あざぷろとあだまんたの英語

ヒドロキシアダマンタン化合物とハロプロパンジオール化合物とを酸触媒の存在下に反応させて、１，３−ビス（３−クロロ−２−ヒドロキシプロポキシ）アダマンタンのようなアダマンタン骨格を有するハロヒドリン化合物を取得し、これを塩基性化合物でエポキシ化を行うことにより、１，３−ビス（グリシジルオキシ）アダマンタンのようなアダマンタン骨格を有するエポキシ化合物を得る。例文帳に追加

An epoxy compound containing an adamantan-skeleton, such as 1,3-bis(glycidyloxy)adamantan, is prepared by reacting a hydroxyadamantan compound with a halopropanediol compound in the presence of an acid catalyst to obtain an adamantan-skeleton halohydrin compound such as 1,3-bis(3-chloro-2-hydroxypropoxy)adamantan and epoxidizing the obtained compound with a basic compound. - 特許庁

例えば、１，３−ビス（アリルオキシ）アダマンタンとジヘキシルシランをヒドロシリル化触媒の存在下反応させることによって得られる１，３−ビス｛３−（ジヘキシルシリル）プロポキシ｝アダマンタンのような下記式（１）で示されるケイ素含有アダマンタン化合物。例文帳に追加

The silicon-containing adamantane compound is represented by formula (1) including such compound as 1,3-bis{3-(dihexylsilyl)propoxy}adamantane which can be obtained, for example, by causing 1,3-bis(allyloxy)adamantane and a dihexylsilane to react with each other in the presence of a hydrosilylation catalyst. - 特許庁

プラズマＣＶＤ法により基材上に炭素膜を形成する方法であって、原料３０としてアダマンタン化合物が含まれるガスを直流放電によりプラズマ化して基材２０上に炭素膜を形成する。例文帳に追加

In the carbon film deposition method for depositing a carbon film on a substrate by the plasma CVD process, a gas containing an adamantane compound as a raw material is converted into plasma by the DC discharge to deposit the carbon film on the substrate 20. - 特許庁

半導体製造プロセスにおいてドライエッチング耐性が優れている等、優れた物性があり、半導体レジスト材料として有用な化合物である２−アルキル−２−アダマンチル（メタ）アクリレートを高純度、高収率で製造する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a 2-alkyl-2-adamantyl (meth)acrylate having excellent physical properties such as excellent dry etching resistance in a semiconductor production process and useful as a semiconductor resist material in high pyrity and yield. - 特許庁