あきばちょう１０ちょうめの英語

（００１）面を有するＧａＡｓ基板１０の裏面にＳｉＯ２保護層２０を、表面に約１０ｎｍのＧａＮバッファ層１２を成長させる。例文帳に追加

An SiO_2 protective layer 20 is grown on the rear face of a GaAs substrate 10 having a (001) plane and an about 10 nm GaN buffer layer 12 is grown on the surface. - 特許庁

常圧気相成長および減圧気相成長が可能な気相成長装置１０の反応容器１内に配置したシリコン単結晶基板３の主表面上にシリコンエピタキシャル層を減圧気相成長する。例文帳に追加

The substrate 3 is arranged in a reaction vessel 1 of vapor growth equipment 10 capable of ordinary pressure vapor growth and low pressure vapor growth. - 特許庁

本発明は、長方形の基板１０と、楕円形状または直線部分をその長軸方向に有するトラック形状からなり、その長軸が基板１０の長辺方向に沿って配置されてなるビアホール１２と、を具備することを特徴とするである。例文帳に追加

The semiconductor device includes: a rectangular substrate 10; and a via hole 12 which has an elliptical shape or a track shape having a straight line in the long axis direction and which is formed by arranging the long axis along the long side direction of the substrate 10. - 特許庁

本発明の固体撮像装置の製造装置は、固体撮像素子を有する基板であるウェハ１０と、その固体撮像素子を封止する封止基板である透明基板２０とを貼付ける貼付部４０を備えている。例文帳に追加

The manufacturing apparatus for a solid state imaging apparatus of this invention comprises a bonding unit 40 for bonding a wafer 10 as a substrate having the solid state imaging elements and a transparent substrate 20 as a sealing substrate for sealing the solid state imaging elements. - 特許庁

例えば、成長用基板をエピタキシャル成長装置に投入した後、成長用基板の平均表面粗さが０．２〜１０ｎｍとなるようにアニール処理を施す。例文帳に追加

The growth substrate is supplied to an epitaxial growth device and annealing processing is performed so that the average surface roughness of the growth substrate becomes 0.2 to 10 nm, for example. - 特許庁

ＴＦＴ基板１２及び対向基板１３には、熱膨張係数が＋３．８×１０^-6／Ｋで、厚みが０．７ｍｍの無アルカリガラスが、補償基板１５、１６には、熱膨張係数が−２．０×１０^-6／Ｋで、厚みが１．１ｍｍの負熱膨張ガラスがそれぞれ用いられる。例文帳に追加

Non-alkali glass of +3.8×10^-6/K in coefficient of thermal expansion and 0.7 mm in thickness is used for the TFT substrate 12 and counter substrate 13 and negative-thermal-expansion glass of -2.0×10^-6/K in coefficient of thermal expansion and 1.1 mm in thickness is used for compensation substrates 15 and 16. - 特許庁

表面に酸化膜が形成されたシリコン基板などの基板４上に触媒ＣＶＤ法により窒化シリコン層１０を成長させる場合に、少なくとも成長初期に成長雰囲気の全圧を１．３３×１０^-3Ｐａ以上４Ｐａ以下に設定し、あるいは、少なくとも成長初期に成長雰囲気における酸素および水分の分圧を６．６５×１０^-10 Ｐａ以上２×１０^-6Ｐａ以下に設定する。例文帳に追加

When a silicon nitride layer 10 is formed on a substrate 4 like a silicon substrate with an oxide film on its surface in a catalytic CVD method, the total pressure of growth atmosphere is set from 1.33×10^-3 Pa to 4 Pa in at least an early stage. - 特許庁

結晶成長後に降温すると、サファイア基板１０とナノコラム状態のＺｒＢ2層１１の界面に大きな歪みが生じ、サファイア基板１０から結晶成長層１８が容易に分離する。例文帳に追加

After crystal growth, when the temperature is reduced, a large strain occurs in the interface between the sapphire substrate 10 and the ZrB_2 layer 11 in a nano-column state, and thereby, the crystal growth layer 18 is easily separated from the sapphire substrate 10. - 特許庁