「O3」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

(Li, Na, K, Bi)(Nb, Ta)O3 BASED PIEZOELECTRIC MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｂｉ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ３系圧電材料及びその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING PROCESS OF (Li, Na, K)(Nb, Ta)O3 TYPE PIEZOELECTRIC MATERIAL例文帳に追加

（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ３系圧電材料の製造方法 - 特許庁

(Li, Na, K)(Nb, Ta)O3 BASED PIEZOELECTRIC MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ３系圧電材料、及びその製造方法 - 特許庁

Rotational moment Ma around an eccentric axis line O3 by the normal force Fa is same in direction as rotational moment Mc around the eccentric axis line O3 by the tangential force Fc, and total rotational moment M as a summed-up value of the both is not changed in its direction.例文帳に追加

法線力Faによる偏心軸線O3周りの回転モーメントMaと、接線力Fcによる偏心軸線O3周りの回転モーメントMcは同じ方向であり、両者の和値である合計回転モーメントMの向きは不変である。 - 特許庁

Then, O3 water (ozone water) is supplied to a wafer WF rear face from the O3 water supply nozzle for back rinse 15.例文帳に追加

このバックリンス用Ｏ_3 水供給ノズル１５からウェハＷＦ裏面部分にＯ_3 水（オゾン水）が供給されるようになっている。 - 特許庁

The processing to be executed by the entity B includes prescribed operations (O1, O2, O3,..., On) or the complemented same operations (-O1, -O2, -O3,..., -On).例文帳に追加

Ｂが実行する処理は、所定の操作（Ｏ_１，Ｏ_２，Ｏ_３…Ｏ_ｎ）かあるいは補完された同一の操作（−Ｏ__１，−Ｏ_２，−Ｏ_３…−Ｏ_ｎ）である。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING FERROELECTRIC THIN FILM SINGLE CRYSTAL OF PbTiO3 OR Pb(ZrTi)O3例文帳に追加

ＰｂＴｉＯ３またはＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ３の強誘電体薄膜単結晶の製造方法。 - 特許庁

The sand is a mineral contg. both SiO2 and Al2 O3 as main ingredients.例文帳に追加

砂は、ＳｉＯ_2 とＡｌ_2 Ｏ_3 を共に主成分として含む鉱物である。 - 特許庁

The concentration of O3 is desirably regulated to 0.5-10 times of the concentration of NO.例文帳に追加

Ｏ_３濃度はＮＯ濃度の０．５〜１０倍とするのが望ましい。 - 特許庁

O3 GENERATION DEVICE AND EXHAUST EMISSION CONTROL SYSTEM OF INTERNAL COMBUSTION ENGINE例文帳に追加

Ｏ３生成装置および内燃機関の排気浄化システム - 特許庁

The heating chamber 46 may have a means for supplying oxygen(O2) or ozone(O3) gas.例文帳に追加

また、加熱室は、酸素（Ｏ_2）又はオゾン（Ｏ_3）を供給する手段を有していてもよい。 - 特許庁

The disk-type brush 14 is rotated in the direction of an arrow A1, which does not supply ozone water (O3 water).例文帳に追加

ディスク型ブラシ１４は、オゾン水（Ｏ_3水）供給を伴ない矢印Ａ１方向に回転される。 - 特許庁

A Ba (Mg, Ta) O3 type provides an example of the one with the perovskite crystal structure.例文帳に追加

上記ペロブスカイト型結晶構造を有するものとしては、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ_3 系が挙げられる。 - 特許庁

Similarly, a virtual intermediate field O2 is generated between the odd-numbered fields O1 and O3.例文帳に追加

同様に奇フィールドＯ１、Ｏ３間に仮想的な中間フィールドＯ２を生成する。 - 特許庁

The center O2 of the balance weight 5 and the center O3 of the aperture 5a are offset.例文帳に追加

バランスウエイト５の中心Ｏ２と開孔５ａの中心Ｏ３とはオフセットしている。 - 特許庁

The first axis O1, the second axis O2 and the third axis O3 are parallel and eccentric to one another.例文帳に追加

第１軸Ｏ１、第２軸Ｏ２及び第３軸Ｏ３は、互いに平行であって、互いに偏心している。 - 特許庁

This requires a point O3 as the center of the control axis 3 to be positioned within a range of θ1.例文帳に追加

このためには、制御軸３の中心となる点Ｏ３が、θ１の範囲内に位置する。 - 特許庁

It is preferable that a substance be used such that O3 is annexed to a hydrochloric acid of 5% or less as the HCl/O3 water.例文帳に追加

ＨＣｌ／Ｏ_3水としては、５％以下の希塩酸にＯ_3を添加したものを用いることが好ましい。 - 特許庁

Also, small circular portion 47 is formed with a center O3, radius R and the central angle β.例文帳に追加

また、小円弧部４７は、中心Ｏ4、半径Ｒおよび中心角βをもって形成する。 - 特許庁

During the rotation of the wafer WF, O3 water (ozone water) is supplied from the O3 water supply nozzle 15 for edge rinsing to the peripheral section of the wafer WF.例文帳に追加

ウェハＷＦの回転中にこのエッジリンス用Ｏ_3 水供給ノズル１５からウェハＷＦ周縁部分にＯ_3 水（オゾン水）が供給されるようになっている。 - 特許庁

If, with the height of a girder O1 constituting a section which is 150 mm, the height of girders O2, O3, and O4 is 180 mm (S910: Yes), the height of the girder O1 is aligned with those of girders O2, O3, and O4 in S920.例文帳に追加

区画を構成する大梁Ｏ１の高さは１５０mmであるが、大梁Ｏ２、Ｏ３、Ｏ４の高さが１８０mmのときには（Ｓ９１０：Ｙｅｓ）、次のＳ９２０で、大梁Ｏ１の高さを他の大梁Ｏ２、Ｏ３、Ｏ４に揃える。 - 特許庁

In a communication system wherein sensor devices 3, 4 transmit secret information through a relay apparatus 2 to a server 1, the relay apparatus 2 generates a substitutive ID information O3' based on its own ID information O3 and communicates with other server 1 using the generated substitutive ID information O3' as its own ID information.例文帳に追加

センサー機器３，４が、中継装置２を介してサーバ１に秘密情報を送信する通信システムにおいて、中継装置２は、自己のＩＤ情報Ｏ３に基づいて代替ＩＤ情報Ｏ３’を生成し、生成された代替ＩＤ情報Ｏ３を、自己のＩＤ情報として用いて他のサーバ１と通信を行う。 - 特許庁

NIOBIUM TETRAALKOXY DIISOBUTYRYL METHANATE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND Pb(Zr, Ti, Nb)O3 MEMBRANE-FORMING RAW MATERIAL SOLUTION USING THE SAME例文帳に追加

ニオブテトラアルコキシジイソブチリルメタネートおよびその製造方法ならびにそれを用いたＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ）Ｏ３膜形成用原料溶液 - 特許庁

This forming method is that measurement data of existing surfaces I1 and I3 is collected and adaptable surfaces O1 and O3 applied to the existing surfaces are formed.例文帳に追加

既存表面Ｉ１，Ｉ３の計測データを収集し、その既存表面に適合する適合表面Ｏ１，Ｏ３を形成する。 - 特許庁

An O3 water supply nozzle for back rinse 15 is arranged at the base of the drain cup 13 below the backside of the wafer WF.例文帳に追加

ウェハＷＦ裏面側下方のドレーンカップ１３底部にバックリンス用Ｏ_3 水供給ノズル１５が配設されている。 - 特許庁

The chemoluminescence generated by the reaction of NO in the sample gas and O3 is detected by a photoelectric converter element through the detection window 28.例文帳に追加

試料ガス中のＮＯとＯ_3の反応により発生した化学発光を検出窓２８を介して光電変換素子により検出する。 - 特許庁

The adaptable surfaces O1 and O3 are formed in a manner to extend over a joint 14 from the existing surfaces I1 and I3.例文帳に追加

既存表面Ｉ１，Ｉ３から、接合部１４を越えて延在するように、その適合表面Ｏ１，Ｏ３を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR REDUCING COD (CHEMICAL OXYGEN DEMAND) IN WASTE WATER BY USING O3 WITH VALENT ION CHELATION例文帳に追加

原子価イオンキレートを伴うＯ３の使用による、廃水中のＣＯＤ（化学的酸素要求量）を低下させるための方法 - 特許庁

Mixing ratio of the sand is determined in such a way that sum of SiO2 and Al3 O3 in the incineration ash or the melting ash is 15 wt.%.例文帳に追加

砂の混入比は、焼却灰または溶融灰中のＳｉＯ_2 とＡｌ_2 Ｏ_3 の和が１５重量％になるように決めた。 - 特許庁

Further, the refractory support portion 30 is formed with a 10 to 80 weight % Cr2O3-Al2 O3 castable.例文帳に追加

さらには、耐火物サポート部３０を１０〜８０重量％Ｃｒ_2Ｏ_3−Ａｌ_2Ｏ_3系キャスタブルで形成する。 - 特許庁

Collection of measurement data and formation of the adaptable surfaces O1 and O3 are practicable with a rotor unit 1 fixed.例文帳に追加

計測データの収集と適合表面Ｏ１，Ｏ３の形成とはロータ・ユニット１を固定したままで実行する。 - 特許庁

Sample gas is guided to one end of a fine pipe 30 through a sample inlet 32 while air containing O3 is guided to the other end thereof through an ozone inlet 34.例文帳に追加

細管３０の一端側に試料入口３２を介して試料ガスを、他端側にオゾン入口３４を介してＯ_3を含む空気をそれぞれ導く。 - 特許庁

Piezoelectric ceramics contain an oxide with a perovskite structure represented by [{(NamDn)i(BikEt)j}gAh]f(TiuNv)O3.例文帳に追加

［｛（Ｎａ_m Ｄ_n ）_i （Ｂｉ_k Ｅ_t ）_j ｝_g Ａ_h ］_f （Ｔｉ_u Ｎ_____v ）Ｏ_3 で表されペロブスカイト構造を有する酸化物を含有している。 - 特許庁

Positioning collimation points O1, O2 corresponding to reference points O3, O4 are prearranged by dimensional measurement on the basis of an installing position on design.例文帳に追加

予め、設計上の据付位置に基づく寸法取りによって基準点Ｏ３，Ｏ４に対応する位置決め用照準点Ｏ１，Ｏ２を設けておく。 - 特許庁

It is preferable that the perovskite crystal grain is represented by a composition formula in mole ratio of Ba(Ti1-xZrx)O3 (wherein x is 0.05-0.3).例文帳に追加

ペロブスカイト型結晶粒子が、モル比による組成式Ｂａ（Ｔｉ_1-xＺｒ_x）Ｏ_3（ｘは０．０５〜０．３）で表されることが望ましい。 - 特許庁

The signal acquisition unit 20 acquires an electric signal from electrodes disposed on the occipital regions O3 and O4 of an occupant 3 on the basis of international laws 10-20.例文帳に追加

信号取得部２０は、国際法１０−２０法に基づいて乗員３の後頭部Ｏ３，Ｏ４に配置される電極から電気信号を取得する。 - 特許庁

Connection points O2 and O3 are connected to a source voltage Vcc through switching transistors S4 and S6.例文帳に追加

接続点Ｏ２，Ｏ３は、スイッチング用トランジスタＳ４，Ｓ６を介して電源電圧Ｖｃｃと接続される。 - 特許庁

A first fulcrum part O1, a second fulcrum part O2 and a third fulcrum part O3 are defined on respective vertex positions of a triangle which surrounds the optical element.例文帳に追加

光学素子を取り囲む三角形の各頂点位置に、第１支点部Ｏ_1 、第２支点部Ｏ_2 、第３支点部Ｏ_3 を定める。 - 特許庁

The processing to be executed by the entity B includes prescribed operations (O1, O2, O3...On) or the complemented same operations (-O_1, -O_2, -O_3...-O_n).例文帳に追加

Ｂが実行する処理は、所定の操作（Ｏ_１，Ｏ_２，Ｏ_３…Ｏ_ｎ）かあるいは補完された同一の操作（−Ｏ_１，−Ｏ_２，−Ｏ_３…−Ｏ_ｎ）である。 - 特許庁

To provide a chemiluminescent total nitrogen analyzer which requires no periodical replacement of parts for treating NO2 and has no O3 discharge at all.例文帳に追加

ＮＯ_２を処理するための部品の定期的な交換の必要がなく、さらに一切のＯ_３の排出がない化学発光式全窒素分析計を提供する - 特許庁

The sample gas and air containing O3 are guided to the central part of the fine pipe 30 and ejected to a detection window 28 from a fine hole 36 while mixed.例文帳に追加

試料ガスとＯ_3を含む空気を細管３０の中央部に導き、細孔３６から混合させながら検出窓２８側に噴出する。 - 特許庁

In this method of producing the semiconductor element, an AlN foundation layer is formed preferably 9-18 nm thick on a (La0.29Sr0.71)(Al0.65 Ta0.35) O3 substrate having a perovskite layer.例文帳に追加

ペロブスカイト構造の(La_0.29Sr_0.71)(Al_0.65Ta_0.35)O_3基板上に、AlN下地層を好ましくは９〜１８ｎｍの厚さに形成する。 - 特許庁

The ratchet mechanism 31 is arranged so that the drive pin 33 is positioned at the side of the change shaft 11 rather than the drum axial core O3.例文帳に追加

ラチェット機構３１は、駆動ピン３３がドラム軸芯Ｏ３よりもチェンジ軸１１側に位置するように、配置されている。 - 特許庁

When the projection part 36 is positioned at the first position O3, the mirror body 2 is positioned at a daytime tilt position.例文帳に追加

嵌合凸部３６が第１位置Ｏ３に位置するときには、ミラーボディー２が昼用傾斜位置に位置する。 - 特許庁

A film is grown using O2, O3, N2, O, NO, NO2 and NH3 reactant gases and silane, which is shown by the formula (t-C4H9NH)2 SiH2.例文帳に追加

Ｏ_2 、Ｏ_3 、Ｎ_2 Ｏ、ＮＯ、ＮＯ_2 、ＮＨ_3 の反応物ガスと式（ｔ−Ｃ_4 Ｈ_9 ＮＨ）_2 ＳｉＨ_2 のシランから膜を成長させる。 - 特許庁