'77 (film)とは 意味・読み方・使い方

The light shielding film is deposited to 60 to 77 nm total film thickness.例文帳に追加

この様な遮光膜を、全体としての膜厚が、６０ナノメートル〜７７ナノメートルの範囲となるよう成膜する。 - 特許庁

Lead wires 76 and 77 are joined with the pads 18a and 18b, and a high-resistance protection film 18g is covered from the top of the pads 18a and 18b and lead wires 76 and 77.例文帳に追加

パッド１８ａ，１８ｂにはリード線７６，７７が接合され、パッド１８ａ，１８ｂ及びリード線７６，７７の上から高抵抗保護膜１８ｇが被覆されている。 - 特許庁

The base film 32 comprises: a transparent film body 33; undercoat layers 71 and 76 provided on the film body 33; high refractive index layers 72 and 77 provided on the undercoat layers 71 and 76 respectively; and low refractive index layers 73 and 78 provided on the high refractive index layers 72 and 77 respectively.例文帳に追加

このうち基材フィルム３２は、透明なフィルム本体３３と、フィルム本体３３上に設けられたアンダーコート層７１，７６と、アンダーコート層７１，７６上に設けられた高屈折率層７２，７７と、高屈折率層７２，７７上に設けられた低屈折率層７３，７８と、を有している。 - 特許庁

Furthermore the polycrystalline silicon film 77 and the granular silicon crystal 76 are removed from the top surface of the silicon oxide film 50 by etch-back, and the electrode of a DRAM(dynamic random access memory) data storage capacitor device is composed of a polycrystalline silicon film 77 and a granular silicon crystal 76.例文帳に追加

さらにシリコン酸化膜５０上面の多結晶シリコン膜７７および粒状シリコン結晶７６をエッチバックして除去し、多結晶シリコン膜７７および粒状シリコン結晶７６からなるＤＲＡＭの情報蓄積用容量素子を構成する下部電極を形成する。 - 特許庁

The fixed clearance constituting the sidewall gap 77 is controlled to a value, which is smaller than the thickness of the field insulating film 5.例文帳に追加

側壁ギャップ７７を構成している一定の間隙は、フィールド絶縁膜５の厚みより小さい値に制御されている。 - 特許庁

In addition, a valve body 76 is made of brass, and an oxide coating film 77 having ionic bond is formed on the surface of the valve body 76.例文帳に追加

さらに、弁体７６を真鍮から構成し、弁体７６の表面にイオン結合を有する酸化物系被膜７７を形成した。 - 特許庁

A magnetoresistive effect film 53 is formed and a resist 73, having an undercut part 77 longer than MR height, is arranged on it.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜５３を形成し、その上に、ＭＲハイトよりも長いアンダーカット部７７を有するレジスト７３を配置する。 - 特許庁

The light shielding film 81 is formed at a place corresponding to an H counter cutting face 77 and a V counter cutting face 78.例文帳に追加

遮光膜８１は、Ｈ対向切断面７７及びＶ対向切断面７８に対応する場所に形成する。 - 特許庁