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あーちだむの英語
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「あーちだむ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 49001件
磁気センサ20は、第1GMR素子GMR1、第2GMR素子GMR2、第3GMR素子GMR3、第4GMR素子GMR4を備えている。例文帳に追加
The magnetic sensor 20 is provided with a first GMR element GMR1, a second GMR element GMR2, a third GMR element GMR3, and a fourth GMR element GMR4. - 特許庁
RAMの診断装置例文帳に追加
DIAGNOSTIC DEVICE FOR RAM - 特許庁
ROMの診断装置例文帳に追加
DIAGNOSTIC DEVICE OF ROM - 特許庁
多段スライドアーム装置例文帳に追加
MULTISTAGE SLIDE ARM DEVICE - 特許庁
ROM診断装置例文帳に追加
ROM DIAGNOSTIC DEVICE - 特許庁
アーム部は、第1アームと前記第1アームと対向して配置される第2アームとを有する。例文帳に追加
The arm part includes a first arm and a second arm which is arranged to face to the first arm. - 特許庁
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「あーちだむ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 49001件
アーム7は第1アーム71と第2アーム72とで構成される。例文帳に追加
The arm 7 is composed of a first arm 71 and the second arm 72. - 特許庁
R(λ1)/R(λ2)< 1 (1)〔式中、R(λ1)、R(λ2)は、ぞれぞれの波長λ1(nm)、λ2(nm)(400nm<λ1、λ2<700nm、λ1<λ2)における高分子配向フィルムの面内位相差である。例文帳に追加
The retardation film exhibits retardation satisfying formula (1): R(λ1)/R(λ2)<1 at a wavelength λand ≤3% haze. - 特許庁
第1、第2MR素子MRM、MRRは、低、高抵抗状態の定常状態を取り得る。例文帳に追加
The first and second MR elements, MRM, MRR, can take low- and high-resistance steady states. - 特許庁
R(λ1)/R(λ2)< 1 (1) 〔式中、R(λ1)、R(λ2)は、ぞれぞれの波長λ1nm、λ2nm(400<λ1、λ2<700、λ1<λ2)における高分子配向フィルムの面内位相差である。例文帳に追加
The phase contrast of the above phase contrast film satisfies formula (1): R(λ1)/R(λ2)<1 at the wavelength λ and the haze of the film is ≤3%. - 特許庁
Bre(λ)=W(λ)・Br1(λ)+(1−W(λ))・Br2(λ)となるように、重み係数W(λ)を求める。例文帳に追加
A weight coefficient W(λ) is obtained so as to satisfy Bre(λ)=W(λ)×(Br1(λ)+(1-W(λ)))×Br2(λ). - 特許庁
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