あきた２ちょうめの英語

また、このサファイア基板2は、窒化物半導体を成長させる装置とは別の装置内で前記半導体成長面の表面部を窒化する工程を含む製造方法により得られる。例文帳に追加

The substrate 2 is obtained by a manufacturing method including a step of nitriding the semiconductor growing surface of the substrate 2 in a device which is different from the device used for growing a nitride semiconductor. - 特許庁

正室との間には先立たれた娘2人のみで、家督は庶出の長男・菅沼定昭が継いだ。例文帳に追加

Between his lawful wife, there were only two daughters who died before him, so the eldest son, Sadaakira SUGANUMA succeeded as head of the family.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

第1条 (2)にいう標章登録出願の様式及び第7条 (2)にいう登録標章の保護期間の延長申請の様式の形態及び内容の変更は，大臣が定める。例文帳に追加

The change in form and contents of the Mark registration application form as referred to in Article 1 paragraph (2), and the application form for extension of the registered mark protection period as referred to in Article 7 paragraph (2), shall be determined by the Minister.発音を聞く  - 特許庁

問題の長期化によって昭実が1年以上務めれば結果論的に昭実の論が正しかったとされる可能性があり面目を失う事例文帳に追加

2) If the prolonged dispute let Akizane serve as Kanpaku for more than a year, Akizane's points might be considered valid as a result and Sakihisa would lose face,発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

1869年（明治2年）には高雄艦長として宮古湾海戦に榎本武揚、土方歳三らと参加した。例文帳に追加

In 1869, he participated in the naval battle of Miyako Bay as the captain of the warship Takao with Takeaki ENOMOTO and Toshizo HIJIKATA.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

1358年（正平13年/延文3年）に北朝では足利尊氏が死去し、2代将軍となった足利義詮は本格的な南朝掃討をはじめる。例文帳に追加

Regarding the Northern Court, Takuji ASHIKAGA died in 1358 and the second shogun, Yoshiakira ASHIKAGA started a serious mopping up of the Southern Court.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

サファイア基板１上にＧａＮ膜２を成長した後、サファイア基板１の裏面よりエキシマＫｒＦレーザを照射してサファイア基板１とＧａＮ膜２とを分離する。例文帳に追加

After a GaN film 2 is grown on a sapphire substrate 1, it is separated from the GaN film 2 by irradiation of excimer KrF laser from the back of the sapphire substrate 1. - 特許庁

サファイア基板１の最表面にシリコン層２を成長し、その上に窒化物半導体層３を成長する。例文帳に追加

The method of manufacturing the nitride semiconductor is so carried out that a silicon layer 2 is formed on the outermost surface of the sapphire substrate 1, and then a nitride semiconductor layer 3 is grown thereon. - 特許庁