いんたーろいきんすりーの英語

半導体基板のセル領域に形成されたフローティングゲートパターンと、前記セル領域周辺の前記インターフェース領域に形成されて、前記フローティングゲートパターンから延長されたダミーフローティングゲートパターン及び前記半導体基板のセル領域で、前記フローティングゲートパターンと交差するコントロールゲートパターンを含めることを特徴とする。例文帳に追加

Included are a floating gate pattern formed in a cell region of a semiconductor substrate, a dummy floating gate pattern formed in an interface region at a periphery of the cell region and extended from the floating gate pattern, and a control gate pattern crossing the floating gate pattern in the cell region of the semiconductor substrate. - 特許庁

印刷媒体をロードするための細いスリットを有するローラーを備える印刷媒体ローディング装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a printing media loading apparatus equipped with a roller having a narrow slit for loading a printing medium. - 特許庁

この状態で、半導体層３０２をアニール処理し、半導体層３０２におけるソース領域３０２ｂ´、ドレイン領域３０２ｃ´、接続領域３１１ａ及び３１１ｂ、並びにＬＤＤ領域３０３ａ及び３０３ｂを活性化する。例文帳に追加

In this state, the semiconductor layer 302 is subjected to annealing treatment, and the source region 302b', the drain region 302c', the connecting regions 311a and 311b, and LDD regions 303a and 303b in the semiconductor layer 302 are activated. - 特許庁

Ｐ^＋領域１７１は、ゲート電極１４及びサイドウォール１６を隔てたＰチャネルＭＯＳＦＥＴ Ｑｐのソース／ドレイン領域、Ｎ^＋領域１７２は、ゲート電極１４及びサイドウォール１６を隔てたＮチャネルＭＯＳＦＥＴ Ｑｎのソース／ドレイン領域となる。例文帳に追加

A p^+-type region 171 becomes a source/drain region of a p-channel MOSFET Qp via the gate electrode 14 and a sidewall 16, and an n^+-type region 172 becomes a source/drain region of an n-channel MOSFET Qn via the gate electrode 14 and the sidewall 16. - 特許庁

ＭＩＳＦＥＴ Ｔｒ２は、半導体層２４に形成されたソース領域４６と、このソース領域４６と離れて半導体層２４に形成されたドレイン領域４８と、ソース領域４６とドレイン領域４８との間における半導体層２４上に形成されたゲート電極５４とを有している。例文帳に追加

Each MISFET Tr2 has a source region 46 formed on the semiconductor layer 24, a drain region 48 formed on the semiconductor layer 24 apart from this source region 46, and a gate electrode 54 formed on the semiconductor layer 24 between the source region 46 and the drain region 48. - 特許庁

ドレイン領域（２０）は、ｎ型の低濃度ドープ領域４２と、ｎ^＋領域４４と、ｐ型ドレインｈａｌｏ領域（５０）とを有する。例文帳に追加

The drain region (20) has an n-type low-doped region (42), an n^+-region (44), and a p-type drain halo region (50). - 特許庁

ソース領域４０とドレイン領域５０との間にゲート絶縁膜６０を介して形成されたゲート電極７０が形成されている。例文帳に追加

A gate electrode 70 formed through a gate insulating film 60 is formed between the source area 40 and the drain area 50. - 特許庁

オンラインブックマークサービス提供システム、携帯用ブックマーク装置、オンラインブックマークサービス利用クライアント、オンラインブックマークサービス提供サーバ、オンラインブックマーク登録方法、オンラインブックマークサービス利用方法、オンラインブックマークサービス利用プログラム、及びオンラインブックマークサービス提供プログラム例文帳に追加

SYSTEM, SERVER AND PROGRAM FOR PROVIDING ONLINE BOOKMARK SERVICE, CLIENT, METHOD AND PROGRAM FOR USING ONLINE BOOKMARK SERVICE, PORTABLE BOOKMARK APPARATUS, AND ONLINE BOOKMARK REGISTRATION METHOD - 特許庁