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「ſion」を含む例文一覧
該当件数 : 210件
METHOD OF LAMINATING SiON FILMS例文帳に追加
ＳｉＯＮ膜の積層方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SiON THIN FILM例文帳に追加
ＳｉＯＮ薄膜の製造方法 - 特許庁
Next, Oxide spacers are formed on sidewalls of the SiON layer and the mask layer.例文帳に追加
次に、酸化スペーサをSiON層とマスク層の側壁に形成する。 - 特許庁
METHOD FOR FABRICATING PE-SION THIN FILM例文帳に追加
ＰＥ−ＳｉＯＮ薄膜の製造方法 - 特許庁
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Wiktionary英語版での「ſion」の英訳 |
-sion
接尾辞
-sion
派生語
sion
別の表記
語源
From the Ancient Greek σίον (síon).
語形変化
Second-declension noun (neuter, Greek-type).
| Case | Singular | Plural |
|---|---|---|
| Nominative | sion | sia |
| Genitive | siī | siōrum |
| Dative | siō | siīs |
| Accusative | sion | sia |
| Ablative | siō | siīs |
| Vocative | sion | sia |
参照
- sion in Charlton T. Lewis and Charles Short (1879) A Latin Dictionary, Oxford: Clarendon Press
- sion in Charles du Fresne du Cange’s Glossarium Mediæ et Infimæ Latinitatis (augmented edition, 1883–1887)
- 1 sĭŏn ou sĭum in Gaffiot, Félix (1934) Dictionnaire Illustré Latin-Français, Hachette: “1,447/3”
- sion in Harry Thurston Peck, editor (1898) Harper's Dictionary of Classical Antiquities, New York: Harper & Brothers
- sion in William Smith, editor (1854, 1857) A Dictionary of Greek and Roman Geography, volume 1 & 2, London: Walton and Maberly
- sion in Richard Stillwell et al., editor (1976) The Princeton Encyclopedia of Classical Sites, Princeton, N.J.: Princeton University Press
- Niermeyer, Jan Frederik (1976), “sion”, in Mediae Latinitatis Lexicon Minus, Leiden, Boston: Brill, page 974/1
「ſion」を含む例文一覧
該当件数 : 210件
A stopping layer (112) having a SiON layer is formed on an interlayer dielectric-film layer, and a SiC layer (114) is positioned on the SiON layer.例文帳に追加
層間誘電膜層上に、ＳｉＯＮ層を有するストップ層（１１２）が形成され、そのＳｉＯＮ層上にＳｉＣ層（１１４）が位置する。 - 特許庁
In the process for forming the sharp corner-free shallow trench isolation structure, first, an SiON layer and a mask layer are successively formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加
シャープコーナーのないシャロートレンチ素子分離構造の製造工程では、先ず、SiON層とマスク層とを連続して半導体基板上に形成する。 - 特許庁
An M-SiN or M-SiON CVD such as HfSiO_2 is used to form a highly dielectric gate dielectric film (106).例文帳に追加
HfSiO_2などのM-SiN又はM-SiONのＣＶＤによって高誘電率ゲート誘電体膜（１０６）を形成する方法が開示される。 - 特許庁
Next, a liner oxide layer is formed on the surface of the trench by thermal oxidation such that the linear oxide layer near the SiON layer is in a bird's beak form.例文帳に追加
次に、線形パッド酸化層を熱酸化により、トレンチの表面に形成し、線形パッド酸化層を、SiON層近くでクチバシ型に形成する。 - 特許庁
A HfSiO film 104 is formed by sputtering a Hf metal film 103 on a SiO_2 film (or a SiON film) 102 on a Si wafer 101.例文帳に追加
Si基板101上のSiO_2膜（又はSiON膜）102上にHf金属膜103をスパッタし、それを熱酸化処理してHfSiO膜104を形成する。 - 特許庁
The SiON layer and the mask layer are patterned to form an opening, exposing a substrate region on which a shallow trench isolation region is formed.例文帳に追加
SiON層とマスク層は所定パターンに定義されて開口が形成され、基板領域を露出して、シャロートレンチ分離領域を形成する。 - 特許庁
A FSG film 6 sandwiched between a SiON film 5 (upper) and a SiON film 7 (lower) is used instead of single FSG film 6.例文帳に追加
ＦＳＧ膜６単体の代わりに、ＦＳＧ膜６の上下をＳｉＯＮ膜５，７で挟んだものを使用する。 - 特許庁
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