「lift off」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

MANUFACTURING METHOD OF PRINTED CIRCUIT BOARD INCORPORATING THIN FILM CAPACITOR HAVING DIELECTRIC THIN FILM USING LASER LIFT-OFF, AND PRINTED CIRCUIT BOARD INCORPORATING ITS THIN FILM CAPACITOR MANUFACTURED BY THIS METHOD例文帳に追加

レーザリフトオフを用いた誘電体薄膜を有する薄膜キャパシタが内蔵された印刷回路基板の製造方法、及びこれから製造された薄膜キャパシタが内蔵された印刷回路基板 - 特許庁

To provide a liquid fuel combustion device capable of effectively preventing the lift and blow-off of flame by lowering an air-fuel ratio to perform ignition at the time of cold start-up.例文帳に追加

冷間始動時に空燃比を下げて着火を行うことで火炎のリフト、吹き消しを効果的に防止することができる液体燃料燃焼装置を提供すること - 特許庁

To perform precise measurement by removing permeability and resistivity of a carburizing layer and a measuring error such as lift-off as much as possible in carburizing depth measurement using an eddy current sensor.例文帳に追加

渦流センサを用いた浸炭深さの測定において，浸炭層の透磁率や比抵抗，リフトオフ等の測定誤差をできる限り排除して正確な測定をする。 - 特許庁

To provide a thin film capacitor-incorporating wiring board capable of minimizing damage of a dielectric film for a thin film capacitor, by improving a transfer step using a laser lift-off step.例文帳に追加

本発明は、レーザーリフトオフ工程を利用した転写工程を改善することによって、薄膜キャパシタのための誘電体膜の損傷を最小化することができる薄膜キャパシタ内蔵型配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming an electrode for a semiconductor device capable of preventing occurrence of galvanic corrosion and precisely forming a micro-electrode when forming a micro-electrode with a lift-off method using an insulation film.例文帳に追加

絶縁膜を用いたリフトオフ法によって微細な電極を形成する場合に、電食反応の発生を防ぐことができ、非常に微細な電極を正確に形成することができる半導体装置用電極の形成方法を提供する。 - 特許庁

In a manufacturing process, after source and drain electrodes 16a, 16b of an FET are formed, a gate electrode 18a of the FET and the lower electrode 18b of the MIM capacitor are simultaneously formed by a lift-off method.例文帳に追加

製造工程において、ＦＥＴのソース・ドレイン電極１６ａ・１６ｂを形成した後に、リフトオフ法によりＦＥＴのゲート電極１８ａとＭＩＭキャパシタの下側電極１８ｂとを同時に形成する。 - 特許庁

Removing the metal film deposited on a photo resist by lift-off thereafter can obtain the circuit board wherein no burr takes place at the ends of the metal film 36.例文帳に追加

この後、リフトオフによりフォトレジスト上に堆積した金属膜を基板から除去すると、金属膜３６の端部にバリの無い回路基板が得られる。 - 特許庁

The lift-off positive resist composition comprises a base resin component (A) and an acid generator component (B) which generates an acid by exposure, wherein the base resin component (A) is a silicone resin.例文帳に追加

ベース樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含み、前記ベース樹脂成分（Ａ）がシリコーン樹脂であることを特徴とするリフトオフ用ポジ型レジスト組成物。 - 特許庁

In addition, a lift-off method without requiring an etching process for patterning a source electrode and a drain electrode of the pixel part, and source wiring extending in the terminal part is employed.例文帳に追加

さらには、画素部のソース電極及びドレイン電極と端子部に延在するソース配線のパターニングにエッチング工程を必要としないリフトオフ方法を採用する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a printed circuit board incorporating a capacitor having a dielectric thin film using a laser lift-off and a capacitor manufactured by this method.例文帳に追加

レーザリフトオフを用いた誘電体薄膜を有するキャパシタが内蔵された印刷回路基板の製造方法及びこれから製造されたキャパシタを提供する。 - 特許庁

To provide techniques further reducing dislocation density of a group III nitride semiconductor and significantly reducing the time required for a chemical lift-off process in manufacturing a self-support substrate and manufacturing a semiconductor element.例文帳に追加

III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に、自立基板製造時および半導体素子製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能な手法を提供する。 - 特許庁

This allows, in the compound substrate 10, a desired metal pattern to be formed on a surface of the piezoelectric substrate by lift-off processing using photolithography.例文帳に追加

これにより、この複合基板１０では、フォトリソグラフィを用いたリフトオフ加工により所望の金属パターンが圧電基板の表面に形成される。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device and its manufacturing method which minimize crack and damage to be generated in a nitride semiconductor unit element, when a laser lift-off process is performed.例文帳に追加

レーザリフトオフ工程時、窒化物半導体単位素子に発生するクラックや損傷を最小限にする窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a lift-off testing method of an anchor, capable of re-tensioning various anchors, and improving efficiency and safety of testing work.例文帳に追加

多様なアンカーに対して再緊張が可能であり、かつ試験作業の効率と安全性を向上させたアンカーのリフトオフ試験方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, after the removal of electrostatic attraction, the electrostatic attraction due to the residual charges causing the substrate 30 to slip off from lift pins 9 and 10 or to be displaced on the pin 9 and 10 is prevented.例文帳に追加

従って、静電吸着解除後、残留電荷による静電吸着力により、基板３０がリフトピン９、１０から滑落したり、リフトピン９、１０上で位置ズレしないようにすることができる。 - 特許庁

Thereafter, if the bump precursor is reflowed by lift-off, the miniaturized micro solder bump 5 having no residual and a uniform bump radius can be formed on a pedestal 4 by a surface tension.例文帳に追加

この後、リフトオフにより、バンプ前駆体をリフローすると、残存物がなく、均一なバンプ径を有する微小マイクロはんだバンプ５を、表面張力により台座４に形成できる。 - 特許庁

The p-type electrode is bonded onto a retaining substrate 6 and, thereafter, the matrix substrate 1 is separated by laser lift-off method to expose the nitrogen surface of the n-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｐ型電極と保持基板６とを貼り合わせた後、レーザリフトオフ法により母材基板１を剥離してｎ型半導体層２の窒素面を露出させる。 - 特許庁

Subsequently, the P-type organic semiconductor layer 7 is formed on the whole surface and the resist 20 is dissolved in an alkaline developer solution and then the P-type organic semiconductor layer is patterned by means of lift off process.例文帳に追加

次いで、Ｐ型有機半導体層７が全面に形成された後、アルカリ現像液によってレジスト２０が溶解させられ、Ｐ型有機半導体層７がリフトオフによりパターン化される。 - 特許庁

A photoresist layer is formed on the PMGI layer 28, and a two-layer lift-off stencil mask (a laterally symmetric overhang part is included) is formed with its uniform height upward of the GMR layer 26.例文帳に追加

ＰＭＧＩ層２８上にフォトレジスト層が形成され、ＧＭＲ層２６の上方において均一な高さに２層リフトオフステンシルマスク（左右対象なオーバーハング部分を含む）が形成される。 - 特許庁

To provide a vehicular lift capable of making a wheelchair get on and off a vehicle and capable of housing the wheelchair in a state of turning in the traveling direction of the vehicle.例文帳に追加

車両に対して車椅子を乗降することができると共に、その車椅子を車両の走行方向に向く状態で格納することができるようにした車両用昇降装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a simple method of manufacturing a semiconductor device for forming a gate electrode by a lift-off process by which elements can be miniaturized.例文帳に追加

本発明は、リフトオフ加工によりゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、素子の微細化が可能でかつ、簡単な製造方法を提供することである。 - 特許庁

The organic dielectric material is used to obtain the advantage that lift-off is hardly caused in the subsequent manufacturing process even if the temperature is low in the manufacturing process.例文帳に追加

有機誘電材料を使用することによって製造工程で温度が低くてもその後の製造工程に於いて剥離しにくいという長所を具える。 - 特許庁

A glass thin film 42B is formed by a second resist lift-off to surround a part of the ITO thin film 17B corresponding to a segment electrode part confronting a diaphragm (ST11).例文帳に追加

第２回目のレジストリフトオフにより、ＩＴＯ薄膜１７Ｂにおける振動板に対峙しているセグメント電極部に対応する部分を取り囲む状態にガラス薄膜４２Ｂを形成する（ステップＳＴ１１）。 - 特許庁

The Ni films 5, the Pt films 6 and the Au films 7 formed on the photo-resists 4 are removed together with the photo-resists 3 and 4 by a lift-off method.例文帳に追加

その後、リフトオフ法によりフォトレジスト４上に形成されたＮｉ膜５、Ｐｔ膜６およびＡｕ膜７をフォトレジスト３，４とともに取り除く。 - 特許庁

The optical multilayer film 41G is formed over a mask layer 31 for the lift-off method formed on a substrate 21 and a crack 52 is introduced into a difference part 50 formed by the mask layer 31.例文帳に追加

基板２１の上に形成されたリフトオフ用のマスク層３１に重ねて、光学多層膜４１Ｇを形成し、マスク層３１により形成された段差部分５０にクラック５２を導入する。 - 特許庁

To provide a lead wire free from the generation of lift-off at the time of soldering, excellent in solder wettability and further excellent in bending workability and to provide electronic parts using the same.例文帳に追加

はんだ付け時にリフトオフを発生せず、はんだ濡れ性が優れ、また曲げ加工性も優れているリード線とそれを用いた電子部品を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preparing a surface emitting semiconductor laser capable of forming a dielectric bragg reflector having a desired shape by reducing deformation of a mask in lift-off.例文帳に追加

リフトオフの際のマスクの変形を低減することにより、所望の形状を有する誘電体ブラッグ反射器を形成することが可能な面発光半導体レーザを作製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electron source in which the lower electrode can be patterned in cross-sectionally trapezoidal shape and the yield of manufacture can be made greater compared with the case of patterning the lower electrode using a lift-off method.例文帳に追加

下部電極を断面台形状の形状にパターニングすることができ且つリフトオフ法を利用して下部電極をパターニングする場合に比べて製造歩留まりを高めることができる電子源の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method further comprises the steps of then etching the protective film (step S14), forming a metal thin film (step S16), and forming an electrode layer by using a lift-off method (step S18).例文帳に追加

その後、保護膜のエッチング（工程Ｓ１４）と金属薄膜の形成とを（工程Ｓ１６）行ない、リフトオフ法を用いて電極層（工程Ｓ１８）を形成する。 - 特許庁

In this method, the lift-off piece separated from the substrate 1a moves on a mask layer 15 on the substrate 1a and reaches the edge of the substrate 1a as shown by an arrow C.例文帳に追加

この方法では、基板１ａから剥離されたリフトオフ片は、矢印Ｃにより示されるように基板１ａ上のマスク層１５上を移動して基板１ａのエッジに到達する。 - 特許庁

An inventive anti-oxidation film S is formed on a second metal layer 106c of gold (Au) having a thickness of about 200 nm and located above a p-type contact layer 105b by lift-off method employing photolithography.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１０５ｂの上方に位置する金（Ａｕ）から成る膜厚約２００ｎｍの第２金属層１０６ｃの上には、フォトリソグラフィーを用いたリフトオフ法にしたがって、本発明の酸化防止膜Ｓを形成する。 - 特許庁

After a resist layer R2 having an aperture H2 having an opening diameter L2 is formed (S5), a gate electrode 21 is formed to a part of the aperture H2 with the lift-off method (S6).例文帳に追加

開口径Ｌ２の開口部Ｈ２を有するレジスト層Ｒ２を形成したのち（Ｓ５）リフトオフにより開口部Ｈ２の部位にゲート電極２１を形成する（Ｓ６）。 - 特許庁

After covering a metallic electrode material, a lift-off using a contact pattern formed on an intermediate insulation film 22p and a first resist 20p is used to process a metallic electrode.例文帳に追加

金属電極材料を成膜した後、中間絶縁膜２２ｐ及び第１レジスト２０ｐに形成されたコンタクトパターンを用いたリフトオフにより金属電極を加工する。 - 特許庁

After forming the film of the barrier metal layer F2, the barrier metal layer F2 on the second bank B2 is removed together with the second bank B2 by lift off method to form the conductive film pattern F.例文帳に追加

バリアメタル層Ｆ２の成膜後、リフトオフ法により、第２のバンクＢ２とともに第２のバンクＢ２上のバリアメタル層Ｆ２を除去し、導電膜パターンＦを形成する。 - 特許庁

High-frequency characteristics not causing unnecessary parasitic capacity between a gate and a source and between the gate and a drain can be improved by forming a gate electrode by a lift-off method.例文帳に追加

さらに、リフトオフ法によるゲート電極形成によって、ゲート・ソース間及びゲート・ドレイン間の、不要な寄生容量が存在せず、高周波特性の改善が可能となる。 - 特許庁

Such protective walls 52, 54 are formed by increasing the thickness of the Al wiring in a necessary part and the bonding pad by lift off after normal Al wiring patterning.例文帳に追加

このような保護壁５２，５４は、通常のＡｌ配線パターニングの後、リフトオフにより必要な部分のＡｌ配線およびボンディングパッドのＡｌ厚を増やすことにより形成される。 - 特許庁

To generate a flaw signal of the largest amplitude when detecting coils are located immediately above a flaw in a probe for eddy current flaw detection, to reduce a lift-off noise, and to generate flaw signals to omnidirectional flaws.例文帳に追加

渦電流探傷用プローブにおいて、検出コイルがキズの真上に位置するとき最大振幅のキズ信号を発生し、かつリフトオフ雑音が小さく、全方向のキズに対してキズ信号を発生すること。 - 特許庁

To obtain metallic patterns having high accuracy and high reliability by forming mask patterns for a lift-off of an eaves structure by a process of preventing the contact of a substrate surface with water or aq. soln. on the substrate having high ruggedness.例文帳に追加

凹凸の大きい基板上で基板表面が水あるいは水溶液に接触しないプロセスにより庇構造のリフトオフ用マスクパターンを形成し、高精度かつ信頼性の高いメタルパターンを得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a planar optical waveguide circuit device for improving wiring pattern dimension accuracy by suppressing the resist contraction of a lift-off wiring process.例文帳に追加

リフトオフ配線プロセスにおけるレジスト収縮を抑制し、配線パターン寸法精度を向上させる平面光導波回路デバイスの製造方法を提供することである。 - 特許庁

By using a lift-off mask 40, a groove 42 is formed in a lower magnetic pole 11B by etching, and a nonmagnetic embedded layer 50 is formed by sputtering so as to embed at least the groove 42.例文帳に追加

リフトオフマスク４０を用いて、エッチング処理により下部磁極１１Ｂに溝４２を形成すると共に、スパッタリングにより少なくとも溝４２を埋め込むように非磁性埋込層５０を形成する。 - 特許庁

Furthermore, after an electron emitting material is filled up for the micropore, the electron emitting material formed on the sacrifice layer 14 is removed by the lift-off treatment of the sacrifice layer 14.例文帳に追加

さらに、微細孔に対して、電子放出材料を充填した後に、犠牲層１４のリフトオフ処理により、犠牲層１４上に形成された電子放出材料を除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which can prevent remaining of an unremoved melting layer after lift-off with inhibiting roughening of a surface of an Al layer on a surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面のＡｌ層の表面が荒れることを抑制しつつ、リフトオフの後に溶解層が剥離せずに残ることを防止し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

VERTICAL TAKING-OFF AND LANDING MACHINE INSTALLING RAPID WIND QUANTITY GENERATION WIND DIRECTION CHANGING DEVICE OF DOUBLE INVERSION TWO-AXIS TILT AS DEVICE FOR LIFT AND PROPULSION OF MACHINE BODY AND USING IT AS STEERING MEANS例文帳に追加

２重反転２軸ティルトの急速風量発生風向変更装置を機体の揚力と推進の装置として設置するとともに操縦の手段としても使用する垂直離着陸機 - 特許庁

To provide a polishing method capable of flat face having no hollow, lift, flaw or falling-off, relative to a sample including minerals having various hardnesses such as an ore or a metal refining intermediate.例文帳に追加

鉱石や金属製錬中間物のように様々な硬さの鉱物を含有する試料に対して、平滑で、凹みや浮上がり、傷、脱落のない面が得られる研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method or the like of forming a pattern by which the pattern is formed without using a resist as an etching mask and without using a lift-off method.例文帳に追加

レジストをエッチングマスクとして用いず、またリフトオフ法を用いることなくパターン形成が可能となるパターンの形成方法等を提供する。 - 特許庁