δ electronとは 意味・読み方・使い方

To improve electron mobility of the channel of a high electron mobility transistor using a δ-doped HEMT structure epitaxial wafer.例文帳に追加

δドープＨＥＭＴ構造エピタキシャルウェハを用いた高電子移動度トランジスタのチャネルの電子移動度を向上する。 - 特許庁

To enable a δ-doped layer in a carrier feed layer to be made uniform in sheet carrier concentration, in a high electron mobility transistor wafer.例文帳に追加

高電子移動度トランジスタ用ウェハにおいて、そのキャリア供給層中のδドープ層のシートキャリア濃度のばらつきを小さくする。 - 特許庁

In this case, Δ resize is a dimensional correction quantity, DB is distribution of a backscattered electron quantity and B is distribution of the beam blur which occurs in a transfer optical system.例文帳に追加

ここで、Δｒｅｓｉｚｅは寸法補正量であり、Ｄ_Bは後方散乱電子量の分布であり、Ｂは転写光学系で生じるビームボケの分布である。 - 特許庁

This electrode comprising a perovskite oxide expressed by a general formula (A_1-xB_x)_yMnO_3+δ is formed by an electron beam vapor deposition method (Where, A is a rare earth element, B is an alkaline earth metal element, 0≤x≤1.1, 0.9≤y≤1.1).例文帳に追加

本発明の電極は、一般式（Ａ_１−ｘＢ_ｘ）_ｙＭｎＯ_３＋δで表されるペロブスカイト型酸化物からなり、電子ビーム物理蒸着法により形成されたことを特徴とする（但し、Ａは希土類元素、Ｂはアルカリ土類金属元素であり、０≦ｘ≦１、０．９≦ｙ≦１．１である。）。 - 特許庁

The voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification high electron mobility transistor has a buffer layer, a main channel layer, a superlattice structure having a cumulative thickness of GaInAs/GaAs, a single-atom δ-doping career supply layer, a gate Schottky contact layer, a drain/source ohmic contact layer, successively disposed on a semiconductor substrate, in which the superlattice structure includes a barrier layer and a subchannel layer.例文帳に追加

電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタは、半導体基板上に、順に、バッファ層と、主チャンネル層と、ガリウムインジウム砒素/ガリウム砒素の厚さが累積的である超格子構造と、単原子δ-ドーピングキャリア供給層と、ゲートショットキーコンタクト層と、ドレーン/ソースオーミックコンタクト層とが配置され、その中で、上記超格子構造には、障壁層とサブチャンネル層とがある。 - 特許庁