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あいおいちょう３ちょうめの英語
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「あいおいちょう３ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 193件
この基板を用いて気相成長した場合、マスク３が存在するため、凸部１１の上方部からしか結晶成長が起こらない。例文帳に追加
When vapor phase growth is performed by using the substrate 1, crystal growth occurs only from the tops of the projecting sections 11 due to presence of the mask 3. - 特許庁
ｃ面サファイア基板１上に成長させたＧａＮ層２上に、成長マスクとしてストライプ形状を有するＳｉＯ_2 膜３を形成する。例文帳に追加
An SiO2 film 3 having a stripe shape as a growing mask is formed on a GaN layer 2 grown on a c-face sapphire substrate 1. - 特許庁
ＧａＮ基板１とエピタキシャル成長層５との界面における１ｃｍ^3当りのシリコン（Ｓｉ）原子の個数は１×１０^20以下である。例文帳に追加
The number of silicon (Si) atoms per one cm^3 in the interface of the GaN substrate 1 and the epitaxial growth layer 5 is 1×10^20 or smaller. - 特許庁
付着物の成長度合いに応じて付着物用バーナー３に着火し、内壁面１ａに付着して成長した付着物を加熱し、成長した付着物を内壁面１ａから剥離することができる。例文帳に追加
The burner 3 for the deposit is ignited according to the degree of the growth of the deposit to heat the grown deposit adhering to the inner wall surface 1a, thereby the grown deposit can be separated from the inner all surface 1a. - 特許庁
制御部４は、予め排水調整量を記憶し、排水量測定部２において測定される排水量が、排水調整量を超える場合には排水量調整部３の開度を締める。例文帳に追加
The control section 4 stores a drain adjustment volume in advance and, when the drain volume detected by the drain volume measuring section 2 exceeds the drain adjustment volume, fastens the apertures of the drain volume adjustment section 3. - 特許庁
特性調整用端子３と接地端子１４との間にツェナーダイオード１５を設けたことにより、特性調整用端子３に高電圧が印加された際には、特性調整用端子３に帯電したノイズが、ツェナーダイオード１５を伝って接地端子１４に導かれるため、特性調整端子３における耐ノイズ強度が向上する。例文帳に追加
Since a noise charged to the characteristic regulating terminal 3 is guided to a ground terminal 14 via a Zener diode 15 when a high voltage is applied to the terminal 3 by providing the diode 15 between the terminal 3 and the terminal 14, the noise resistance strength of the terminal 3 is improved. - 特許庁
ｎ型ＳｉＣ基板１の表面に、ｎ型ＳｉＣエピタキシャル層２およびｐ型ＳｉＣエピタキシャル層３を成長させる。例文帳に追加
On the surface of an n-type SiC substrate 1, an n-type SiC epitaxial layer 2 and a p-type SiC epitaxial layer 3 are grown. - 特許庁
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「あいおいちょう３ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 193件
これは、半導体結晶２の成長に伴って半導体結晶２の結晶成長面２ａが結晶成長基板１の結晶成長面１ａ付近から上方に移動する間にも、半導体結晶２はＥＬＯマスク３の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。例文帳に追加
This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1. - 特許庁
通帳類１は、表紙３内部にメモリＩＣ１３およびアンテナを予め組み込んだ未使用の通帳類の反対側の表紙４の内面に通帳類の所有者の個人情報を印刷し、フィルム５を加熱および加圧してラミネートして形成される。例文帳に追加
The bankbook or the like 1 is formed by printing the personal information of an owner of the bankbook or on an inner surface of the cover 4 at an opposite side of the unused bankbook or the like with the memory IC 13 and an antenna previously assembled within the cover 3, heating and pressurizing the film 5 and laminating the film. - 特許庁
(3)(1)又は(2)に基づいて調査を行う場合，出願における明細書及びクレームは国際調査機関が定める言語で記載され，かつ，出願人は，国際調査機関に対して直接，又は特許登録局を通じて，国際調査機関が定める調査手数料を納付しなければならない。［法律A1264s.2による挿入]例文帳に追加
(3) Where a search is carried out on an application pursuant to subsection (1) or (2), the description and claims contained in the application shall be presented in the languages specified by the International Searching Authority and the search fees as specified by the International Searching Authority shall be paid by the applicant either to the International Searching Authority directly or via the Patent Registration Office.”. [Ins. Act A1264: s.2] PART VII RIGHTS OF OWNER OF PATENT Section 36. Rights of owner of patent. - 特許庁
続いてＳｉＯ_2 膜４上およびＧａＮ層３上にアンドープのＧａＮ層６を再成長させた後、ＧａＮ層６の表面を研磨する。例文帳に追加
Then, after an undoped GaN layer 6 is grown again on the SiO2 film 4 and GaN layer 3, the surface of the GaN layer is polished. - 特許庁
表面に酸化膜が形成されたシリコン基板などの基板４上に触媒ＣＶＤ法により窒化シリコン層１０を成長させる場合に、少なくとも成長初期に成長雰囲気の全圧を１．３３×１０^-3Ｐａ以上４Ｐａ以下に設定し、あるいは、少なくとも成長初期に成長雰囲気における酸素および水分の分圧を６．６５×１０^-10 Ｐａ以上２×１０^-6Ｐａ以下に設定する。例文帳に追加
When a silicon nitride layer 10 is formed on a substrate 4 like a silicon substrate with an oxide film on its surface in a catalytic CVD method, the total pressure of growth atmosphere is set from 1.33×10^-3 Pa to 4 Pa in at least an early stage. - 特許庁
通帳類１は、２枚の表紙３、４の間に複数枚の中紙２および透明フィルム５を綴じて形成される。例文帳に追加
The bankbook or the like 1 is formed by binding a plurality of interlayer sheets 2 and a transparent film 5 between two covers 3 and 4. - 特許庁
また、２番目の処理ユニット３を構成する処理ブロック５のメンテナンス等を行う場合には、図３（ｂ）に示すように、１番目と３番目の処理ユニット３をユニット全体長の約２／３程引き出す。例文帳に追加
When the maintenance, etc., of a treatment block 5 constituting the second treatment unit 3 is executed, the first and third treatment units 3 are pulled out by about 2/3 the full lengths of the units 3. - 特許庁
(3)に定める期間内に特許出願の完全審査を求める適正な請求がなされず，また，庁が職権による審査も行わない場合，庁は，当該出願に係る手続を終了する。例文帳に追加
Where no request for full examination of an invention application has been duly filed or where the Office has not carried out an ex officio examination within the period laid down in Subsection (3), the Office shall terminate the procedure concerning the application.発音を聞く - 特許庁
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相生町３丁目
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