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あいすじ１ちょうめの英語
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「あいすじ１ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 53件
本発明の半導体層は、一般式Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０≦ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０＜ｚ＜１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表されるIII−Ｖ族半導体化合物を主成分とし、レーザアシスト有機金属気相成長法により成膜されたものである。例文帳に追加
The semiconductor layer employs a group III-V semiconductor compound represented in a general form Al_xGa_yIn_zN (0≤x<1, 0<y<1, 0<z<1, x+y+z=1) as its main constituent and its film formation takes place through laser assist metal-organic vapor phase growth. - 特許庁
ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。例文帳に追加
A high quality wafer comprises Al_xGa_yIn_zN (wherein 0<y≤1 and x+y+z=1) and is characterized by a root mean square surface roughness of less than 1 nm in a 10×10 μm^2 area at its Ga-side. - 特許庁
ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。例文帳に追加
A high quality wafer including Al_xGa_yIn_zN, wherein 0<y≤1 and x+y+z=1, with a root mean square surface roughness of less than 1 nm in an area of 10×10 μm^2 area on its Ga-side. - 特許庁
装着型ロボット１は、予め様々な被験者の骨格筋率の平均値を記憶しており、装着者の骨格筋率が平均値よりも小さい場合は、アシスト力を強めに調節し、平均値よりも大きい場合はアシスト力を弱めに調節する。例文帳に追加
The wearable robot 1, which prestores an average value of the skeletal muscle ratios of various subjects, adjust an assist force to a high level when the wearer's skeletal muscle ratio falls below the average value, and adjusts the assist force to a low level when his/her skeletal muscle ratio exceeds the average value. - 特許庁
そして、この状態で前記ボルト本体１に筋かい２６の端部を連結すると共に該ボルト本体１にナット９を螺締して前記梁２４と土台２１又は基礎２０との間に筋かい２６を張設するようにした。例文帳に追加
In this state, an end of the brace 26 is connected to the bolt body 1, and a nut 9 is screwed and tightened to the bolt body 1, so that the brace 26 can be provided in a stretched manner between the beam 24 and the sill 21 or the foundation 20. - 特許庁
気相成長法による多結晶シリコンの製造のための原料ガスＧを、炉内へ導入するノズル１を備えた多結晶シリコン反応炉であって、前記ノズル１の外装面１ａは、少なくともＳｉを含んだコーティング層３によって被覆されていることを特徴とする。例文帳に追加
The polycrystalline silicon reaction furnace comprises a nozzle 1 for introducing into the furnace a source gas G for producing polycrystalline silicon by vapor phase growth, wherein an outer face 1a of the nozzle 1 is covered with a coating layer 3 containing at least Si. - 特許庁
（４１１）Ａ面のＧａＡｓ基板を用い、基板温度が２００〜３００℃、Ｖ／ＩＩＩ比が４〜７で、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系化合物半導体薄膜を成長させる。例文帳に追加
With the use of a GaAs substrate 1 of (411)A surface, an AlGaAs/GaAs compound semiconductor thin film is grown with a substrate temperature 200 to 300°C and V/III ratio of 4 to 10. - 特許庁
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「あいすじ１ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 53件
通信部１には、送信機からアンテナを介して受信した受信信号を増幅し、復調させ復調信号を取り出し、さらに信号強度を示す受信電圧のＲＳＳＩを取り出している 。例文帳に追加
In a communication unit 1, a receiving signal received from a transmitter via an antenna is amplified and demodulated, a demodulation signal is extracted, and further a received signal strength indicator (RSSI) of a reception voltage indicating a signal strength is extracted. - 特許庁
半導体複合基板１は、ＳｉＣ単結晶基板１０１の主表面上にＡｌ_１−ｘＧａ_ｘＮ（０≦ｘ≦１）エピタキシャル成長層１００が直接形成されている。例文帳に追加
In the semiconductor composite substrate 1, the Al_1-xGa_xN (0≤x≤1) epitaxial growth layer 100 is directly formed on the main surface of the SiC monocrystalline substrate 101. - 特許庁
子局２は、信号を親局１に送信する場合、送信する信号のフレームの先頭に、親局１から通知されたその子局２に固有のプリアンブル長を示す情報に基づいてプリアンブルを設定する。例文帳に追加
In transmitting the signal to the master station 1, the slave stations 2 set preamble at the head of a signal frame to be transmitted on the basis of information to show a preamble length peculiar to the slave station 2 which has been notified by the master station 1. - 特許庁
３ 経済産業大臣は、一般ガス事業者から申請があつた場合において、正当な事由があると認めるときは、第一項の規定により指定した期間を延長することができる。例文帳に追加
(3) Where the Minister of Economy, Trade and Industry has received an application from a General Gas Utility, he/she may, when finding justifiable grounds, extend the period designated under paragraph 1.発音を聞く - 日本法令外国語訳データベースシステム
一 ＩＬＳ・Ａ点とは、グライドパス上の点で、その投影が滑走路進入端の側における滑走路の中心線の延長七・四一キロメートルの点に一致するものをいう。以下同じ。例文帳に追加
1) ILS Point A refers to a point on a glide path, and its projection coincides with the point at 7.41 kilometers from the runway approach end on the extended line of the runway centerline; hereafter the same shall apply.発音を聞く - 日本法令外国語訳データベースシステム
少なくとも、ＧａＡｓ基板上に（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）からなるダブルヘテロ構造が形成された化合物半導体基板であって、前記ＧａＡｓ基板と前記ダブルヘテロ構造との間に、組成の異なる層同士が接する成長界面を少なくとも５以上有するものであることを特徴とする化合物半導体基板。例文帳に追加
The compound semiconductor substrate has at least the double-hetero-structure having (Al_xGa_1-x)yIn_1-yP (where 0<x<1, 0<y<1) formed on a GaAs substrate, the compound semiconductor substrate having not less than five growth interfaces where layers differing in composition come into contact with each other between the GaAs substrate and double-hetero-structure. - 特許庁
特許又はすべての特許(特許医薬品に関して2以上の特許がある場合)について支払われるべきものとして(1)に基づき局長が決定する対価の総額は，適格輸入加盟国が輸出強制ライセンス実施権者に支払うべき製品購入総額の4％を超えてはならない。例文帳に追加
The total amount of remuneration determined by the Director under subsection (1) to be payable in respect of the patent or all the patents (if there is more than one patent in relation to the patented pharmaceutical product) shall not exceed 4% of the total purchase price for the product payable by the eligible importing member to the export compulsory licensee.発音を聞く - 特許庁
第１の通信端末１は、相手側の通信端末に接続するためのアドレス情報と共に、相手側の情報が記されたアドレス帳を記憶する第１の記憶部１６ａと、第１のデータファイルが記憶された第２の記憶部１６ｂを備える。例文帳に追加
A first communication terminal 1 includes a first storage section 16a configured to store address information for performing connection to a communication terminal of a communication partner and an address book containing information about the communication partner, and a second storage section 16b configured to store first data files. - 特許庁
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