「ohm」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

a unit of resistance equal to a billionth of an ohm 例文帳に追加

抵抗の単位で1オームの10億分の1に等しい - 日本語WordNet

Today we will carry out an experiment about Ohm's Law. 例文帳に追加

今日はオームの法則に関する実験を行います。 - Tanaka Corpus

IDEA FOR DIVERTING OHM'S LAW TO FLUID CIRCUIT例文帳に追加

”オームの法則を流体回路に転用するアイデア” - 特許庁

The vertical thickness of the first ohm contact is thicker than the thickness of the diameter direction of the second ohm contact.例文帳に追加

第１オームコンタクトの垂直厚さは、第２オームコンタクトの径方向の厚さより厚く形成されている。 - 特許庁

When an opening exists in the PCH slot setting the OHM at this time, furthermore, the OHM sent next is set into the slot.例文帳に追加

このとき、ＯＨＭをセットしたＰＣＨスロットに空きがあるとき、さらに、次に送るＯＨＭを当該スロットにセットする。 - 特許庁

To provide a vehicle equipped with an overhead module (OHM) allowing a control circuit such as an ECU to be installed inside the OHM because its temperature does not become high even in the summer.例文帳に追加

夏季でもＯＨＭが高温にならないため、ＥＣＵ等の制御回路をＯＨＭ内に設置可能な車両を提供する。 - 特許庁

Moreover, it is desired that the resistance rate of the target substance be less than 100 [Ohm-cm], especially, 60 [Ohm-cm].例文帳に追加

更に、ターゲット物質の抵抗率を１００［Ｏｈｍ−ｃｍ］未満、特に、６０［Ｏｈｍ−ｃｍ］未満とすることが好ましい。 - 特許庁

METHOD OF FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM OHM ELECTRODE ON NITRIDE GALLIUM FILM例文帳に追加

窒化ガリウム透明導電酸化膜オーム電極の作成方法 - 特許庁

The permanent resistor has resistance less than about 10,000 ohm.例文帳に追加

永久抵抗器は、約１０，０００オーム未満の抵抗を有する。 - 特許庁

ADHESIVE ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE WITH OHM METAL CONTACT PORTION例文帳に追加

オーム金属接触部を有する接着性有機発光装置 - 特許庁

The ohm's law is diverted to the calculation of the flow rate of a running water circuit.例文帳に追加

流水回路の流量計算にオームの法則を、適用。 - 特許庁

If the resistance is a few tenths of an ohm or less, it is a single-ended SCSI port. 例文帳に追加

抵抗が10分の何オームかそれ以下であれば、それはシングルエンドSCSIポートである。 - コンピューター用語辞典

The 10Base-2 standard (also called Thinnet) uses 50 ohm coaxial cable (RG-58 A/U) with maximum lengths of 185 meters. 例文帳に追加

10Base-2標準（シンネットとも呼ばれる）は, 最長185mの50オームの同軸ケーブル（RG-58 A/U）を用いるものである. - コンピューター用語辞典

A metal silicide 108 is used as an Ohm contact point layer in the TFT structure.例文帳に追加

金属ケイ化物１０８が、ＴＦＴ構造におけるオーム接点層として使用される。 - 特許庁

The first clamping piece 32 includes an ohm (Ω)-shaped insertion part 40 formed thereon in a projecting manner.例文帳に追加

第１挟持片３２には、オーム（Ω）形状の挿入部４０が突出して形成されている。 - 特許庁

Accordingly, the vehicle 1 allows the ECU etc. susceptible for a high temperature to be installed inside the OHM.例文帳に追加

従って、この車両１は、高温に弱いＥＣＵ等をＯＨＭ内に設置することができる。 - 特許庁

The etch stop layer 34 of a semiconductor device is a high-resistance film having a resistance greater than 10 ohm-cm.例文帳に追加

エッチング停止層は、１０Ω−ｃｍより大きい抵抗を有する高抵抗膜である。 - 特許庁

The PTC (positive temperature coefficient) polymer composition contains a mixture of a polymer, electroconductive particles and a volt-ohm improving agent of granular metal oxide to elevate volt-ohm of the composition.例文帳に追加

本発明のＰＴＣ（正の温度係数）重合体組成物は、重合体の混合物、導電体粒子及び該組成物の電圧抵抗を高める顆粒金属酸化物の電圧抵抗増進剤を含んでいる。 - 特許庁

The vehicle with the OHM is structured so that hot air in it is exhausted to the outside through a communication hole 34, an antenna lead draw-in hole 31, and an exhaust hole 42, and even in the summer, a temperature in the OHM 14 does not become high.例文帳に追加

この車両では、ＯＨＭの熱気が連通口３４、アンテナ線引込口３１、排気口４２を通って外部に排気され、夏季であってもＯＨＭ１４内の温度が高温にならない。 - 特許庁

a unit of electrical energy equal to the work done when a current of one ampere passes through a resistance of one ohm for one second 例文帳に追加

電気エネルギーの単位で、1アンペアの電流が1秒間1オームの抵抗を通過した時になされる仕事量と同じ - 日本語WordNet

in electronics, Ohm's law which shows that the voltage drop across a resistance is directly proportional to the current flowing through it 例文帳に追加

オームの法則という,ある抵抗における電圧の低下は,それを流れる電流と直接的に比例することを示す法則 - EDR日英対訳辞書

By removing the fixed resistors 25 and the zero-ohm resistors 27, the resistance value of the overall resistance adjusting circuit 21 as a can be adjusted.例文帳に追加

固定抵抗器２５や０オーム抵抗器２７を取り外すことで抵抗調整回路２１全体としての抵抗値を調整することができる。 - 特許庁

The base board 33 is grounded via plural capacitors arranged axially symmetrically so as to control the volumetric impedance to ≤10 ohm.例文帳に追加

ベース板３３は、１０オーム以下の容量性インピーダンスとなるよう軸対称に配置された複数のコンデンサ３６を介して接地されている。 - 特許庁

The first layer may contain an electroconductive carbon black which makes a surface resistivity not higher than 10^6 ohm.例文帳に追加

第１層は表面抵抗率を１０^6オーム以下にする導電性カーボンブラックを含むことができる。 - 特許庁

The ohm band 22 and a shield plate 28 are formed integrally to shield the contact between the probe 8 and the center conductor 18.例文帳に追加

オームバンド２２とシールド板２８が一体に形成され、プローブ８と中心導体１８との接続部を覆っている。 - 特許庁

This shield is not of ohm conductivity, and accordingly this can make contact with the conductor electrically in activity without affecting the action of a circuit.例文帳に追加

このシールドは、オーム導電性でなく、したがって、回路の動作に影響を与えることなく電気的に活動中の導体に接触することができる。 - 特許庁

The fixing member is made of the antistatic resin having 1×104 to 1×1014 ohm electric surface resistance ratio.例文帳に追加

固定部材は、電気表面抵抗率１×１０^4 〜１×１０^14オームの帯電防止樹脂により形成されている。 - 特許庁

The magnetic recording layer is formed over the support layer and has a resistivity less than about 1×10^8 ohm/square.例文帳に追加

磁気記録層は、支持層上に形成され、約１×１０^８オーム／スクエア未満の固有抵抗を有する。 - 特許庁

The length, section, and resistance of the lead are optimized so as to minimize heat conduction to a low temperature gas and heat transmission caused by an ohm resistance.例文帳に追加

リード部の長さ、断面、及び電気抵抗は、低温気体への熱伝導及びオーム抵抗の熱伝達を最小にするように最適化される。 - 特許庁

Rated output of the cooling circulating passage 1 is made to coincide with average ohm loss electric power of the inclined magnetic field coil system 2.例文帳に追加

冷却循環路（１）の定格出力を傾斜磁場コイルシステム（２）の平均オーム損失電力に一致させる。 - 特許庁

When it becomes possible to divert the ohm's law of an electric circuit to a fluid circuit, various kinds of electrical calculation formulas can also be diverted.例文帳に追加

流体回路に、電気回路のオームの法則を、流用することが可能となれば、種々の電気計算の公式も、流用が可能と考えます。 - 特許庁

The conduction pins 101, 102 are connected to an ohm meter 110 or the ground by switchover of switches 130, 132.例文帳に追加

導通ピン１０１、１０２は、切換スイッチ１３０、１３２による切り換えによってオームメータ１１０又はグラウンドに接地される。 - 特許庁

A first portion 20 of the chuck body, at a first side 14 of the electrode 12, has volume resistivity less than about 1×10^13 ohm cm at about 23°C.例文帳に追加

電極１２の第１の面１４における、チャック体の第１の部分２０は約２３℃で約１×１０^13ohm・cmより小さい体積比抵抗を有する。 - 特許庁

thus the OHM 1 prevents the passenger from averting his/her eyes from the front direction while driving a vehicle.例文帳に追加

従って、このＯＨＭ１を用いると、乗員が運転中前方から視線を逸らすことを防止することができる。 - 特許庁

A carrier concentration of the SiC layer 9 is set to 1×10^17cm^-3 or higher and resistivity is set to 10 mΩcm (milli ohm×cm) or lower.例文帳に追加

ＳｉＣ層９のキャリア濃度は１×１０^１７ｃｍ^−３以上とし、抵抗率は１０ｍΩｃｍ（ミリオーム・センチメートル）以下とする。 - 特許庁

A PCH Slot generating part 222 starts generation of a PCH slot by a signal supplied from a timer control part 210 and sets sequentially the OHM extracted from a PCH transmitting data buffer 221 on the basis of an OHM number counter into the PCH slot.例文帳に追加

ＰＣＨ Ｓｌｏｔ生成部２２２は、タイマ制御部２１０から供給される信号により、ＰＣＨスロットの生成を開始し、ＯＨＭ番号カウンタに基づきＰＣＨ送信データバッファ２２１から取り出したＯＨＭを、順次、ＰＣＨスロットにセットする。 - 特許庁

A thin-film transistor comprises: a substrate body; a semiconductor layer formed of a polycrystalline silicon film positioned on the substrate body having a surface resistance within the range of 2,000-8,000 ohm/sq; and a source electrode and a drain electrode each of which comes into contact with the semiconductor layer and is formed of a metal substance having a resistance within the range of 350-2,000 ohm.例文帳に追加

本発明の実施形態に係る薄膜トランジスターは、基板本体と、前記基板本体上に位置し、２０００〜８０００ｏｈｍ／ｓｑ範囲内の表面抵抗を有する多結晶シリコン膜で形成された半導体層と、前記半導体層とそれぞれ互いに接触し、３５０〜２０００ｏｈｍ範囲内の抵抗を有する金属物質で形成されたソース電極およびドレイン電極とを含む。 - 特許庁

The greatest merit for applying the ohm' s law to the calculation of flow rate is to approximately calculate the fluid circuit for designing the fast fluid circuit with simple calculation by bringing the idea of fluid resistance value into the fluid circuit and hence applying the ohm's law to the fluid cirucit of gigantic flow as well as that of weak flow.例文帳に追加

流量計算にオームの法則を、適用して得られる最大のメリットは、流体回路に、流体抵抗値という考え方を持ち込むとで、巨大な流れの流体回路から、微弱な流れの流体回路まで、オームの法則を適用することで、簡単な計算により、流体回路の概数計算ができ、速やかな、流体回路を設計することが出来ることです。 - 特許庁

In a short-circuiting line 29, a plurality of connecting terminals 31a1-31a3 for connecting one end of a zero-ohm chip resistor 23 to the short-circuiting line 29 is provided, the connecting position of the one end of the zero-ohm chip resistor 23 to the short-circuiting line 29 can be selected from the connecting terminals 31a1-31a3.例文帳に追加

短絡用線路２９には、ゼロオームチップ抵抗２３の一端を短絡用線路２９に接続するための複数の接続端子３１ａ１〜３１ａ３を設けており、短絡用線路２９にゼロオームチップ抵抗２３を接続の一端の接続位置を、接続端子３１ａ１〜３１ａ３から選択することができる。 - 特許庁

To form an ohm contact electrode by improving a Fermi energy level of an oddly shaped interface based on a tunnel effect of electrons and holes by an ion diffusion method.例文帳に追加

イオンの拡散方法で電子、正孔のトンネル効果により前記異形インターフェースのフェルミエネルギーレベルを改良してオーム接触電極を形成させる。 - 特許庁

Capacitance of the capacitor 57 is defined so that common mode/impedance at the port P2 in a selected frequency can serve substantially as zero ohm.例文帳に追加

キャパシタ５７のキャパシタンスは、選択された周波数におけるポートＰ２のコモンモード・インピーダンスが実質的にゼロ・オームとなるように選定される。 - 特許庁

The three-dimensional ramp device element model comprises: a Poisson equation model; an electron continuity equation model; a hole continuity equation; a Maxwell equation model; an eddy-current equation model; and an Ohm's law equation model.例文帳に追加

３次元ランプデバイス素子モデルは、ボアソン方程式モデルと、電子連続方程式モデルと、正孔連続方程式モデルと、マクスウェル方程式モデルと、渦電流方程式モデルと、オームの法則方程式モデルとを含む。 - 特許庁

The resistance adjusting circuit 21 has a plurality of zero-ohm resistors 27, which are removably soldered from the resistance adjusting circuit 21 and are connected in parallel with the respective second resistance units 24.例文帳に追加

抵抗調整回路２１は、該抵抗調整回路２１から取り外し可能な状態で半田付けされるとともに各第２抵抗部２４に対して並列に接続された複数の０オーム抵抗器２７を備えている。 - 特許庁

Since the fed current is made to flow in the direction of the circumference of the electrifying roll 1, the high resistance value (approximately 109 ohm) can be obtained and therefore stable electrification can be carried out.例文帳に追加

給電電流は帯電ローラ１の円周方向に流れるので、高い抵抗値（１０^９オーム程度）を得ることでき安定した帯電を行なうことができる。 - 特許庁

An aluminum oxide dielectric layer with high purity and having a volume specific resistivity of 108-1013 ohms cm or 1010-1013 ohm cm is formed on a substrate arranged electrodes thereon by an ultrafine particle beam deposition method.例文帳に追加

高純度でかつ体積固有抵抗値が１０^8〜１０^13Ω・ｃｍもしくは１０^10〜１０^13Ω・ｃｍである酸化アルミニウム誘電体層を超微粒子ビーム堆積法により電極を配置した基板上に形成した。 - 特許庁