「EB」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The second focal points F2A, F2B, F2C of the elliptical cross-section shapes EA, EB, EC are located in different positions in the light guide plate 2.例文帳に追加

楕円断面形状部EA、EB、ECの第２の焦点F2A、F2B、F2Cは導光板２内の異なる位置にある。 - 特許庁

The sidewall 11b works as a reflecting member and is formed by different elliptical cross-section shapes EA, EB, EC.例文帳に追加

側壁１１ｂは反射部材として作用し、異なる楕円断面形状部EA、EB、ECによって形成される。 - 特許庁

MONOCLONAL ANTIBODY AGAINST EB VIRUS NUCLEAR ANTIGEN-2例文帳に追加

ＥＢウイルス核抗原−２に対するモノクローナル抗体 - 特許庁

Angles θ of the edge parts EA, EB are obtuse angles.例文帳に追加

エッジ部分ＥＡ，ＥＢの角度θが鈍角である。 - 特許庁

An Eb/Nt measuring section 103 calculates an estimated Eb/Nt value (the ratio of received signal power to effective noise power spectrum density) in one frame based on the received soft decision signal sequence.例文帳に追加

Eb/Nt測定部１０３は、受信した軟判定信号系列により１フレーム内での推定Eb/Nt値（受信信号電力と実効雑音電力スペクトル密度の比）を算出する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR DESIGNING EB MASK例文帳に追加

ＥＢマスクの設計方法及び装置 - 特許庁

HEPATITIS C VIRUS PROLIFERATION USING EB VIRUS例文帳に追加

ＥＢウイルスを利用したＣ型肝炎ウイルス増殖法 - 特許庁

EB TRANSFER MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＥＢ転写マスク及びその製造方法 - 特許庁

EB DIRECT WRITING DEVICE AND OPTIMIZING METHOD OF BEAM SIZE例文帳に追加

ＥＢ直描装置およびビームサイズ最適化方法 - 特許庁

Patterns are drawn by an EB lithographic system and are developed (b).例文帳に追加

ＥＢ描画装置でパターンを描画し、現像する（ｂ）。 - 特許庁

To provide a transfer device capable of simultaneously producing a comparatively large concavo-convex structure pattern that is difficult to produce by an EB drawing device and a minute concavo-convex structure pattern by EB drawing.例文帳に追加

EB描画装置で困難である比較的大きな凹凸構造パターンとEB描画による微細凹凸構造パターンを同時に作製できる転写装置を提供する。 - 特許庁

PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD AND EB MASK例文帳に追加

近接効果補正方法及びＥＢマスク - 特許庁

EB TRANSFER MASK AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＥＢ転写マスク及びその製造方法 - 特許庁

To provide a method of forming a proper resist pattern by EB (electron beam) direct lithography and proper circuit pattern thereafter in a manufacturing process of semiconductor devices, etc., using the EB (electron beam) direct lithography, which coats the entire substrate uniformly with an EB (electron beam) direct lithography resist even in the presence of electrodes having a gold layer and wirings on the substrate.例文帳に追加

EB（電子線）直接描画を用いる半導体装置等の製造プロセスにおいて、基板上に金（Au）層を有する電極、配線が存在しても基板全体に均一にEB直接描画用レジストが塗布でき、EBの直接描画による良好なレジストパターン形成、その後の良好な回路パターンの形成を可能とした方法を提供する。 - 特許庁

As the tuberculostat, isoniazid (INH), rifampicin (RFP), streptomycin (SM), ethambutol (EB), kanamycin (KM) or the like is used.例文帳に追加

抗結核薬は、イソニアジド（INH）、リファンピシン（RFP）、ストレプトマイシン（SM）、エタンブトール（EB）、カナマイシン（KM）等が使用できる。 - 特許庁

A sales management device (data management server) is provided with a master table for making POS data and EB data correspond to each other.例文帳に追加

売上管理装置（データ処理サーバ）にPOSデータとEBデータを対応付けるためのマスターテーブルを持たせる。 - 特許庁

The difference (Eb-Ec) between restitution coefficient Eb and restitution coefficient Ec is 0.004 or larger.例文帳に追加

Ｅｂ ≧ Ｅｃ ≧ Ｅｍ （１） Ｅｂ−Ｅｃ ≧ Ｅｃ−Ｅｍ （２）反発係数Ｅｂと反発係数Ｅｃとの差（Ｅｂ−Ｅｃ）は、０．００４以上である。 - 特許庁

To provide a compound useful for treating or preventing diseases caused by EB viruses that inhibits EBNA1 function, and application thereof.例文帳に追加

EBウイルスが起因となる疾患の治療または予防に有用な、EBNA1の機能を阻害する化合物及びその用途を提供すること。 - 特許庁

The first bare chips (10) are formed using, as a chief material, a semiconductor whose value of breakdown electric field (Eb)×coefficient of thermal conductivity (λ) is larger than that of silicon.例文帳に追加

そして、第１ベアチップ（10）は、絶縁破壊電界（Eb）×熱伝導率（λ）の値が、シリコンよりも大きな半導体を主材料として形成する。 - 特許庁

The method also includes a step of forming a pattern by using an EB direct writing machine on this EB resist 107 while aligning by using a mark 108(F).例文帳に追加

そして、マーク１０８を用いて位置合わせを行いながら、このＥＢレジスト１０７にＥＢ直接描画機を用いてパターンを形成する（Ｆ）。 - 特許庁

Then, it moves toward the enemy character Eb, moves until the enemy character Eb is positioned inside a provocation possible range PAa, and then exercises "provocation".例文帳に追加

そして、この敵キャラクタＥｂに向かって移動し、敵キャラクタＥｂが挑発可能範囲ＰＡａ内に位置するまで移動した後、「挑発」を発動する。 - 特許庁

First focal points F1A, F1B, F1C of the different elliptical cross-section shapes EA, EB, EC are located in an identical position and the LED element 1 is arranged in this position.例文帳に追加

異なる楕円断面形状部EA、EB、ECの第１の焦点F1A、F1B、F1Cは同一位置にあり、この位置にLED素子１が配置される。 - 特許庁

Light from the LED element 1 is reflected by the elliptical cross-section shapes EA, EB, EC of the sidewall 11b and passes through the different focal points F2A, F2B, F2C of the light guide plate 2.例文帳に追加

LED素子１からの光は側壁１１ｂの楕円断面形状部EA、EB、ECで反射され、導光板２の異なる焦点F2A、F2B、F2Cを通過する。 - 特許庁

Further, the method for developing the EB is provided by seeding and culturing non-differentiated embryonic stem cells in the container for developing the EB.例文帳に追加

さらに、この培養容器に、未分化胚性幹細胞を播種、培養することにより胚様体を形成させることを特徴とする胚様体形成方法。 - 特許庁

the barn spider was made famous in E. B. White's book `Charlotte's Web' 例文帳に追加

E.B.ホワイトの本、“シャーロットのおくりもの”で、その小屋の蜘蛛は有名になった - 日本語WordNet

For example, an EB resist 5 is applied on the substrate 3 made of quartz glass (a).例文帳に追加

例えば、石英ガラス製の基板３上にＥＢレジスト５を塗布する（ａ）。 - 特許庁

REMOVAL METHOD AND ITS APPARATUS OF ORGANIC COMPOUND USING ELECTRON BEAM (EB)例文帳に追加

電子ビーム（ＥＢ）を用いた有機化合物の除去方法とその装置 - 特許庁

The electron source 11 of an electron gun projects an electron beam EB.例文帳に追加

電子銃等の電子源１１は電子線（電子ビーム）ＥＢを発射する。 - 特許庁

The electron gun 2 has a filament 7 for emitting an electron beam EB.例文帳に追加

電子銃２は、電子線ＥＢを出射するフィラメント７を有する。 - 特許庁

EB SYSTEM WITH INTRODUCTION WIZARD FUNCTION VIA INTERNET例文帳に追加

インターネットを介する導入ウィザード機能付ＥＢシステム - 特許庁

EB MASK, AND BEAM DIMENSION CALIBRATOR, AND BEAM DIMENSION CALIBRATING METHOD例文帳に追加

ＥＢマスクならびにビーム寸法校正装置およびビーム寸法校正方法 - 特許庁

EB MASK AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND EXPOSURE METHOD例文帳に追加

ＥＢマスクの製造方法及びＥＢマスク並びに露光方法 - 特許庁

Patterns for a semiconductor device are delineated by using the EB lithography system.例文帳に追加

ＥＢ描画装置を用いて半導体装置のパターンを描画する。 - 特許庁

HYBRID EB CELL AND METHOD FOR EVAPORATING FILM DEPOSITION MATERIAL USING THE SAME例文帳に追加

ハイブリッドＥＢセルとそれを使用した成膜材料蒸発方法 - 特許庁

A mask defect inspecting machine obtains EB data 3 (after SUB) corresponding to OPC pattern parts by SUB-calculating the EB data 1 before OPC from the EB data 2 after optical proximity effect correction (OPC).例文帳に追加

光学近接効果補正（ＯＰＣ）後のＥＢデータ２からＯＰＣ前のＥＢデータ１をＳＵＢ演算して、ＯＰＣパターン部分に対応するＥＢデータ（ＳＵＢ後）３を得る。 - 特許庁

The restitution coefficient Ec of the center, the restitution coefficient Em of the core 4 and the restitution coefficient Eb of the golf ball 2 satisfy the following formulae (1), (2); Eb≤Ec≤Em (1); Eb-Ec≤Ec-Em (2).例文帳に追加

センター８の反発係数Ｅｃ、コア４の反発係数Ｅｍ及びゴルフボール２の反発係数Ｅｂは、下記数式（１）及び（２）を満たす。 - 特許庁

To provide a culturing container for developing an embryoid (EB), developing the EB having a high quality from an embryonic stem cell (ES cell) easily in a good efficiency, and to provide a method for producing the same and a method for developing the EB.例文帳に追加

ＥＳ細胞から、効率よく、容易に質の高いＥＢ体を形成することのできる胚様体形成用培養容器と、その製造方法、及び胚様体の形成方法を提供する。 - 特許庁

The modulus of elasticity Ea of the conductive column group 23, the modulus of elasticity Eb of the narrow insulating plate 24, and the modulus of elasticity Ec of the wide insulating plate 24 satisfy the relation of Ea> Ec>Eb or Ea<Ec<Eb.例文帳に追加

導電柱群２３の縦弾性係数Ｅａと、幅狭絶縁板２４の縦弾性係数Ｅｂと、幅広絶縁板２５の縦弾性係数Ｅｃとの関係をＥａ＞Ｅｃ＞ＥｂもしくはＥａ＜Ｅｃ＜Ｅｂの大小関係を満たしている。 - 特許庁

A deflection part 13 deflecting the electron beam EB is arranged in a beam formation electrode 12 accelerating an electron emitted from the filament 11 and forming an electric field generating the electron beam EB so that the electron beam EB is protruded on the emission side beyond an opening part.例文帳に追加

フィラメント１１より放出された電子を加速して電子ビームＥＢを生成する電界を形成するためのビーム形成電極１２に、その開口部よりも電子ビームＥＢが射出する側に突出するように、電子ビームＥＢを偏向するデフレクション部１３を設ける。 - 特許庁

Even when the position of an EB bonding part 33 is fluctuated, since the EB bonding part 33 is located in one part of the upper SiGe layer 18b, the fluctuation of the Ge content in the EB bonding part 33 can be suppressed so that the high current amplification factor can be stably provided.例文帳に追加

ＥＢ接合部３３の位置が変動しても、ＥＢ接合部３３がＳｉＧｅ上部層１８ｂ中の一部位にあるので、ＥＢ接合部３３におけるＧｅ含有率の変動を抑制することができ、高い電流増幅率を安定して得ることができる。 - 特許庁

To provide an easy-to-manufacture EB(electron beam) transfer mask which suppresses spatial charge effect in EB transfer and deterioration in drawing precision due to resist heating, etc., for the generation of EB transfer mask data composed of complementary masks.例文帳に追加

コンプリメンタリーマスクで構成されるＥＢ（電子線）転写マスクデータの作成において、ＥＢ転写の際における空間電荷効果やレジストヒーティング等に起因する描画精度劣化を抑制し、かつ容易に製造可能なＥＢ転写マスクを提供する。 - 特許庁

To provide an EB (electron beam) transfer mask which can be easily manufactured and which can suppress deterioration in the accuracy of drawing a pattern due to the spatial charge effect, resist heating or the like caused during the EB transfer in the process of forming an EB transfer mask data composed of complementary masks.例文帳に追加

コンプリメンタリーマスクで構成されるＥＢ（電子線）転写マスクデータの作成において、ＥＢ転写の際における空間電荷効果やレジストヒーティング等に起因する描画精度劣化を抑制し、かつ容易に製造可能なＥＢ転写マスクを提供する。 - 特許庁

CULTURING CONTAINER AND CULTURING METHOD FOR FORMING EMBRYOID BODY (EB) OF EMBRYONIC STEM CELL (ES CELL)例文帳に追加

胚性幹細胞（ＥＳ細胞）の胚様体（ＥＢ）形成のための培養容器及び培養方法 - 特許庁

The pattern data 11 are supplied to an EB drawing device, and the photomask is manufactured.例文帳に追加

パターンデータ１１をＥＢ描画装置に供給し、フォトマスクを製造する。 - 特許庁

Then, an annealing treatment with UV irradiation or EB irradiation is performed in the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

次に、半導体基板１に対して、ＵＶ照射もしくはＥＢ照射を伴うアニール処理を施す。 - 特許庁