| 例文 (7件) |
H3PO4を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
With H3PO4 as the etchant, the SiN film is etched to form an opening 7.例文帳に追加
Ｈ_3ＰＯ_4をエッチング液としてＳｉＮ膜をエッチングし、開口７を形成する。 - 特許庁
An electrolyte material is obtained by adding H3PO4 (85%) to plural metal oxide compounds, mixing and stirring them (S11), and the electrolyte is preheated for three hours at a temperature of 500°C (S12).例文帳に追加
複数個の金属酸化物にＨ_3ＰＯ_4(８５％)を加え、混合および撹拌して電解質材料を得る(Ｓ１１)、その電解質材料を５００°Ｃの温度で３時間予備加熱する(Ｓ１２)。 - 特許庁
The active carbon fiber is subjected to an electrochemical surface treatment in an acidic or an alkaline, etc., electrolytic solution, preferably in the electrolytic solution of phosphoric acid (H3PO4) or potassium carbonate (K2CO3) to introduce functional groups into the surface of the carbon substrate.例文帳に追加
活性炭素繊維を酸性またはアルカリ性等の電解溶液、好ましくは燐酸（Ｈ_3ＰＯ_4）または炭酸カリウム（Ｋ_2ＣＯ_3）電解溶液中で電気化学的な表面処理を行って炭素体の表面に官能基を導入する。 - 特許庁
Alternatively, the immersion of an electronic device into a mixture of a polar organic solvent and a phosphate reaction agent such as a small amount of phosphoric acid (H3PO4) or the phosphate derivative thereof such as orthophosphoric acid or R-HxPOy (wherein, R is an alkaline type ionic group or an alkuyl group) for at least one time is included.例文帳に追加
或はまた、電子デバイスを極性有機溶媒と少％量のリン酸(H_3PO_4)またはそのホスフェ−ト誘導体例えばオルトリン酸またはR-H_xPO_y（式中、Rはアルカリ性形のイオン性基またはアルキル基）のようなホスフェ−ト反応剤との混合物中に少なくとも１回_ 浸漬することを包含する。 - 特許庁
This method for producing a langasite-based single crystal substrate comprises a step for polishing at least either one main face of a raw material substrate and a step for carrying out wet etching of main face of the polished substrate in a solution containing H3PO4, HNO3 and CH3COOH.例文帳に追加
ランガサイト系単結晶基板の製造方法は、原料基板の少なくとも一方の主面を研磨する工程と、この研磨した基板の主面をＨ_3ＰＯ_4、ＨＮＯ_3およびＣＨ_3ＣＯＯＨを含む溶液で湿式エッチングする工程とを備える。 - 特許庁
In the felt for the bag filter in which a supporting layer is composed of a glass fiber and a filter layer contains a polyimide fiber, the solubility of the felt to a mixed soln. of N,N-dimethylformamide(DMF), tetrahydrofuran(THF), lithium bromide(LiBr) and phosphoric acid (H3PO4) is kept in 90-99.0%.例文帳に追加
支持層がガラス繊維からなり、ろ過層がポリイミド繊維を含むバグフィルター用フェルトであって、該フェルトのN,N−ジメチルフォルムアミド（ＤＭＦ）、テトラヒドロフラン（THF）、臭化リチウム（ＬｉＢｒ）及び燐酸（Ｈ_3ＰＯ_4）の混合溶液に対する溶解度が９０〜９９．０％である耐久性に優れるバグフィルター用ポリイミドフェルト。 - 特許庁
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