いけのはら２ちょうめの英語

本発明による成形要素（１）は、成形部分（３）に固定するためのアンカー部分（２）を有し、該アンカー部分は、成形部分の成形面から突出する成形部分により延長されている。例文帳に追加

A molding element 1 is provided with an anchor section 2 to be fixed on a molding portion 3, and the anchor section 2 is extended by forming a molding portion protruded from the molding face of the molding portion 3. - 特許庁

ＧａＮ層２とＧａＮ成長層３の格子定数が一致し、ＧａＮ成長層３はＧａＮ層２の高い結晶性を引き継いで成長するため、結晶性の高いＧａＮ成長層３が得られる。例文帳に追加

The grid constant of the GaN layer 2 coincides with that of the GaN growth layer 3, and the GaN growth layer 3 is grown while succeeding the high crystallinity of the GaN layer 2 whereby the GaN growth layer 3, high in the crystallinity, is obtained. - 特許庁

幕府への要求事項として、以下の「三事策」（1.は長州藩、2.は岩倉具視、3.は薩摩藩の各意見を採用したもの）が決められた。例文帳に追加

As for the demands made to the Shogunate, the following three articles were decided (for the first item, the opinion of the Choshu domain; for the second item, Tomomi IWAKURA's opinion; for third item, opinion of the Satsuma domain were adopted, respectively).発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

しかしながら、貿易の絶対額をみると、被災5 県からの2010 年の貿易額は輸出が約1 兆3,800 億円、輸入が約2 兆4,300 億円であり、我が国全体に占める割合は輸出で約2％、輸入で約4％にとどまる。例文帳に追加

However, from the point of absolute amount of the trade, the trade value of 2010 from 5 disaster-affected prefectures were in export approximately 1,380 billion yen, and in import approximately 2,430 billion yen. The percentage in entire Japan value, remain at the level of approximately 2% in export and approximately 4% in import. - 経済産業省

半導体結晶２は所謂ドーム型の断面形状を有するＥＬＯマスク３がマスキングされた結晶成長基板１の結晶成長面１ａ上に成長したものであり、転位４はＥＬＯマスク３の上面略中央から半導体結晶２の結晶成長面２ａまで伸びている。例文帳に追加

The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2. - 特許庁

ゲイン調整部１２は、分類処理部１５の分類結果に示される着目対象部分を対象にしてカメラ２のゲインを調整する。例文帳に追加

A gain adjustment part 12 adjusts the gain of the camera 2 with respect to the section of interest classified by the classification processing part 15. - 特許庁

本発明の蓄光性発光装置300は、第1の励起波長帯域の光線によって励起され第1の発光波長帯域の第1の残光を発する第1の蓄光性蛍光体10と、第1の発光波長帯域を含む第2の励起波長帯域の光線によって励起され第2の発光波長帯域の第2の残光を発する第2の蓄光性蛍光体11を光透過性、導光性部材15に含有する。例文帳に追加

This luminous light-emitting device 300 contains a first luminous phosphor 10 excited by a light of a first exciting wavelength zone and emitting a first afterglow in a first light-emitting wavelength zone, and a second luminous phosphor 11 excited by a light of a second exciting wavelength zone and emitting a second afterglow in a second light-emitting wavelength zone in a light-transmitting and light-conducting member 15. - 特許庁

これは、半導体結晶２の成長に伴って半導体結晶２の結晶成長面２ａが結晶成長基板１の結晶成長面１ａ付近から上方に移動する間にも、半導体結晶２はＥＬＯマスク３の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。例文帳に追加

This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1. - 特許庁