σ値の英語

To improve conversion accuracy by raising the σ value reduction effect of an output offset by an averaging method without increasing power consumption.例文帳に追加

消費電力を増加させずにアベレージング手法による出力オフセットのσ値低減効果を上げることにより、変換精度の向上を図ること。 - 特許庁

In the austenitic stainless steel, in the relative orientation relation between the metallic crystal grains, the total ratio of grain boundary lengths having a Σ value of ≤29 to the total grain boundary length is ≥75%.例文帳に追加

金属結晶粒間の相対方位関係において、全粒界長さに対する、Σ値が２９以下の粒界長さの和の割合が７５％以上のオーステナイト系ステンレス鋼とする。 - 特許庁

Further, in the austenitic stainless steel, in the relative orientation relation between the metallic crystal grains, the total ratio of grain boundary lengths having Σ values of 3, 9 and 27 to the total grain boundary length is ≥70%.例文帳に追加

また、金属結晶粒間の相対方位関係において、全粒界長さに対する、Σ値が３、９及び２７の粒界長さの和の割合が７０％以上であるオーステナイト系ステンレス鋼とする。 - 特許庁

When the frequency distribution of transform coefficients is estimated, the decoder 2 calculates an approximation function (exponential function) of distribution data by removing the distribution data (σ value) of transform coefficients corresponding to low frequency components (other than DC component).例文帳に追加

復号化装置２は、変換係数の頻度分布を推定する場合に、低周波成分（ＤＣ成分以外の低周波成分）に相当する変換係数の分布データ（σ値）を除去して、分布データの近似関数（指数関数）を算出する。 - 特許庁

To provide a system for enabling irradiating of light to be led efficiently to surface to be irradiated without causing loss in light quantity, when the σvalue varies and to be irradiated uniformly with a high illuminance.例文帳に追加

σ値を変化させた際にも光量損失を招くことなく照射光を効率良く被照射面へ導き高い照度で均一に照射できるようにすることである。 - 特許庁

Further, in the semiconductor device, the barrier film and the seed film are specified, and a proportion (frequency) of a corresponding (CSL) grain boundary in which the grain boundary Σ value is 3 in the whole crystal grain boundary of the Cu wiring is set at ≥40%, thereby an effect similar to surface defect reduction can be acquired.例文帳に追加

または、該半導体装置において、バリア膜及びシード膜を特定すると共に、Ｃｕ配線の全ての結晶粒界に占める、粒界Σ値３の対応（ＣＳＬ）粒界の割合（頻度）を４０％以上とすることにより、表面欠陥低減の同様の効果を得ることができる。 - 特許庁

In the semiconductor device, a barrier film and a seed film are specified, and further a proportion (frequency) of a corresponding (CSL) grain boundary in which a grain boundary Σ value is 27 or below in the whole crystal grain boundary of the Cu wiring is set at ≥60%, thereby a surface defect can be reduced to ≤1/10 of a practicable present level.例文帳に追加

半導体装置において、バリア膜及びシード膜を特定すると共に、Ｃｕ配線の全ての結晶粒界に占める、粒界Σ値２７以下の対応（ＣＳＬ）粒界の割合（頻度）を６０％以上とすることにより、表面欠陥を実用可能な現状レベルの１／１０以下まで低減できる。 - 特許庁