「nm」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A thickness d of a well layer of the saturable absorption layer meets 0.5 nm≤d≤4 nm, preferably 0.5 nm≤d≤3 nm.例文帳に追加

この厚さｄは、０．５ｎｍ≦ｄ≦３ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁

Primary particle size of the oxygen storing/releasing material particles 1 is 5 nm to 50 nm and primary particle size of the carrier particles 2 is 5 nm to 50 nm.例文帳に追加

酸素吸蔵放出材粒子１の一次粒子径は5 nm〜50nmであり、担体粒子２の一次粒子径は5 nm〜50nmである。 - 特許庁

Expression (I): 30 nm≤Re(548)≤80 nm; expression (II): 70 nm≤Rth(548)≤140 nm.例文帳に追加

式（Ｉ）３０ｎｍ≦Ｒｅ（５４８）≦８０ｎｍ、式（II）７０ｎｍ≦Ｒｔｈ（５４８）≦１４０ｎｍ - 特許庁

The film thickness of the coating metal ranges from 50 nm to 150 nm, preferably from 70 nm to 80 nm.例文帳に追加

被覆金属の膜厚は５０ｎｍ〜１５０ｎｍであり、好ましくは７０ｎｍ〜８０ｎｍである。 - 特許庁

The calcium carbonate can have a maximum mean average particle size of 200 nm.例文帳に追加

炭酸カルシウムは、200 nmの最大平均粒径を有しうる。 - 特許庁

The formula (II) is shown by Δn(450 nm)/Δn(550 nm)<1/0.例文帳に追加

式（II） Δｎ（４５０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）＜１．０ - 特許庁

Formula (1): A<520 nm, (2) |H-A|>15 nm.例文帳に追加

式（１） Ａ＜５２０ｎｍ 式（２） ｜Ｈ−Ａ｜＞１５ｎｍ - 特許庁

Thickness of the AlN layer is 2.5 nm to 8 nm.例文帳に追加

ＡｌＮ層の厚みが２．５ｎｍ以上８ｎｍ以下である。 - 特許庁

The LEDs used generate infrared light of 830 nm to 890 nm.例文帳に追加

LEDは830nm〜890nmの赤外光を発生するものを使用する。 - 特許庁

Preferably the particle diameter of the polymer is 30 nm to 150 nm.例文帳に追加

好ましくは、高分子の粒径が30nm〜150nmである。 - 特許庁

The guard band part 17 has ≤30 nm width d.例文帳に追加

ガードバンド部１７の幅ｄは30 nm以下である。 - 特許庁

The diameter of the particles is from 10 nm to 500 nm.例文帳に追加

前記粒子の直径が１０〜５００ｎｍである。 - 特許庁

The intermediate layer 6 is 10 nm to 20 nm in thickness.例文帳に追加

中間層６の厚さは１０ｎｍ〜２０ｎｍである。 - 特許庁

The well layer has a thickness of 3 nm to 20 nm.例文帳に追加

井戸層の厚さは３ｎｍより大きく２０ｎｍ以下である。 - 特許庁

The fibers exhibit a chromatic dispersion greater than 20±2.0 ps/(nm-km) and a dispersion slope less than 0.062 ps/(nm^2-km) at a wavelength of 1,550 nm.例文帳に追加

波長1,550nmにおけるファイバの色分散は、20±2.0ps(nm-km)より大きく、また、その分散傾斜は、0.062ps/(nm^2-km)より小さい。 - 特許庁

More specifically, in the case of the minimum dimensional unit as 1 nm, the width and the interval of the interconnection is not allowed to vary in 1 nm unit as 100 nm, 101 nm, 102 nm, 103 nm, ..., but the width of the interconnection is limited to vary in 100 nm unit as 100 nm, 200 nm, 300 nm, ....例文帳に追加

すなわち、最小寸法単位を１nmとした場合、配線幅および配線間隔を１００nm、１０１nm、１０２nm、１０３nm、・・・というふうに１nm単位で変更することを許可しないで、配線幅の変更刻みを例えば１００nmとすることにより、配線幅の変更を１００nm、２００nm、３００nm、・・・に制限している。 - 特許庁

For instance, the prescribed wavelength is 430 nm to 490 nm, and is preferably about 460 nm.例文帳に追加

例えば、前記所定の波長は、４３０ｎｍ〜４９０ｎｍ望ましくは４６０ｎｍ近傍である。 - 特許庁

To provide a photoresist composition suitable for short wavelength imaging, including sub-200 nm, particularly 193 nm or 157 nm.例文帳に追加

２００ｎｍ以下、特に１９３ｎｍまたは１５７ｎｍの波長を有する短波長イメージングに適する。 - 特許庁

Total dispersion is 1,530 nm and positive and at least 2 ps/nm-k and a dispersion gradient is <about 0.1 ps/nm^2-km.例文帳に追加

全分散は１５３０nｍで正且つ少なくとも２ps/nm-kmで、分散勾配は約0.1ps/nm^2-km未満ある。 - 特許庁

(2) λ/g≥1.4 and (3) λ/h≤5.0, wherein d (nm) is the average length of projections in a unit area, g (nm) is an average distance between projections, and h (nm) is the average height of projections.例文帳に追加

λ／ｄ≧１．０ （１） λ／ｇ≧１．４ （２） λ／ｈ≦５．０ （３） - 特許庁

The film thickness of a reflection film 2 is specified to be in the range of 20 to 45 nm, desirably to be 30 nm±5 nm.例文帳に追加

反射膜２の膜厚は２０ｎｍ〜４５ｎｍの範囲で、望ましくは３０ｎｍ±５ｎｍとする。 - 特許庁

The barrier-type anodic oxide coating has a thickness of 100-500 nm, preferably 150±30 nm or 300±20 nm.例文帳に追加

バリア型陽極酸化皮膜の厚さは、１５０±３０ｎｍ又は３００±２０ｎｍが好ましい。 - 特許庁

To provide an infrared cut filter and a medical endoscope using the infrared cut filter having a transmission band with wavelength 270-600 nm and a non-transmission band with wavelength 700-2,500 nm.例文帳に追加

波長270〜600 nmで透過帯を有し、波長700〜2,500 nmで不透過帯を有する赤外カットフィルター及びそれを用いた医療用内視鏡を提供すること。 - 特許庁

To provide a new photoresist suitable for short wavelength imaging, including ≤300 nm and ≤200 nm such as 193 nm and 157 nm.例文帳に追加

３００ｎｍ以下および２００ｎｍ以下、たとえば１９３ｎｍおよび１５７ｎｍを含む短波長イメージングに適した新規フォトレジストの提供。 - 特許庁

The transpulmonary preparation comprises protein nanoparticles containing an active ingredient and having an nm average particle size of 200 nm to 50 nm.例文帳に追加

活性成分を含有する平均粒径200nm以上500 nm以下のタンパク質ナノ粒子を含む、経肺用製剤。 - 特許庁

The wavelength of the near infrared rays is preferably ≥700 nm and ≤1,500 nm, more preferably ≥720 nm and ≤850 nm.例文帳に追加

この近赤外線光の波長は７００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であることが好ましく、波長７２０ｎｍ以上８５０ｎｍ以下がより好ましい。 - 特許庁

Thus, the top and bottom surfaces have roughnesses of 0.1 nm≤RMS≤0.5 nm and 0.1 nm≤RMS≤2 nm respectively.例文帳に追加

これらの方法により、表面および裏面の面粗度をそれぞれ０．１ｎｍ≦ＲＭＳ≦０．５ｎｍおよび０．１ｎｍ≦ＲＭＳ≦２ｎｍとすることができる。 - 特許庁

WRa (2.5)B=5-15 nm.例文帳に追加

ＷＲａ（２．５）Ｂ＝５〜１５ｎｍ。 - 特許庁

The thickness of the head gap fill layer formed by the ALD method is in the range from about 5 nm to 100 nm, more preferably from about 10 nm to 40 nm.例文帳に追加

ＡＬＤ−形成されたヘッドギャップフィルレイヤーの厚みは、約５ｎｍ〜１００ｎｍの間、好ましくは約１０ｎｍ〜４０ｎｍの間である。 - 特許庁

An etching grade when etching the SiO_2 of the gate oxide film 5 with a buffered hydrofluoric acid (BHF about 7%) is 1 nm/sec or more and 3 nm/sec or less.例文帳に追加

ゲート酸化膜５であるSiO_2をバッファードふっ酸(BHF約7%)でエッチングした場合のエッチングレートを、1 nm/sec以上3 nm/sec以下とした。 - 特許庁

The thickness of the fluorine-containing membrane layer is larger than 0 nm and 10 nm or smaller, and preferably in the range of 4 nm or more and 9 nm or less.例文帳に追加

フッ素を含む薄膜層の厚さは０ｎｍより大きく１０ｎｍ以下とし、好ましくは４ｎｍ以上９ｎｍ以下とする。 - 特許庁

The wavelength dispersion values of dispersion compensated optical fibers 2a to 2d are -10 ps/nm/km, -20 ps/nm/km, -30 ps/nm/km, and -40 ps/nm/km, respectively.例文帳に追加

各分散補償光ファイバ２ａ〜２ｄの波長分散値は、−１０ps/nm/km、−２０ps/nm/km、−３０ps/nm/km、−４０ps/nm/kmである。 - 特許庁

The particle size of the ultrafine fluorescent particle is usually 1 nm to 50 nm, preferably 1 nm to 10 nm.例文帳に追加

超微粒子蛍光体の平均粒子サイズは通常１ｎｍ〜５０ｎｍであり、好ましくは１ｎｍ〜１０ｎｍである。 - 特許庁

WRa (2.5) A=3-10 nm.例文帳に追加

ＷＲａ（２．５）Ａ＝３〜１０ｎｍ。 - 特許庁

The thin film thickness is 1 nm.例文帳に追加

この薄膜は１ｎｍ厚である。 - 特許庁

Furthermore D_N4 is ≤30 nm.例文帳に追加

さらにＤ_N4は３０ｎｍ以下である。 - 特許庁

The thickness of the thin film is 1 nm.例文帳に追加

この薄膜は１ｎｍ厚である。 - 特許庁

The thickness of the polycrystalline ferromagnetic layers is preferably 1 nm to 20 nm for example and more preferably 1 nm to 5 nm.例文帳に追加

多結晶強磁性層５の厚さは、例えば１ｎｍ〜２０ｎｍとすることが好ましく、１ｎｍ〜５ｎｍとすることがより好ましい。 - 特許庁

The first regions and the second regions have a distance of 0.1 nm to 10 nm, more preferably 1 nm to 5 nm between them, respectively.例文帳に追加

第１の領域と第２の領域とは、それぞれ、層の厚さ方向に、０．１ｎｍ〜１０ｎｍ、より好ましくは１ｎｍ〜５ｎｍの距離を有する。 - 特許庁

A micro crystalline thin film whose Argon(Ar) gas pressure is 5 mTorr and whose mean particle diameter is about 10 nm is accumulated by 300 nm so that an accumulated semiconductor thin film 33 can be obtained.例文帳に追加

アルゴン（Ａｒ）ガス圧を5 mTorrとし、平均粒径約10 nmの微結晶体薄膜を300 nm堆積し、堆積半導体薄膜３３とした。 - 特許庁

WRa (25) B=3-15 nm.例文帳に追加

ＷＲａ（２５）Ｂ＝３〜１５ｎｍ。 - 特許庁

The thickness of each film is as follows: the 1st dielectric film is 17.5-27.5 nm, the metal film (the main ingredient of which is Ag) is 5.5-7 nm, the 2nd dielectric film is 60-70 nm, the total of both dielectric films is 82.5-92.5 nm.例文帳に追加

各膜の膜厚を、第１誘電体膜：17.5〜27.5nm、金属膜（主成分：銀）：5.5〜7nm、第２誘電体膜：60〜70nm、両誘電体膜の合計：82.5〜92.5nmとする。 - 特許庁

The depth of the recessed portion 16 is not smaller than 2 nm and not larger than 20 nm preferably, and is not smaller than 5 nm and not larger than 16 nm more preferably.例文帳に追加

凹部１６の深さは、好ましくは２ｎｍ以上２０ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上１６ｎｍ以下である。 - 特許庁

Preferably, the substrate has an average thickness of at least 0.3 nm and at most 50 nm and an average size of at least 1 nm and at most 1,000 nm.例文帳に追加

基材の平均厚さは０．３ｎｍ以上５０ｎｍが好ましく、平均サイズは１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下が好ましい。 - 特許庁

Furthermore, D_N4 is 30 nm or less.例文帳に追加

さらにＤ_N4は３０ｎｍ以下である。 - 特許庁