「impurity」に関連した英語例文の一覧と使い方(147ページ目) - Weblio英語例文検索

An image sensor comprises a first conductive type semiconductor substrate on which a trench is formed in a specified region, a second conductive type impurity region for a photo diode formed on the substrate at a lower part of the bottom surface of the trench, a second conductive type first epitaxial layer for the photo diode embedded in the trench, and a first conductive type second epitaxial layer formed on the first epitaxial layer.例文帳に追加

所定領域にトレンチが形成された第１導電型の半導体基板と、前記トレンチの底面下部の前記基板内に形成されたフォトダイオード用第２導電型の不純物領域と、前記トレンチに埋め込まれたフォトダイオード用第２導電型の第１のエピタキシャル層と、該第１のエピタキシャル層上に形成された第１導電型の第２のエピタキシャル層とを備えるイメージセンサが提供される。 - 特許庁

The optimal operating temperature control method for the high-output diamond semiconductor element is characterized in that the optimal operating temperature of the high-output diamond semiconductor element is set by controlling impurity doping density, the high-output diamond semiconductor element having a structure comprising a Schottky electrode as a cathode, a diamond p^- drift layer, a diamond p^+ ohmic layer, and an ohmic electrode as an anode.例文帳に追加

ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、ショットキー電極、ダイヤモンドｐ^−ドリフト層、ダイヤモンドｐ^＋オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、不純物ドーピング濃度をコントロールすることにより、高出力ダイヤモンド半導体素子の最適作動温度を設定することを特徴とする高出力ダイヤモンド半導体素子の最適作動温度制御方法。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a silicon substrate, a gate insulation film formed on the surface of the silicon substrate, a gate electrode formed on the gate insulation film, source/drain diffusing layers formed on both sides of the gate insulating film of the silicon substrate, a film involving a metal oxide formed on the source/drain diffusing layer, and a polycrystalline silicon film involving impurity formed on the film involving the metal oxide.例文帳に追加

シリコン基板と、シリコン基板の表面に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、シリコン基板の前記ゲート絶縁膜の両側に形成されたソース／ドレイン拡散層と、ソース／ドレイン拡散層上に形成された金属酸化物を含有する膜と、金属酸化物を含有する膜上に形成された、不純物を含有する多結晶シリコン膜とを備えることを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

When ions are injected into a channel area so as to suppress short-channel effects, one or both of depletion NMOS transistor 4 and an enhanced NMOS transistor 5 constituting the depletion MOS reference voltage circuit are shielded by a mask to prevent impurity ions from being injected into them, and consequently one or both of the depletion NMOS transistor 4 and enhanced NMOS transistor 5 do not have a punch-through stopper layer.例文帳に追加

チャネル領域に短チャネル効果を抑制するためのイオン注入をおこなう際に、デプレッションＭＯＳ基準電圧回路を構成するデプレッション型ＮＭＯＳトランジスタ４およびエンハンスメント型ＮＭＯＳトランジスタ５の一方または両方をマスクによって遮蔽してそれらに不純物イオンが注入されるのを防ぎ、それによってそれらデプレッション型ＮＭＯＳトランジスタ４およびエンハンスメント型ＮＭＯＳトランジスタ５の一方または両方がパンチスルーストッパー層を有しない構成とする。 - 特許庁

The impurity removal device 10 includes: a first catalyst 1 for removing oxygen contained in the fuel by oxidation reaction; a second catalyst 2 for converting the aromatic compound contained in the fuel into saturated hydrocarbon by hydrogenation reaction, a third catalyst 3 for converting the sulfur compound contained in the fuel into hydrogen sulfide by hydrogenation reaction; and a fourth catalyst 4 for removing hydrogen sulfide produced by the third catalyst.例文帳に追加

不純物除去装置１０は、燃料に含まれる酸素を酸化反応により除去するための第１の触媒１と、燃料に含まれる芳香族化合物を水素添加反応により飽和炭化水素に変換するための第２の触媒２と、燃料に含まれる硫黄化合物を水素添加反応により硫化水素に変換する第３の触媒３と、前記第３の触媒により生成した硫化水素を除去するための第４の触媒４とを備える。 - 特許庁

The method for producing the fine complex particle contains one or more processes to grow a II-VI group compound different from band gap with the first II-VI group compound on the surface of the fine particle and one or more processes to grow the II-VI group compound at least different from impurity concentration.例文帳に追加

第一のII−VI族系化合物の微細粒子の表面に、前記第一のII−VI族系化合物とバンドギャップが異なるII−VI族系化合物を成長させる成長工程を１以上含むことを特徴とする複合微細粒子の製造方法および第一のII−VI族系化合物の微細粒子の表面に、前記第一のII−VI族系化合物と少なくとも不純物濃度が異なるII−VI族系化合物を成長させる成長工程を１以上含むことを特徴とする複合微細粒子の製造方法である。 - 特許庁

The peripheral circuit region 63 comprises second semiconductor regions 9 formed on a semiconductor substrate 50, a second gate insulation film 12 which is formed thinner thin a first gate insulation film 13, a second gate electrode 15 formed on the second gate insulation film 12, and source and drain regions 31, doped with an impurity of the first conductivity type, formed in the second semiconductor regions 9 in both sides of the second gate electrode 15.例文帳に追加

周辺回路領域６３は、半導体基板５０に形成された第２半導体領域９と、第１のゲート絶縁膜１３よりも薄い厚みを有する第２のゲート絶縁膜１２と、第２のゲート絶縁膜１２上に形成された第２のゲート電極１５と、第２のゲート電極１５の両側で第２半導体領域９に形成され、第１導電型の不純物がドープされたソースおよびドレイン領域３１とを含む。 - 特許庁

A vertical MOSFET suppresses a parasitic bipolar transistor performance to improve the avalanche resistance by forming n-type regions 8 having an impurity concentration lower than an n-type substrate 1 or a p-type region 9 about the central part of a unit arrangement region having the apexes of FET cells 10 and diode cells 11 arranged on the surface of the n-type semiconductor substrate 1 with equal intervals.例文帳に追加

本発明の縦型ＭＯＳＦＥＴは、Ｎ型半導体基板１の表面上に等間隔に配置されたＦＥＴセル１０及びダイオードセル１１を頂点とした単位配置領域の中央部分を中心として、Ｎ型基板１よりも不純物濃度の低いＮ型領域８を形成するか、もしくはＰ型領域９を形成することにより、寄生バイポーラトランジスタ動作を抑制してアバランシェ耐量を向上する。 - 特許庁

To control and improve the impurity of materials and fuels and safety and accuracy of products on the basis of absorption of CO_2 and tangible TQC by predicting a global-scale large disaster, while paying attention to the substances (new energy, new raw materials and new catalysts) by efficiently using the illegally wasted soil and water quality causing pollution and substances badly influencing the environment if emitted.例文帳に追加

以前不法に捨てられて公害を引き起こしている土壌や水質，これから環境中に放出すると悪影響を及ぼす物質を有効に利用して、省エネルギーに貢献する物質（新エネルギー・新素材・新触媒）に着目し、地球規模での大規模災害の起きる前に予測して、ＣＯ２の吸収とその生産とそのタンジブル・ＴＱＣにより原料や燃料の純度と生産物の安全性や精度を制御・改善する。 - 特許庁

This CMOS image sensor includes a semiconductor substrate in which an active region and an element isolation region are segmented, a photodiode region and a transistor region which are formed on the active region, a gate electrode formed on the transistor region and having first and second heights, and a diffusion region formed by implanting impurity ions into the photodiode region and the transistor region.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサは、アクティブ領域と素子分離領域が区画された半導体基板と、アクティブ領域に形成されたフォトダイオード領域とトランジスタ領域と、トランジスタ領域に形成された第１の高さと第２の高さを有するゲート電極と、フォトダイオード領域とトランジスタ領域に不純物イオンが注入されて形成された拡散領域と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The well region is formed while it is divided into at least two layers in the depthwise direction, and the impurity concentration of the first shallowest layer in the well region is smaller than that of other layers.例文帳に追加

２次元配列されたフォトダイオードを含む受光部を有するＭＯＳ型固体撮像装置であって、半導体基板上に形成された第１導電型のウェル領域と、前記第１導電型のウェル領域中に形成された第２導電型の領域からなるフォトダイオード部とを有し、前記ウェル領域は深さ方向に２層以上に分割して形成され、前記ウェル領域における最も浅い第１層の不純物濃度は他の層に比べて低い。 - 特許庁

The MOSFET comprises a gate electrode formed on a first conductivity type semiconductor substrate, and a trench gate electrode formed contiguously to the gate electrode while being buried in a trench made in the surface of the semiconductor substrate and outputs an AND logic for each gate input wherein the impurity concentration directly below the gate electrode is set higher than that directly below the trench gate electrode.例文帳に追加

第１導電型半導体基板上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極に隣接し、前記半導体基板表面に形成されたトレンチ内に埋め込み形成されたトレンチゲート電極とを有し、それぞれのゲート入力に対してＡＮＤ論理を出力するＭＯＳＦＥＴであって、前記ゲート電極直下の不純物濃度が、トレンチゲート電極直下の不純物濃度よりも高く設定されているＭＯＳＦＥＴ。 - 特許庁

The concentration profile of Si ion in the N-type GaAs layer is made to decrease in the depth direction from the bonding surface with a Schottky metal layer 14, by controlling the maximum concentration position of the injected Si ions to be in the Schottky metal layer 14 or near the bonding surface of both layers, when Si ions as N type impurity ions are injected into N-type GaAs layer 13 through a Schottky metal layer 14.例文帳に追加

Ｎ型不純物イオンとしてのＳｉイオンをショットキー金属層１４を介してＮ^- 型ＧａＡｓ層１３に注入する際、注入Ｓｉイオンの最大濃度位置がショットキー金属層１４内または両者の接合面近傍になるように制御して、Ｎ^-型ＧａＡｓ層１３内のＳｉイオンがショットキー金属層１４との接合面から深さ方向に向かって減少する濃度プロファイルとなるようにする。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a hole forming process of forming a contact hole common to a first conductivity type region and a second conductivity type region, an implantation process of implanting an impurity in at least one of the first conductivity type region and a second conductivity type region, and a plug forming process of forming a shared contact plug by charging a conductive material in the contact hole.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、第１導電型領域と第２導電型領域とに対して共通のコンタクトホールを形成するホール形成工程と、前記第１導電型領域および前記第２導電型領域の少なくとも一方に対して不純物を注入する注入工程と、前記コンタクトホールに導電材料を充填してシェアードコンタクトプラグを形成するプラグ形成工程とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate in which a heavily doped layer having a resistance that is uniform within a lot is easily formed, and furthermore any protective film for inhibiting out-diffusion of the impurity from the heavily doped layer is not required.例文帳に追加

この発明は、低濃度の不純物を含有する低濃度不純物基板に高濃度不純物拡散層を形成し、更にその上層に前記高濃度不純物拡散層より低濃度の不純物を含有するエピタキシャル層を形成した構造とすることで、ロット内で均一な抵抗を有する高濃度不純物層を容易に形成することができ、しかも高濃度不純物層からの不純物の外方拡散を防ぐための保護膜を必要としない半導体基板を得ようとするものである。 - 特許庁

The depth to the peak position depends on the film thickness of the resist pattern through which the impurity ions to be implanted pass.例文帳に追加

本方法は、光透過率が互いに異なる複数の領域を含むフォトマスクを用いて、半導体基板に塗布されたフォトレジストを露光する露光工程と、フォトレジストを現像して、フォトレジストの露光量に依存した互いに異なる膜厚を有する複数の領域を含むレジストパターンを形成する現像工程と、レジストパターンの膜厚が互いに異なる複数の領域を通して半導体基板に不純物イオンを注入して、半導体基板の表面からピーク位置までの深さが互いに異なる複数の不純物領域を形成する注入工程とを有し、ピーク位置までの深さは、注入される不純物イオンが通るレジストパターンの膜厚に依存することを特徴とする。 - 特許庁

In this case, the first and second unit cells are connected in series by allowing the second impurity semiconductor layer to abut on the third one, an insulation layer is provided on a surface at a side opposite to the single crystal semiconductor layer of the first electrode, and the insulation layer is joined to a support substrate.例文帳に追加

単結晶半導体層の一方の面に第１電極と一導電型の第１不純物半導体層が設けられ、他方の面に一導電型とは逆の導電型の第２不純物半導体層が設けられた第１ユニットセルと、非単結晶半導体層の一方の面に一導電型の第３不純物半導体層が設けられ、他方の面に一導電型とは逆の導電型の第４純物半導体層と第２電極が設けられた第２ユニットセルとを有し、第１ユニットセルと第２ユニットセルは、第２不純物半導体層と第３不純物半導体層が接することで直列接続され、第１電極の単結晶半導体層とは反対側の面に絶縁層が設けられ、絶縁層が支持基板と接合している光電変換装置である。 - 特許庁

According to the production method, since the concentrated slurry containing the transition metal hydroxide is obtained by the cross-flow filtration and direct drying, the transition metal hydroxide can be produced as a dry product with little impurity without passing through wet cake, and the transition metal hydroxide which is suitable as a raw material of a secondary battery positive electrode material can be produced at high productivity.例文帳に追加

工程（１）：遷移金属元素を含む溶液をアルカリと接触させることにより遷移金属水酸化物を主成分とする沈殿物成分を含む原液スラリーを得る工程工程（２）：クロスフローろ過によって、前記スラリー中の沈殿物成分の濃縮を行って濃縮スラリーを得る工程工程（３）：前記濃縮スラリーを直接乾燥する工程 この製造方法によると、クロスフローろ過によって遷移金属水酸化物を含む濃縮スラリーを得、これを直接乾燥するので、ウェットケークを経ることなく不純物の少ない乾燥物として遷移金属水酸化物を製造することができ、二次電池正極材の原料として好適な遷移金属水酸化物を高い生産性にて製造することが可能になる。 - 特許庁