あかがりちょうの英語

ボタン穴かがり縫い目を形成する針糸とルーパ糸の張力を所望の糸張力に容易に変更可能とすることにより、被縫製物に綺麗な仕上がり形状のボタン穴かがり縫い目を形成する。例文帳に追加

To form buttonhole sewing seams of fine finish in a sewn material by easily changing the tension of a needle thread and a looper thread forming the buttonhole sewing seams, to the desired thread tension. - 特許庁

窒化ガリウム結晶の成長方法は、キャリアガスと、窒化ガリウムの原料と、ドーパントとしてのシリコンを含むガスとを用いて、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法により下地基板上に窒化ガリウム結晶を成長させる窒化ガリウム結晶の成長方法である。例文帳に追加

In the growth method of gallium nitride crystal, the gallium nitride crystal is grown by the hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method on a base substrate by using carrier gas, row material of gallium nitride and gas including silicon as dopant. - 特許庁

基板上に窒化ガリウム膜を得て、基板上の窒化ガリウム膜上の窒化ガリウム厚膜が成長する。例文帳に追加

A gallium nitride film is obtained on the substrate, and a gallium nitride thick film grows on the gallium nitride film on the substrate. - 特許庁

ボタン穴かがり部の縁かがりに用いられる糸であって、該糸は、溶融紡糸方式のゴム状弾性糸条で構成される芯糸と、熱可塑性合成繊維糸状で構成される被覆糸からなるカバリング糸であることを特徴とするボタン穴かがり用縫い糸。例文帳に追加

This thread used for the buttonhole stitch part comprises a covering thread including a core yarn composed of a melt spun rubbery elastic yarn and a covering yarn composed of a thermoplastic synthetic fiber. - 特許庁

半導体レーザー１は窒化ガリウム系の半導体レーザーであり、その発振波長は４０８ｎｍである。例文帳に追加

The laser 1 is a semiconductor laser is gallium nitride, and its oscillation wavelength is 408 nm. - 特許庁

その後、窒化ガリウム粒子成長部３０において、予備反応管２１内で生成した塩化ガリウムと、窒化ガリウム結晶核生成部１０から輸送されたアンモニアガスとを、前記窒化ガリウム結晶核上で化学的に反応させ、成長させることによって目的とする窒化ガリウム粉末を得る。例文帳に追加

The objective gallium nitride powder is produced by subsequently chemically reacting gallium chloride produced in a preparatory reaction tube 21 with ammonia gas transported from the zone 10 for producing the gallium nitride crystal nucleus and growing the resultant product on the crystal nucleus of gallium nitride in the zone 30 for growing the gallium nitride particle. - 特許庁

アンモニア(NH_3)と塩化ガリウム(GaCl)を供給すると、Si基板１０の面１０ａに窒化ガリウム(GaN)３０がエピタキシャル成長を開始する(b)。例文帳に追加

When ammonia (NH_3) and a gallium chloride (GaCl) are supplied, the epitaxial growth of a gallium nitride(GaN) 30 starts on the surface 10a of an Si substrate 10 (Fig. b). - 特許庁

周知であるボタン穴かがりミシンを、正確に再現できる方法で切断力を用意に調整することができるミシンに改良する。例文帳に追加

To provide a button holing sewing machine whose cutting force can be easily adjusted by a correctly reproducible method by improving a known button holing sewing machine. - 特許庁