-type semiconductor regionとは意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「-type semiconductor region」の意味

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該当件数 : 1889件

例文

The semiconductor layer 2 has an n-type semiconductor region 21, a p-type semiconductor region 22, and an i-type semiconductor region 23.例文帳に追加

半導体層２は、ｎ型半導体領域２１、ｐ型半導体領域２２、及びｉ型半導体領域２３を有する。 - 特許庁

A trench 12 is formed to a semiconductor substrate 4 with a p-type semiconductor region 1, an n-type semiconductor region 2 and an n^+-type semiconductor region 3.例文帳に追加

Ｐ型半導体領域１とＮ型半導体領域２とＮ^＋型半導体領域３とを有する半導体基板４にトレンチ１２を設ける。 - 特許庁

半導体発光装置は、ｎ型領域と、ｐ型領域と、該ｎ型領域およびｐ型領域の間に配置された発光領域とを含んでいる。 - 特許庁

On a silicon substrate 10, an N^--type semiconductor region 11, a P-type semiconductor region 12, and an N^+-type semiconductor region 13 are formed.例文帳に追加

シリコン基板１０には、Ｎ^-型半導体領域１１、Ｐ型半導体領域１２およびＮ^+型半導体領域１３が形成されている。 - 特許庁

The i-type semiconductor region 23 is attached between the n-type semiconductor region 21 and the p-type semiconductor region 22, and a bandgap of the i-type semiconductor region 23 is smaller than that of each of the n-type semiconductor region 21 and the p-type semiconductor region 22.例文帳に追加

ｉ型半導体領域２３はｎ型半導体領域２１とｐ型半導体領域２２との間に設けられており、ｉ型半導体領域２３のバンドギャップは、ｎ型半導体領域２１のバンドギャップ及びｐ型半導体領域２２のバンドギャップより小さい。 - 特許庁

Then, an N-type semiconductor region 7 and a P-type semiconductor region 8 are formed on the N-type flush region 5 and the P-type embedded regions 6.例文帳に追加

そして、Ｎ型埋め込み領域５およびＰ型埋め込み領域６上にＮ型半導体領域７とＰ型半導体領域８を形成する。 - 特許庁

例文

The semiconductor substrate 20 has a p-type semiconductor substrate 11, an insulation film 12, an n^--type semiconductor region 13 formed on the film 12, an n^+-type semiconductor region 14, and a p^+-type semiconductor region 15 opposite to the n^+-type semiconductor region 14 through the n^--type semiconductor region 13.例文帳に追加

半導体基体２０は、Ｐ型半導体基板１１と、絶縁膜１２と、絶縁膜１２上に形成されたＮ^−型半導体領域１３と、Ｎ^＋型半導体領域１４と、Ｎ^−型半導体領域１３を介してＮ^＋型半導体領域１４と対向するＰ^＋型半導体領域１５とを有する。 - 特許庁

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例文

The n+ type semiconductor region 17E is formed separated from the p+ type semiconductor region 18F.例文帳に追加

また、ｎ^+型半導体領域１７Ｅとｐ^+型半導体領域１８Ｆとを離間して形成する。 - 特許庁

The second conductivity type semiconductor region 7 is provided on the first conductivity type semiconductor region 3.例文帳に追加

第２導電型半導体領域７は、第１導電型半導体領域３上に設けられる。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises an n^+-type source region 31, an n^+-type drain region 11, a p^--type body region 41 and an n^--type drift region 12.例文帳に追加

半導体装置１００は，Ｎ^+ ソース領域３１，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

On the semiconductor substrate 11 between the n^+-type semiconductor region 14A and the n^+-type semiconductor region 14C, an n^--type semiconductor region 14B is formed whose electric resistance is higher than that of the n^+-type semiconductor region.例文帳に追加

ｎ+型半導体領域１４Ａとｎ+型半導体領域１４Ｃとの間の半導体基板１１には、ｎ+型半導体領域より電気抵抗が高いｎ-型半導体領域１４Ｂが形成されている。 - 特許庁

An n^--type semiconductor region 2 is formed on a p-type semiconductor substrate 1, and an n^+-type semiconductor region 4 with high impurity concentration is formed in the n^--type semiconductor region 2, and then a p^+-type semiconductor region 5 with high impurity concentration is formed in the vicinity of the n^--type semiconductor region 2 in two dimensional manner.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１にｎ^−型半導体領域２が形成され、高不純物濃度のｎ^＋型半導体領域４がｎ^−型半導体領域２内に形成され、ｎ^−型半導体領域２の平面的に周囲の位置に高不純物濃度のｐ^＋型半導体領域５が形成されている。 - 特許庁

Each of the semiconductor devices can include an n-type semiconductor region, an n+ region in the n-type semiconductor region, a metal gate, and a gate insulator.例文帳に追加

各半導体装置は、ｎ型半導体領域と、ｎ型半導体領域におけるｎ＋領域と、メタルゲートと、ゲート絶縁体とを有し得る。 - 特許庁

The n-type semiconductor region 12 is constituted of an n^- semiconductor region 12a, an n buffer region 12b, and an n^+ semiconductor region 12c.例文帳に追加