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いんたーろいきんふぃふてぃーんの英語
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「いんたーろいきんふぃふてぃーん」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 146件
ｎ型ＴＦＴでは、ドレイン側に低濃度不純物領域１２０を設け、ｐ型ＴＦＴではＬＤＤを有しない構造とする。例文帳に追加
The low density impurity region 120 is provided on the drain in an n-type TFT, and the LDD is not provided in a p-type TFT. - 特許庁
ＴＦＴ−ＬＣＤ用カラーフィルター、ＬＴＰＳ−ＴＦＴ用カラーフィルターなどのカラーフィルターや、液晶ディスプレ−（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンスディスプレ−などの表示装置に使用される酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜等の透明導電膜のエッチング液を提供する。例文帳に追加
To provide an etching liquid for a transparent conductive film such as an indium tin oxide (ITO) or the like that is used for color filters such as a color filter for TFT-LCD, a color filter for LTPS-TFT, etc. or indicating devices such as a liquid crystal display (LCD), an electroluminescence display, etc. - 特許庁
ＴＦＴセンサＴ１からドレイン電流を取り込む際には、このＴＦＴセンサＴ１の各電極の電圧と、このＴＦＴセンサＴ１と対をなすＴＦＴセンサＴ０の各電極の電圧と、を等電圧とした状態で線順次で取り込みを行うことにより、ＴＦＴセンサＴ１の経時劣化や温度変化による影響を補正する。例文帳に追加
When capturing a drain current from a TFT sensor T1, compensation is made for any deterioration of the TFT sensor T1 over time and influences of temperature variations by performing the capturing in a line sequence in a state in which the voltages of the electrodes of this TFT sensor T1 and the voltages of the electrodes of the TFT sensor T0 paired with this TFT sensor T1 are equalized. - 特許庁
ＴＦＴセンサＴ１からドレイン電流を取り込む際には、このＴＦＴセンサＴ１の各電極の電圧とこのＴＦＴセンサＴ１と対をなすＴＦＴセンサＴ０の各電極の電圧とを等電圧とした状態で取り込みを行うことにより、ＴＦＴセンサＴ１の経時劣化や温度変化による影響を補正する。例文帳に追加
To take in the drain current from the TFT sensor T1, the voltage of each electrode of the TFT sensor T1 and the voltage of each electrode of the TFT sensor T0 paired with the TFT sensor T1 are set to the same voltage, so that the influence of the time degradation and the change in temperature of the TFT sensor T1 can be corrected. - 特許庁
本発明の電気光学装置は、表示領域内の画素スイッチング用ＴＦＴと周辺回路領域内の回路形成用ＴＦＴが全て同一導電型（例えばＮチャネル）のＴＦＴであり、ＴＦＴ３０のソース領域またはドレイン領域１ｄ，１ｅとの電気的接続をとるコンタクトホール８２，８３内に前記ＴＦＴと同一導電型のポリシリコンが埋め込まれている。例文帳に追加
In this electrooptical device, TFTs for switching pixels in a display region and TFTs for forming a circuit in a peripheral circuit region all consist of the same conduction type (e.g. N channel) TFTs and polysilicon of the same conduction type with the TFTs is embedded in contact holes 82 and 83 for electrical connection to a source region or drain regions 1d and 1e of the TFT 30. - 特許庁
第２形態では、各ＴＦＴがＬＤＤ構造を有すると共に、第１導電型の画素用ＴＦＴの低濃度ソース・ドレイン領域の不純物濃度は、第１導電型の駆動回路用ＴＦＴにおける低濃度ソース・ドレイン領域の不純物濃度に比較して低い。例文帳に追加
In a 2nd configuration, each TFT has an LDD structure and the impurity concentration of low concentration source and drain areas of a TFT for pixel of a 1st conductivity type is lower than the impurity concentration of low concentration source and drain areas of a TFT for driving circuit of the 1st conductivity type. - 特許庁
本発明の半導体装置１００は、ｎ型ＴＦＴ３０とキャパシタ６０とを備えた半導体装置であって、ｎ型ＴＦＴ３０はソース領域３０ａおよびドレイン領域３０ｂを有している。例文帳に追加
The semiconductor 100 is provided with an n-type TFT 30 and a capacitor 60, and the n-type TFT 30 has a source area 30a and a drain area 30b. - 特許庁
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「いんたーろいきんふぃふてぃーん」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 146件
しきい値制御可能なＴＦＴを有する半導体装置及びインバータ回路を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device and an inverter circuit having a TFT in which the threshold can be controlled. - 特許庁
ＴＦＴアレイ基板では、領域Ｒ１に、ゲート電極６ａ、ソース領域４５、ドレイン領域４６、ＧＯＬＤ領域４１，４２およびチャネル領域４０を含む薄膜トランジスタＴ１が形成されている。例文帳に追加
A thin film transistor T1 comprising a gate electrode 6a, a source region 45, a drain region 46, GOLD regions 41 and 42, and a channel region 40 is formed in a region R1 of a TFT array substrate. - 特許庁
電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ（３０）と、ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域に夫々電気的に接続されたソース引き出し電極及びドレイン引き出し電極とを備える。例文帳に追加
This optoelectronic device is provided with a pixel electrode (9a) and a TFT(thin film transistor) (30), which is connected to the pixel electrode and a source lead electrode and a drain lead electrode which are electrically connected respectively to the source region and the drain region of the TFT on a TFT array substrate (10). - 特許庁
フィルタ回路ＦＴ１は、マイクロホンＭＣ１からの受音信号Ｘ_1（ｆ）の低周波数域の増幅を行ない、フィルタ回路ＦＴ２は、マイクロホンＭＣ２からの受音信号Ｘ_2（ｆ）の低周波数域の増幅を行なう。例文帳に追加
A filter circuit FT1 amplifies a low frequency band of a sound received signal X_1(f) from a microphone MC1 and a filter circuit FT2 amplifies a low frequency band of a sound received signal X_2(f) from a microphone MC2. - 特許庁
ＦＦＴ２０は、入力信号の周波数帯域の少なくとも一部の帯域を複数のＦＦＴポイントの信号に分割する。例文帳に追加
The FFT20 divides at least a part of the frequency band of input signals into signals of a plurality of FFT points. - 特許庁
ＦＦＴ部１０５は、ＡＤコンバータ１０１の出力からＰＮポイントをフーリエ変換して周波数領域信号に変換する。例文帳に追加
An FFT unit 105 applies the Fourier transform to PN points from the output from the AD converter 101 for conversion to a frequency domain signal. - 特許庁
アンテナパターンから発される磁界によるＴＦＴ回路の誤動作を抑制できるＲＦＩＤインレットを提供する。例文帳に追加
To provide an RFID inlet for suppressing the malfunction of a TFT circuit due to a magnetic field caused by an antenna pattern. - 特許庁
したがって、ＴＦＴ（３０）のドレイン領域（１ｄ）の側面及び上面からなる表面の面積は、比較例に係るＴＦＴのドレイン領域の表面の面積より小さい。例文帳に追加
Therefore, the area of the surface comprising the side surface and the upper surface of the drain regions (1d) of the TFT (thin-film transistor) (30) is smaller than the area of the surface of the drain region of the TFT related to the comparison example. - 特許庁
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インターロイキン-15
ライフサイエンス辞書
2
インターロイキン15
ライフサイエンス辞書
3
インターロイキン15受容体
ライフサイエンス辞書
4
インターロイキン15受容体αサブユニット
ライフサイエンス辞書
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