「bst」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

N3 is the Bus Settle Time in seconds. 例文帳に追加

N3 はバス安定時間 (BST) を秒単位で指定する。 - JM

BST-OFDM SIGNAL GENERATION AND DISTRIBUTION DEVICE例文帳に追加

ＢＳＴ−ＯＦＤＭ信号生成・分配装置 - 特許庁

The fc is fixed and the bst is decreased (S112), and when a monitored jitter value becomes larger than the initially set jitter value (S113→Y), the initial value of the bst and the initially set jitter value are reset at that position (S114).例文帳に追加

fc固定でbstを減少させ(S112)、初期設定ジッタ値に比較してモニタジッタ値が大きくなっている場合は（S113→Y）、その位置でbst初期値と初期設定ジッタ値を再設定する(S114)。 - 特許庁

METHOD OF COMPUTING DURATION OF BST WAVEFORM例文帳に追加

ＢＳＴ波形の時間幅算出方法 - 特許庁

Water vapor is applied to the BST layer, and the layer is dried, and the powder of polyvinylidene fluoride(PVDF) is stuck to the surface of the layer.例文帳に追加

BST層を水蒸気にあてた後に乾燥させ、その層上にポリフッ化ビニリデン(PVDF)の粉末を付着させる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device which prevents the structure of a capacitor from becoming complicated, even when the semiconudctor device is integrated highly by a method where the permittivity of a BST thin film is increased.例文帳に追加

BST薄膜の誘電率を高めることで、高集積化した場合においても、キャパシタ構造が複雑となることを防ぐ。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a capacitor having an RU lower electrode and a BST dielectric film for semiconductor elements which stabilizes the surface of the RU lower electrode before forming the BST dielec tric film in forming the capacitor, this improving the interface characteristic between the lower electrode and the dielectric film to raise the capacitor reliabil ity.例文帳に追加

本発明は、RU下部電極とBST誘電体膜を有するキャパシタを製造するにあたり、BST誘電体膜を形成する前にRU下部電極の表面を安定化するので、RU下部電極とBST誘電体膜との界面特性が改善され、キャパシタの信頼性が高められる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供すること。 - 特許庁

NANOSTRUCTURED BARIUM STRONTIUM TITANATE (BST) THIN-FILM VARACTORS ON SAPPHIRE例文帳に追加

サファイア上ナノ組織チタン酸バリウム・ストロンチウム（ＢＳＴ）薄膜バラクタ - 特許庁

The ferroelectric film or the piezoelectric film is formed by PZT, BST, or a relaxer material.例文帳に追加

強誘電体膜又は圧電体膜は、ＰＺＴ、ＢＳＴ又はリラクサ材料によって形成される。 - 特許庁

First of all, a capacitor 15 using BST as a dielectric material is formed on a silicon wafer 10.例文帳に追加

まず、シリコンウェハ１０の上に、ＢＳＴを誘電体とするキャパシタ１５を形成する。 - 特許庁

Synthesis of the new compounds and their use to form BST films are also contemplated.例文帳に追加

新規の化合物の合成法及びＢＳＴフィルムを形成するためのそれらの使用法も考慮される。 - 特許庁

A clamp circuit 150 is activated in accordance with the boosting control signal BST.例文帳に追加

クランプ回路１５０は、昇圧制御信号ＢＳＴに応じて活性化される。 - 特許庁

A truncated thermostable Bst DNA polymerase is produced by eliminating 5'-3' exonuclease activity from a Bst DNA polymerase using recombinant DNA and protein fusion techniques.例文帳に追加

ＤＮＡ組み換え及びタンパク質融合技術を用いてＢｓｔ ＤＮＡポリメラーゼから３′→５′エキソヌクレアーゼ活性を除去することによって、耐熱性の切頭型Ｂｓｔ ＤＮＡポリメラーゼを得る。 - 特許庁

In third driving signals having two driving waveforms of the AL value and the BST waveform, the mass of the recording medium is measured for each of the third driving signals having different durations of the BST waveform.例文帳に追加

ＡＬ値の駆動波形が２つとＢＳＴ波形とを備える第３駆動信号においてＢＳＴ波形の時間幅を異ならせた各第３駆動信号毎の記録媒体の質量を計測する。 - 特許庁

In second driving signals having one driving waveform of the AL value and the BST waveform in a predetermined driving period, the mass of the recording medium is measured for each of the second driving signals having different durations of the BST waveform.例文帳に追加

所定の駆動周期内に前記ＡＬ値の駆動波形が１つとＢＳＴ波形とを備える第２駆動信号において、ＢＳＴ波形の時間幅を異ならせた各第２駆動信号毎の記録媒体の質量を計測する。 - 特許庁

A multiplier 404 calculates torque Tm*_3 of after torque boost prohibition determination by Tm*_2×K_bst, an adder 405 calculates torque command value Tm*' after response improvement compensation by Tm*+Tm*_3.例文帳に追加

乗算器404は、Tm*_2×K_bstによりトルクブースト禁止判定後トルクTm*_3を算出し、加算器405は、Tm*＋Tm*_3により、レスポンス向上補償後・トルク指令値Tm*'を算出する。 - 特許庁

A determining part 403 performs torque boost prohibition determination processing in accordance with the actually measured number of rotation Nm of the motor, temperature Tj of the power element, and basic target torque command value Tm*, a boost permission coefficient K_bst is made to be 0 at the time of determination of motor lock.例文帳に追加

判定部403は、実測モータ回転数Nmと、パワー素子の温度Tjと、基本目標トルク指令値Tm*とに応じ、トルクブースト禁止判定処理を実施し、モータロック判定時にブースト許可係数K_bstを0にする。 - 特許庁

The duration of the BST waveform is computed so that the quantity of ink to be discharged using the BST waveform and a first driving waveform and the quantity of ink to be discharged using a second driving waveform are equal to each other, on the basis of the results of the measurements.例文帳に追加

計測結果に基づいて、ＢＳＴ波形および１つ目の駆動波形によるインクの吐出量と２つ目の駆動波形によるインクの吐出量とが等しくなるＢＳＴ波形の時間幅を算出する。 - 特許庁

To provide a BST film, a capacitor insulating film using the BST film, and a sputtering target used for manufacturing the BST film, which make it possible to improve dielectric characteristics of the capacitor insulating film, and to contribute to improving speed and fineness of a semiconductor memory element or a thin-film capacitor by inhibiting deterioration of permittivity, and inhibiting increase of leakage of current and dielectric loss.例文帳に追加

誘電率の低下を抑制し、リーク電流や誘電損失の増加を抑制することによって、キャパシタ絶縁膜の誘電特性を向上させ、半導体メモリ素子又は薄膜コンデンサの高速化、微細化に寄与するＢＳＴ膜、このＢＳＴ膜を用いたキャパシタ絶縁膜、及びこのＢＳＴ膜を作製する際に用いるスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

In an internal voltage generating circuit BST, a value of internal voltage VBST can be changed in accordance with an adjusting signal ADJ.例文帳に追加

内部電圧生成回路ＢＳＴは、調整信号ＡＤＪに応じて内部電圧ＶＢＳＴの値を変更可能である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a memory device having concave BST capacitors of which the step coverage is good and reliability in electrical characteristics is high.例文帳に追加

ステップカバレッジに優れ、電気的特性の信頼性の高い、凹状構造のＢＳＴキャパシタを有するメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon oxide film 43 is removed, and BST film of a capacitor insulating film is deposited and heat treated in the oxidized atmosphere.例文帳に追加

その後シリコン酸化膜４３を除去し、キャパシタ絶縁膜であるＢＳＴ膜を堆積し、酸化性雰囲気で熱処理する。 - 特許庁

To lengthen a memory holding time in a ferroelectric memory field effect transistor using a BST film as an insulating layer.例文帳に追加

ＢＳＴ膜を絶縁層とした強誘電記憶電界効果トランジスタにおいて、 記憶保持時間の向上をはかる。 - 特許庁

To provide a method of computing the duration of a BST waveform without using a special device.例文帳に追加

特殊な装置を用いなくてもＢＳＴ波形の時間幅を算出できるＢＳＴ波形の時間幅算出方法を提供する。 - 特許庁

A second control signal generation section 120 generates a second control signal DTY_BST according to a third error amplification signal that is an amplified error between a signal VO1FB based on a voltage at the output terminal OUT1 and a reference signal BST_REF.例文帳に追加

第２制御信号生成部１２０は、出力端子ＯＵＴ１の電圧に基づく信号ＶＯ１ＦＢと基準信号ＢＳＴ＿ＲＥＦとの誤差を増幅した第３の誤差増幅信号に基づいて第２の制御信号ＤＴＹ＿ＢＳＴを生成する。 - 特許庁

A micro-lens array 2A is formed in an SiO_2 insulating film 2a on an Si substrate 1a, on which a lower Pt electrode 4a, a lower BST film 5a, an intermediate Pt electrode 6a, an upper BST film 7a, and an upper Pt electrode 8a are deposited in sequence, thus forming a capacitor.例文帳に追加

Ｓｉ基板１ａ上のＳｉＯ_２絶縁膜２ａにはマイクロレンズアレイ２Ａが形成されており、その上に、下部Ｐｔ電極４ａ，下部ＢＳＴ膜５ａ，中間Ｐｔ電極６ａ，上部ＢＳＴ膜７ａ，上部Ｐｔ電極８ａが順に成膜され、コンデンサが形成される。 - 特許庁

This ETC on-vehicle device receives BST information transmitted from the ETC processor when starting the ETC processing (step 320), and stores a manufacturer ID or the like of the ETC processor included in the received BST information into a nonvolatile memory (step 370).例文帳に追加

ＥＴＣ車載器が、ＥＴＣ処理の開始時にＥＴＣ処理装置から送信されたＢＳＴ情報を受信し（ステップ３２０）、受信したＢＳＴ情報に含まれるＥＴＣ処理装置の製造者ＩＤ等を不揮発性メモリに記憶させる（ステップ３７０）。 - 特許庁

To provide a production method of a dielectric single crystal thin film, by which a highly-functional BST-based dielectric single crystal thin film can be easily and inexpensively produced as well as the composition in a BST-based dielectric single crystal thin film to be produced can be easily controlled.例文帳に追加

高機能であるＢＳＴ系の誘電体単結晶薄膜を容易にかつ安価に製造することができるとともに、製造されるＢＳＴ系の誘電体単結晶薄膜における組成の調整を容易に行うことができる、誘電体単結晶薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The capacitor is manufactured by forming a contact hole filled with a doped polysilicon layer and then a diffusion-blocking film, forming a silicate glass film having a concave hole for the capacitor into the top of the contact hole, forming the RU lower electrode in the concave hole, and continuously executing an NH3-plasma treatment and an N2O-plasma treatment to form a BST dielectric film upper electrode.例文帳に追加

本発明のキャパシタはドープポリシリコン層、オミック層及び拡散防止膜が、順次的に埋め込められたコンタクトホールを形成し、コンタクトホールの上部にキャパシタ用コンケーブホールを持つシリゲートガラス膜を形成し、キャパシタ用コンケーブホール内にRU下部電極を形成した後、NH_3-プラズマ処理及びN_2Ｏ-プラズマ処理を連続的に実施し、BST誘電体膜上部電極を形成してなる。 - 特許庁

The method for manufacturing a capacitor of a semiconductor element includes steps of forming a lower electrode 26 on a conductive layer, forming an STO thin film 27 as a first dielectric material on the lower electrode, forming a BST thin film 28 as a second dielectric material on the STO thin film with the STO thin film used as a seed layer, and forming an upper electrode 29 on the BST thin film.例文帳に追加

半導体素子のキャパシタ製造方法は、導電層上に下部電極２６を形成するステップと、前記下部電極上に第１誘電体としてＳＴＯ薄膜２７を形成するステップと、前記ＳＴＯ薄膜上に前記ＳＴＯ薄膜をシード層にして第２誘電体としてＢＳＴ薄膜２８を形成するステップと、前記ＢＳＴ薄膜上に上部電極２９を形成するステップとを含む。 - 特許庁

A selecting part 364 is provided between the error amplifying part 350 and a charge pump switch group 310 to forcedly switch, by a boost signal Bst, an output voltage control signal Sout outputted by the selecting part 364 from an amplification output value Va to a value from which a large amount of output current is acquired when load current rapidly changes.例文帳に追加

誤差増幅部３５０とチャージポンプスイッチ群３１０との間に選択部３６４を設け、負荷電流が急激に変化する際、ブースト信号Bst で、選択部３６４が出力する出力電圧制御信号Ｓout をアンプ出力値Ｖａから、出力電流を多く取れるような値に強制的に切り替える。 - 特許庁

A storage node electrode SN2 is provided on a plug 6, respectively, with a dielectrics film 8 comprising BST provided entirely so as to cover the upper part of a plurality of storage node electrodes SN2.例文帳に追加

ストレージノード電極ＳＮ２はプラグ６上にそれぞれ設けられ、複数のストレージノード電極ＳＮ２の上部を覆うようにＢＳＴで構成される誘電体膜８が全面的に配設されている。 - 特許庁

The high dielectric film 12 composed of BST and an upper electrode 13 composed of Pt are successively provided so as to cover the lower electrode 10 and the low dielectric constant film 11.例文帳に追加

下部電極１０と低誘電率膜１１とを覆うように、ＢＳＴからなる高誘電体膜１２とＰｔからなる上部電極１３とを順次設ける。 - 特許庁

To provide a method and equipment for fabricating semiconductor device, by which a high dielectric film such as BST film or ST film that is excellent in film forming properties, such as electrical properties is made.例文帳に追加

電気特性等の成膜特性に優れたＢＳＴ膜やＳＴ膜等の高誘電体膜を形成することができる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

The temperature on the downstream side is made higher than that on the upstream side, whereby the nonuni forming of the composition of the BST film on the wafer 75 is improved between the upstream and downstream sides of the film.例文帳に追加

原料ガスの流れにおける下流側の加熱温度を上流側よりも高くすることにより、Ｓｉウェハ７５上のＢＳＴ膜の上流側と下流側とにおける膜の組成の不均一を改善する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a thin film dielectric element, BT, ST or BST is formed and then a thin film dielectric is annealed.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明の薄膜誘電体素子の製造方法は、ＢＴ、ＳＴやＢＳＴを形成した後に、その薄膜誘電体をアニールするものである。 - 特許庁

A base titanium nitride film 47 is etched, and then a BST film 58 which is capacitor insulating film is piled without removing the silicon oxide film 52.例文帳に追加

下地の窒化チタン膜４７をさらにエッチングした後、シリコン酸化膜５２を除去することなく、容量絶縁膜となるＢＳＴ膜５８を堆積する。 - 特許庁

By enhancing Ti- content of the second raw gas higher than that of the first raw gas, the ununiformity of the composition of the BST film in the upstream and downstream sides of the film on the wafer 75 is modified.例文帳に追加

第２の原料ガスのＴｉ含有率を第１の原料ガスよりも高めることにより、Ｓｉウェハ７５上のＢＳＴ膜の上流側と下流側とにおける膜の組成の不均一を改善する。 - 特許庁

The dielectric layer is formed of a dielectric substance film with a high permittivity such as BST, etc., and the coating film of the dielectric substance film is annealed at 600°C or higher at a high speed (RTA) for crystalization.例文帳に追加

誘電体層は、ＢＳＴ等の高誘電率の誘電体物質膜であって、赤外線ランプを用いて、誘電体物質膜の塗膜に６００℃以上の温度で高速アニーリング（ＲＴＡ）を施し、結晶化させる。 - 特許庁

The modulation error ratio measurement apparatus automatically detects a signal parameter GP of a digital broadcast signal (a) modulated by the BST-OFDM modulation system adopted by the ISDB-T system.例文帳に追加

ＩＳＤＢ—Ｔシステムで採用されるＢＳＴ—ＯＦＤＭ変調方式で変調されたデジタル放送信号（ａ）の信号パラメータＧＰを自動検出する。 - 特許庁

To provide a barium compound precursor which is a monomer or a dimer, and is thermally stable, easily volatile, much fitted to BST (barium strontium titanate) produced by ALD (atomic layer deposition) or CVD (chemical vapor deposition) and is not fluorinated.例文帳に追加

単量体又は二量体であり、熱的に安定な、易揮発性であり、且つＡＬＤ又はＣＶＤにより製造されるＢＳＴに非常に適したフッ素化されていないバリウム前駆体を提供する。 - 特許庁

A conductor film 37 for connection composed of TiAlN is provided over the upper surface and the side face of upper barrier metal 36 and over the side face of a Pt film 35 and a BST film 34.例文帳に追加

そして、上部バリアメタル３６の上面と側面，Ｐｔ膜３５及びＢＳＴ膜３４の側面に亘って、ＴｉＡｌＮからなる接続用導体膜３７が設けられている。 - 特許庁

Then, a conductor sidewall 40 consisting of TiaAlN is provided along the sidewall of a hard mask 37, an upper barrier metal 36, a Pt film 35, and a BST film 34.例文帳に追加

そして、ハードマスク３７，上部バリアメタル３６，Ｐｔ膜３５及びＢＳＴ膜３４の側面に亘って、ＴｉＡｌＮからなる導体サイドウォール４０が設けられている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a connector substrate which is applicable in manufacturing an interposer equipped with a passive device formed of high dielectric material, such as BST or the like that requires a high-temperature process.例文帳に追加

ＢＳＴ等の高温プロセスが必要な高誘電体材料を用いた受動素子を備えたインタポーザの製造に適用できるコネクタ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, when the inside wall surface of the cell capacitor is formed as a structure of the SRO film, the BST film and the SRO film, an increase in the number of processes is prevented, and the capacitance of a capacitor can be increased.例文帳に追加

しかも、セルキャパシタの内壁面をＳＲＯ膜／ＢＳＴ膜／ＳＲＯ膜構造とすることにより、工程数の増大を防止してキャパシタ容量を増大できる。 - 特許庁