, C, K) is applied from an output terminal 56 to the developing sleeve in each color.例文帳に追加

各色別（Ｙ，Ｍ，Ｃ，Ｋ）で可変に制御された現像バイアス電圧は、出力端５６から各色別の現像スリーブに印加される。 - 特許庁

A Zener diode is subjected to zapping by applying a constant current of reverse bias to it and then thermally treated at a temperature of 200 to 300°C.例文帳に追加

ツェナーダイオードに逆バイアスの一定電流を与えてザップを行い、その後、２００〜３００℃の加熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a laminated ceramic capacitor 1 wherein the improvement of its bias characteristic obtained at 85 °C can be expected even when thinning its interlayer dielectric layers 2.例文帳に追加

層間誘電体層２を薄層化した場合でも、８５℃でのバイアス特性の向上が期待できる積層セラミックコンデンサ１を提供すること。 - 特許庁

The impedance of the bias line 20 seen from a connection point C is made relatively larger than that in the conventional configuration by preparing the matching unit 11.例文帳に追加

従来の構成に比べ、整合部１１を設けることで、接続点Ｃから見たバイアス線路２０のインピーダンスが相対的に高くなる。 - 特許庁

The width of the belt 8 is set to two or more times the specified bias amount so that the belt 8 always runs straddling a position C* of a pivot within the width without exceeding the position C* on the periphery of the pulley main body 60 by the whole width of the belt 8 owing to the spontaneous bias.例文帳に追加

その自然発生的な片寄りによってベルト８の幅全体がプーリ本体６０の外周上で枢軸の位置Ｃ＊を越えることがなく、ベルト８が常にその幅内に枢軸の位置Ｃ＊を跨いで走行するように、ベルト８の幅を上記特定した片寄り量の２倍以上に設定する。 - 特許庁

Transferability of M, C, and Bk colors are thereby prevented from being deteriorated on and after the prescribed number of sheets even when continuous printing is made by lowering the transfer bias on the second transfer and after than the first transfer bias, (M, C, and Bk colors) for reducing reversely transferring toner.例文帳に追加

これにより、逆転写するトナーを少なくするために２番目以降（Ｍ、Ｃ，Ｂｋ色）の転写バイアスを最初の転写バイアスよりも低くして、連続プリントを行っても、Ｍ、Ｃ，Ｂｋ色の転写性が所定枚数以降から低下するのを抑制することができる。 - 特許庁

With the arrangement of an active circuit 1, not only is a conductance G_m changed by controlling a bias current I_c flowing an amplifier 10, but also an electrostatic capacity is changed by switching capacitors C1, C2, whereby cut-off frequency F_c is varied.例文帳に追加

本発明に係るアクティブフィルタ回路１においては、増幅器１０に流れるバイアス電流Ｉ_cを制御してコンダクタンスＧ_mを変化させるだけでなく、コンデンサＣ１、Ｃ２を切り替えて静電容量を変化させることにより、カットオフ周波数Ｆ_cを可変する構成としている。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic semiconductor exchange coupling film which can be comparatively easily realized by applying a bias magnetic field originating from a bias layer onto a ferromagnetic semiconductor layer, so as to maintain a magnetic moment in the ferromagnetic semiconductor layer up to 0°C or above.例文帳に追加

０℃以上まで強磁性半導体層中の磁気モーメントを維持するために、バイアス層からのバイアス磁界を強磁性半導体層に印加させることで、比較的容易に実現可能な強磁性半導体交換結合膜を提供する。 - 特許庁

At this time, the development of the gradation patch is performed by the same developing bias as the image forming time, while the development of the density patch is performed by the developing bias whose voltage amplitude of the AC component is contracted, in order to raise the estimated detecting accuracy of T/(T+C) ratio of the developer by the density patch detection.例文帳に追加

その際、階調パッチの現像を画像形成時と同一の現像バイアスによって行うのに対し、濃度パッチの現像は、濃度パッチの検知による現像剤のＴ／（Ｔ＋Ｃ）比の予測検知の精度を高めるために、現像バイアスの交流成分の電圧振幅を小さくして行う。 - 特許庁

The drive control circuit DCD is constituted so that the second amplifier C is turned on by current of the G-class amplifier G with the amplitude of an input signal which is larger than the amplitude of the input signal to be internally switched from the bias voltage of the first pair to the bias voltage of the second pair.例文帳に追加

駆動制御回路（ＤＣＤ）は、Ｇ級増幅器の電流が第１の対のバイアス電圧から第２の対のバイアス電圧に内部的に切り換わる入力信号振幅よりも大きい入力信号の振幅で、前記第２の増幅器（Ｃ）をオンにするように構成されている。 - 特許庁

An RF(radio frequency) bias is applied from a bias power source 38 to the wafer 29 through a support base 37 and the jig 36 and cooled to '-10°C' or below by using a refrigerant by a low temperature circulator 39.例文帳に追加

ウエハ２９には支持台３７及び治具３６をを介して一方ではバイアス電源３８からＲＦ（高周波）バイアスが印加されると共に他方では低温サーキュレータ３９により冷媒を用いて「−１０℃」以下の冷却が行われる。 - 特許庁

As the reverse bias voltage is applied to the organic EL element 112R or the like by coupling through a sustaining capacitance C_s, a high reverse bias voltage can be easily applied to the organic EL element 112R or the like compared to a process of applying a reverse bias to the organic EL element 112R or the like through a transistor T_Dr.例文帳に追加

このとき、有機ＥＬ素子１１２Ｒ等への逆バイアス電圧の印加は保持容量Ｃ_ｓを介したカップリングによって行われるので、トランジスタＴ_Ｄｒを介して有機ＥＬ素子１１２Ｒ等に逆バイアスを印加した場合よりも、有機ＥＬ素子１１２Ｒ等に対して大きな逆バイアス電圧を容易に印加することができる。 - 特許庁

When the temperature Tc at which the power amplifier is usually used is 25°C for example, and if the drain bias current Id at which the linearity property of the gain (Gain) of the amplifier becomes the highest at Tc= 25°C is set to 10 mA, the linearity deteriorates sharply if the temperature Tc changes to -20°C.例文帳に追加

例えば、通常使用する温度がＴｃ＝２５℃である場合、その時に利得Gainの線形特性が最も高いドレインバイアス電流をＩｄ＝１０ｍＡに設定すると、温度がＴｃ＝—２０℃に変化すると当該線形性が大幅に劣化してしまう。 - 特許庁

A distortion compensation section 10 is provided with a field effect transistor FET, a coil L electrically connected to a gate of the field effect transistor FET, a power supply Ec that provides a control voltage, bias resistors R1, R2 connected respectively electrically to a drain and a source of the field effect transistor FET, and a power supply Edd supplying a bias voltage.例文帳に追加

歪補償部１０は、電界効果トランジスタＦＥＴと、この電界効果トランジスタＦＥＴのゲートに電気的に接続されるコイルＬと、コントロール電圧Ｖ_cを供給する電源Ｅ_cと、電界効果トランジスタのドレイン及びソースにそれぞれ電気的に接続されるバイアス抵抗Ｒ_1，Ｒ_2と、バイアス電圧Ｖ_ddを供給する電源Ｅ_ddとを備える。 - 特許庁

Moreover, an exchange bias magnetic field Hua is made to be more enhanced by forming a capping film C which is made from titanium(Ti) on the antiferromagnetic film 17a5 of the fixed layer P and by making the thickness of the film C to be 1.8 nm to 3.5 nm.例文帳に追加

また、前記固着層Ｐの反強磁性膜１７ａ５の上に、チタン（Ｔｉ）からなるキャッピング膜Ｃを形成するとともに同キャッピング膜Ｃの厚さを１．８ｎｍから３．５ｎｍとすることにより、交換バイアス磁界Ｈｕａを一層向上した。 - 特許庁

The stand comprises a support part 20 to support a wire rod in coil C, a holding roll 22, installed to the support part 20, to hold the periphery of the wire rod in coil and a biasing apparatus 23 to bias the holding roll 22 toward the periphery of the wire rod in coil C.例文帳に追加

線材コイルＣを支持する支持部２０と、この支持部２０に設けられるとともに線材コイルＣの外周部を押さえる押さえロール２２と、この押さえロール２２を線材コイルＣの外周部に向けて付勢する付勢機構２３とを備える。 - 特許庁

The depositing treatment is performed by ion plating conditioned under the existence of nitrogen and/or methane, at a bias voltage of 50 V or lower and at a treatment temperature of 300°C or lower during coating.例文帳に追加

蒸着処理を、窒素及び／又はメタンの存在下、バイアス電圧５０Ｖ以下、且つ成膜時の処理温度３００℃以下の条件によるイオンプレーティング法で行う。 - 特許庁

The bias layer comprises cobalt(Co), and is formed on various base material layer comprising such crystal structure as promoting in-plane conformity of C-axis of the Co.例文帳に追加

バイアス層はコバルト（Ｃｏ）を含み、そのＣｏのＣ軸の平面内整合を促進する結晶構造を有する様々な下地層上に形成される。 - 特許庁

The surface potential of the photoreceptor is raised from timing A to timing C at the time of pre-rotation when a copying command is issued, and developing bias voltage is raised at timing B when the potential becomes -250 V.例文帳に追加

複写指令が出た時に前回転時のタイミングＡからタイミングＣにかけて感光体表面電位を立ち上げ、その電位が−２５０ＶになるタイミングＢにおいて現像バイアス電圧Ｖｂを立ち上げる。 - 特許庁

A bias current is supplied to the PIN diode 2 through an inductance 4 to vary the impedance of the PIN diode 2 and then the rate of reflection or coupling of a signal between the terminals B and C varies.例文帳に追加

インダクタンス４を介してバイアス電流をＰＩＮダイオード２に流し、ＰＩＮダイオード２のインピーダンスを変化させると、端子Ｂ，Ｃにおける信号の反射あるいは結合の割合が変化する。 - 特許庁

Inversely, when the bias voltage VA becomes a negative voltage, a point B is turned into short circuit state, a point C is turned into opened state and the antenna 2 is singly used.例文帳に追加

逆に、バイアス電圧ＶＡが負電圧になると、Ｂ点では短絡、Ｃ点では開放状態になり、アンテナ２が単独で使用されることになる。 - 特許庁

A switching transistor TRs generates an output control signal by applying a positive bias voltage to its collector C, grounding its emitter E and operating according to the voltage applied to its base B.例文帳に追加

スイッチングトランジスタＴＲｓは、そのコレクタＣに正極性バイアス電圧が印加されそのエミッタＥが接地されて、そのベースＢに印加される電圧のレベルに従って動作することによって出力制御信号を発生させる。 - 特許庁

A bias section 36 having the power level d (where, c<d<a) corresponding to a space 22 is generated between the heat blocking pulse 35 and the succeeding multi pulse section 30.例文帳に追加

この断熱パルス３５と後続するマルチパルス部３０との間には、スペース２２に対応するパワーレベルｄ（ただし、ｃ＜ｄ＜ａ）のバイアス部３６が生成される。 - 特許庁

A cleaning electrode plate 123 opposed to the roller 126 is provided in a liquid reservoir 121, and bias in a forward direction is applied to the electrode body C 113.例文帳に追加

液溜まり１２１には、スクィーズローラ１２６に対向するクリーニング電極板１２３が設けられており、電極子Ｃ１１３に対して順方向のバイアスが加えられる。 - 特許庁

A demodulator 16 has a transformer case 17 containing an insulation oil in which a diode bridge circuit 6, a d-c bias capacitor 18 and control transformers 19a, 19b are soaked.例文帳に追加

復調器１６は、絶縁油を有するトランスケース１７を備え、絶縁油中には、ダイオード・ブリッジ回路６、直流バイアスコンデンサ１８及び制御トランス１９ａ、１９ｂが配設される。 - 特許庁

The circuit 10 is composed of a switching element for disconnecting the supply of a bias signal to the constant current source in accordance with the level of a control signal C.例文帳に追加

制御回路１０は、制御信号Ｃのレベルに応じて定電流源へのバイアス信号の供給を断状態にするスイッチング素子によって構成する。 - 特許庁

To provide a bias circuit capable of suppressing temperature variation and an influence of threshold voltage Vth in manufacture variations while suppressing increase of mounting area, to provide a gm-C filter circuit with the same, and to provide a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

実装面積の増加を抑えつつ、温度変動や閾値電圧Ｖｔｈの製造バラツキでの影響を抑えることができるバイアス回路及びそれを備えたｇｍ−Ｃフィルタ回路並びに半導体集積回路を提供すること。 - 特許庁

The use of such voltage supply circuit 101 as, for example, a power supply of a direct bias voltage in an oscillating circuit will decrease a phase noise in a vibration signal and improve a C/N ratio.例文帳に追加

このような電圧源回路１０１を、例えば発振回路における直流バイアス電圧の供給電源として用いることにより、発振信号の位相ノイズが低減し、Ｃ／Ｎ比が向上する。 - 特許庁

An FPN detection circuit 5 multiplies respective pixel data between the output (d) of an FPN data read circuit 4 and the image pickup signal (c), and outputs a remaining FPN detection signal (e) to a bias generation circuit 6.例文帳に追加

ＦＰＮ検出回路５はＦＰＮデータ読み出し回路４の出力ｄと、撮像信号ｃとの間にて各画素データどうしの乗算を行い、バイアス発生回路６に残留ＦＰＮ検出信号ｅを出力する。 - 特許庁

Further, the treated objects 58 and 58 are heated up to 450 to 550°C by an electric heater 78 and an asymmetric pulse voltage of 50 to 250 kHz in frequency is impressed thereto as a bias voltage from a pulse power source device 76.例文帳に追加

更に、被処理物５８，５８，・・・は、電熱ヒータ７８によって４５０℃〜５５０℃まで加熱され、これに、パルス電源装置７６から周波数が５０ｋＨｚ〜２５０ｋＨｚの非対称パルス電圧がバイアス電圧として印加される。 - 特許庁

The G-class amplifier G biased by bias voltage of first and second pairs, a driving control circuit DCD and a second amplifier C biased by power supply voltage of the second pair are included in this device.例文帳に追加

増幅器装置は、第１および第２の対のバイアス電圧でバイアスされたＧ級増幅器、駆動制御回路および第２の対の電源電圧でバイアスされた第２の増幅器（Ｃ）を含む。 - 特許庁

In addition, a selection circuit 34 outputs a bias current Ib to the light emitting element facing the light guiding path 12 through which an optical signal is transmitted based on a selection control signal C.例文帳に追加

また、選択回路３４は、選択制御信号Ｃに基づいて、光信号を伝送する導光路に対向する発光素子にバイアス電流Ｉｂを出力する。 - 特許庁

A common coil C for impressing the bias magnetic field and the negative feedback magnetic field is laid along an element A for detecting an external magnetic field for outputting a modulated wave modulated by the external magnetic field under carrying of an excitation current.例文帳に追加

励磁電流の通電下、外部磁界により変調された変調波を出力する外部磁界の検出素子Ａに、バイアス磁界と負帰還磁界とを印加する共通のコイルＣを付設した。 - 特許庁

Further, a selection circuit 72 outputs a bias current Ib (Iba to Obn) to the light emitting element of the light emitting element group opposed to the light guide path for transmitting the optical signal by each electric signal on the basis of a selection control signal C.例文帳に追加

また、選択回路７２は、選択制御信号Ｃに基づいて、電気信号ごとに、光信号を伝送する導光路に対向する発光素子群の発光素子にバイアス電流Ｉｂ（Ｉｂａ〜Ｉｂｎ）を出力する。 - 特許庁