「tic」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR STRUCTURE CONTAINING TiC FILM例文帳に追加

ＴｉＣ膜を含む半導体構造を形成する方法 - 特許庁

TiC-DISPERSED CAST IRON MATERIAL AND ITS PRODUCTION METHOD例文帳に追加

ＴｉＣ分散鋳鉄材及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING TiC AND TiCN例文帳に追加

ＴｉＣ又はＴｉＣＮの製造方法 - 特許庁

The thickness of the TiC layer may be 3 to 30 nm.例文帳に追加

前記ＴｉＣ層の厚みは、３〜３０ｎｍとすればよい。 - 特許庁

For terminfo based systems you will need to run a converterlike captoinfo and then compile the entry with tic . 例文帳に追加

terminfo ベースのシステムでは、captoinfoのような変換プログラムを実行し、ticを使ってそのエントリをコンパイルする必要があるだろう。 - JM

The metallic ceramic sintered compact of titanium silicon carbide (Ti_3SiC_2) contains titanium carbide (TiC) by ≤7 wt.%.例文帳に追加

炭化チタン（TiC）含有量が７ｗｔ％以下であることを特徴とするチタンシリコンカーバイド（Ti_3SiC_2）金属性セラミック焼結体。 - 特許庁

TiC ULTRAFINE PARTICLE-SUPPORTED OR TiO2 ULTRAFINE PARTICLE-SUPPORTED CARBON NANOTUBE, TiC NANOTUBE, AND METHOD FOR PRODUCING THEM例文帳に追加

ＴｉＣ超微粒子又はＴｉＯ２超微粒子担持カーボンナノチューブ、及びＴｉＣナノチューブとこれらの製造方法 - 特許庁

FORMATION OF TiC-DISPERSED TITANIUM ALLOY COMPOSITE MATERIAL AND FORMATION OF TiC-DISPERSED TITANIUM ALLOY COMPOSITE LAYER例文帳に追加

ＴｉＣ分散チタン合金複合材料の形成方法及びＴｉＣ分散チタン合金複合層の形成方法 - 特許庁

The titanium silicon carbide sintered compact has a crystal grain size of ≤10 μm, and a titanium carbide (TiC) content of ≤8 wt.%.例文帳に追加

結晶粒径が１０μｍ以下であり、炭化チタン（TiC）含有量が８ｗｔ％以下であることを特徴とするチタンシリコンカーバイド焼結体。 - 特許庁

In this spinneret made of stainless steel, a TiC layer is formed on the surface part, and the surface hardness is controlled to ≥2,000 HV by the TiC layer.例文帳に追加

表面部分にＴｉＣ層が形成され、該ＴｉＣ層によって表面硬度がＨＶ２０００以上とされているステンレス鋼製の紡糸口金。 - 特許庁

The high-toughness hard alloy has a hard phase containing at least one selected from WC, TiC, TiN and TiCN and a binding phase containing iron-group metal.例文帳に追加

WC，TiC，TiNおよびTiCNから選択された少なくとも1種を含む硬質相と、鉄族金属を含む結合相とを有する高靭性硬質合金である。 - 特許庁

Namely, a TiC-dispersed cast iron material where lumpy graphite and TiC are dispersed into the metallic structure can be obtained.例文帳に追加

すなわち、金属組織中に塊状黒鉛とＴｉＣが分散したＴｉＣ分散鋳鉄材が得られるに至る。 - 特許庁

The abrasion- resistant coating includes at least one type of ultrafine compound selected from a group containing B4DC, BN, TiB2, TiB, TiC, WC, SiC, SiNX (X=0.5 to 1.33), and Al2O3.例文帳に追加

耐摩耗性被膜中には、B_4C、BN、TiB_2、TiB、TiC、WC、SiC、SiN_X（X＝0.5〜1.33）およびAl_20_３をよりなる群から選択される少なくとも1種の超微粒化合物を含む。 - 特許庁

As the hard particles, carbides (such as WC and TiC), borides (such as MoB and TiB) and nitrides (such as TiN and CrN) are used, and, as the matrix metal, a Co base alloy, a Ni base alloy, a Ti base alloy or the like are used.例文帳に追加

硬質粒子は炭化物（WC,TiC等），硼化物（MoB,TiB等），窒化物（TiN,CrN等）、マトリックス金属は、Co基合金，Ni基合金，Ti基合金等である。 - 特許庁

The abrasion- resistant coating includes at least one type of ultrafine compound selected from a group containing B4C, BN, TiB2, TiB, TiC, WC, SiC, SiNX (X=0.5 to 1.33), andAl2O3.例文帳に追加

耐摩耗性被膜中には、B_4C、BN、TiB_2、TiB、TiC、WC、SiC、SiN_X（X＝0.5〜1.33）およびAl_20_３をよりなる群から選択される少なくとも1種の超微粒化合物を含む。 - 特許庁

To provide a method of forming a semiconductor structure containing a TiC film.例文帳に追加

ＴｉＣ膜を含む半導体構造を形成する方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRAFINE TiC-TRANSITION METAL BASED COMPOSITE POWDER例文帳に追加

超微粒ＴｉＣ−遷移金属系複合粉末の製造方法 - 特許庁

The oxide layer 4 contains any compound among TiC, TiN and TiCN.例文帳に追加

酸化層４は、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＴｉＣＮの何れかの化合物を含有する。 - 特許庁

PRODUCTION OF HYPERFINE-GRAINED WC/TiC/Co COMPOSITE SUPER HARD POWDER例文帳に追加

超微粒ＷＣ／ＴｉＣ／Ｃｏ複合超硬粉末の製造方法 - 特許庁

To improve current breaking characteristics of a Cu-TiC system contact material.例文帳に追加

Ｃｕ−ＴｉＣ系接点材料の電流遮断特性を向上させる。 - 特許庁

The titanium silicon carbide sintered compact is characterized in that it is obtained by sintering a mixed powder composed of titanium (Ti), silicon carbide (SiC) and titanium carbide (TiC) by a pulse energizing pressure sintering method, in that the crystal grain size is 10 μm or smaller, and in that the content of the titanium carbide (TiC) is 8 wt.% or less.例文帳に追加

チタン（Ti）、炭化珪素（SiC）、炭化チタン（TiC）の混合粉末をパルス通電加圧焼結することにより得られ、結晶粒径が１０μｍ以下であり、炭化チタン（TiC）含有量が８ｗｔ％以下であることを特徴とするチタンシリコンカーバイド焼結体。 - 特許庁

Provided is a ceramic sintered compact comprising Al_2O_3 crystal particles, internal TiC crystal particles being present inside the Al_2O_3 crystal particles, and external TiC particles other than the internal TiC crystal particles.例文帳に追加

Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒子と、該Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒子の内部に存在する内部ＴiＣ結晶粒子と、前記内部ＴｉＣ結晶粒子以外の外部ＴiＣ粒子とを有するものである。 - 特許庁

A sintered compact containing Al_2O_3, TiC and TiO_2, containing the TiC of 6.5-10 wt% to the whole weight of the Al_2O_3, TiC and TiO_2, and containing the TiO_2 of 1.0-2.5 wt% is made as the spacer material.例文帳に追加

Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ_２を含む焼結体であり、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ_２の全重量に対して、ＴｉＣを６．５〜１０重量％含み、かつ、ＴｉＯ_２を１．０〜２．５重量％含む焼結体を平面パネルディスプレイ用スペーサ基材とする。 - 特許庁

A pellet comprising a ceramics phase such as TiC, VC and SiC and a metal phase is produced.例文帳に追加

ＴｉＣ、ＶＣ、ＳｉＣ等のセラミックス相と、金属相とを含むペレットを作製する。 - 特許庁

To improve efficiency in an arithmetic processing by changing arithme tic contents corresponding to input images.例文帳に追加

入力画像に応じて演算内容を変化させることで演算処理の効率を向上させる。 - 特許庁

Thus, generation of TiO_2 due to oxidation of TiC can be suppressed.例文帳に追加

それにより、ＴｉＣの酸化によるＴｉＯ_２の発生を抑制することができる。 - 特許庁

TiC-BASED NANOCOMPOSITE POWDER BY METAL THERMAL REDUCTION METHOD, AND METHOD FOR SYNTHESIS OF THE SAME例文帳に追加

金属熱還元法によるＴｉＣ系ナノ複合粉末及びその合成方法 - 特許庁

To provide a method for producing fine TiC or TiCN particles.例文帳に追加

微細なＴｉＣ粒子又はＴｉＣＮ粒子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

TIC BASE TI-SI-C-BASED COMPOSITE CERAMIC AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＴｉＣ基Ｔｉ−Ｓｉ−Ｃ系複合セラミックス及びその製造方法 - 特許庁

Generation of TiC can be suppressed in the Ti film or the TiN film.例文帳に追加

Ｔｉ膜またはＴｉＮ膜におけるＴｉＣの発生を抑制することができる。 - 特許庁

Besides the nitrided film, there may be effective TiAlN, TiC, TiCN, DLC(diamond like carbon), and BN.例文帳に追加

その他に、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＣ、ＴｉＣＮ、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ＢＮなども有効である。 - 特許庁

POROUS SUPER ABRASIVE GRAIN THIN BLADE CUTTING WHEEL CONTAINING TiC COAT SUPER ABRASIVE GRAIN例文帳に追加

ＴｉＣ被覆超砥粒を含有する有気孔の超砥粒薄刃切断ホイール - 特許庁

The TiC-based cermet body contains TiC and WC such that the atomic ratio Ti/W is 2 to 5, and additionally contains cobalt as the binder phase in an amount of 5 to 25 vol%.例文帳に追加

本発明は、ＴｉＣ及びＷＣを含み、原子比Ｔｉ／Ｗが２〜５であり、バインダー相としてのコバルトを５〜２５ｖｏｌ％の量でさらに含むＴｉＣ系サーメット本体に関する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING COMPOSITE REFRACTORY HAVING BN+TiC +TiB2 BOND, BN+TiB2 BOND AND BN+TiC BOND BY USING BORON CARBONITRIDE AND METAL TITANIUM AS RAW MATERIALS例文帳に追加

炭窒化硼素及び金属Ｔｉを原料としたＢＮ＋ＴｉＣ＋ＴｉＢ２結合、ＢＮ＋ＴｉＢ２結合、ＢＮ＋ＴｉＣ結合を有する複合耐火物の製造方法 - 特許庁

In the surface modifying method, carbon powder is mixed into an electric discharge machining solution for TiC surface modifying, and electric discharge machining is performed, by which an object made of stainless steel is subjected to TiC surface modifying.例文帳に追加

ＴｉＣ表面改質のための放電加工液中に炭素粉末を混入させて放電加工を行うことにより、ステンレス鋼製対象物をＴｉＣ表面改質する表面改質方法。 - 特許庁

In the titanium sheet having excellent press formability and surface luster, a TiC-containing layer is persent in the vicinity of the surface of base titanium, and the thickness of the TiC-containing layer is ≥300 Å.例文帳に追加

素地チタンの表面近傍にＴｉＣ含有層が存在し、且つ該ＴｉＣ含有層の厚さが３００Å以上であることを特徴とするプレス成形性及び表面光沢に優れたチタン板。 - 特許庁

The spacer for the magnetic disk l includes a sintered compact containing Al_2O_3, TiC, and MgO, wherein the sintered compact includes 35 to 55 wt.% of MgO to the total weight of Al_2O_3, TiC, and MgO.例文帳に追加

本発明に係る磁気ディスク用スペーサは、Ａｌ_2Ｏ_3、ＴｉＣ、及び、ＭｇＯを含む焼結体を有し、焼結体はＡｌ_2Ｏ_3、ＴｉＣ、及び、ＭｇＯの全重量に対して、ＭｇＯを３５〜５５重量％含む。 - 特許庁

A method for enhancing wear resistance comprises adding Fe3P, AlN, CBN, TiC, Al2O3, AlN, NiB, and/or SiC of 10 mass parts or less, against a phosphor bronze alloy of 100 mass parts, as a hard substance.例文帳に追加

リン青銅合金の１００質量部に対して硬質物として１０質量部以下のＦｅ_3Ｐ，AlN，CBN，TiC，Al_2O_3，AlN，NiB，及び／またはSiCを含有させて耐摩耗性を高める。 - 特許庁

Various other embodiments may also include CTI processors (160), which can be adapted to generate CTI image data, and/or TIC processors (170), which can be adapted to generate TIC image data.例文帳に追加

様々な別の実施形態はさらに、ＣＴＩ画像データを作成するように適応させ得るＣＴＩプロセッサ（１６０）、及び／またはＴＩＣ画像データを作成するように適応させ得るＴＩＣプロセッサ（１７０）を含む。 - 特許庁

In the contact material for vacuum valve using VC or/and TiC as arc-proof components and Cu as a conductive component, the amount of C is regulated to ≥85% of the theoretical C content in VC or/and TiC.例文帳に追加

ＶＣまたは／及びＴｉＣを耐弧成分とし、Ｃｕを導電成分とした真空バルブ用接点材料において、Ｃ量をＶＣまたは／及びＴｉＣ中の理論Ｃ含有量に対して８５％以上とする。 - 特許庁

To provide a method for peeling a hard film where, when a hard film of TiN, TiC, TiCN, DLC or the like applied to the surface of a metal, a semiconductor, ceramics or plastics is peeled, only the applied film can be peeled without damaging the substrate stock.例文帳に追加

金属や半導体、セラミックス、プラスチックの表面に被覆したTiN、TiC、TiCN、DLCなどの硬質被膜を剥離するに際し、下地素材を損傷することなく被覆被膜のみを剥離することができる硬質膜の剥離方法を提供する。 - 特許庁

The peak increased by the deterioration of the insulating material in the peak of TIC serves as a deterioration peak and the peak not depending on the deterioration of the insulating material among the peaks of TIC serves as a fundamental peak.例文帳に追加

ＴＩＣのピークのうち、絶縁材料の劣化により増加するピークを劣化ピークとし、ＴＩＣのピークのうち、劣化に依存しないピークを基本ピークとする。 - 特許庁

To measure a frequency difference Δy between oscillators having a normalized frequency deviation of 0.1 Hz or less by a simple constitution with the same degree of accuracy as that of the DMTD method without the need for an s-r converter or an expensive TIC.例文帳に追加

s-r変換器や高価なTICを用いることなく、規格化周波数偏差が0.1Hz以下の発振器間の周波数差Δуを簡単な構成で従来のDMTD法と同程度の精度で測定すること。 - 特許庁

This spacer has a sintered body containing Al_2O_3, TiC, MgO and TiO_2; and the sintered body contains 35-55 wt.% of MgO with respect to the total weight of Al_2O_3, TiC, MgO and TiO_2.例文帳に追加

Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＣ、ＭｇＯ、及び、ＴｉＯ_２を含む焼結体を有し、焼結体はＡｌ_２Ｏ_３、ＴｉＣ、ＭｇＯ、及び、ＴｉＯ_２の全重量に対して、ＭｇＯを３５〜５５重量％含む。 - 特許庁

The inclusion of the TiC-based compound is confirmed by that a finding the diffraction line peaks at 2θ=36.2°, 42.3°, and 61.6° by X-ray diffraction method of the obtained Ti-C-based material correspond to (111), (200), and (220) in TiC.例文帳に追加

ＴｉＣ系化合物の含有は、得られたＴｉ−Ｃ系材料のＸ線回折法による、２θ＝36.2°、42.3°、および61.6°の回折線ピークがＴｉＣにおける(111)、(200)、および(220)に対応することにより確認された。 - 特許庁