Ｔａｇ−ＴＳＨＲ高発現ＣＨＯ細胞株例文帳に追加

TAG-TSHR HIGHLY EXPRESSING CHO CELL LINE - 特許庁

乗算結果加算手段は、Ｄ＝Ｓａ_０＋Ｓａ_１＋Ｓａ_２ ｍｏｄ Ｍの秘密計算を行う。例文帳に追加

The multiplication result addition means executes a secret computation of D=Sa_0+Sa_1+Sa_2 mod M. - 特許庁

サンプルホールド回路ＳＨ１、ＳＨ２はそれぞれ、電位差信号ＨＰ、ＨＮをサンプリング、ホールドする。例文帳に追加

Sample hold circuits SH1, SH2 sample and hold the potential differential signals HP, HN respectively. - 特許庁

ＣＯ２＋４Ｈ２→ＣＨ４＋２Ｈ２ＯΔＨ＝−３９．４kcal/mol（１）、ＣＯ２＋Ｈ２→ＣＯ＋Ｈ２ＯΔＨ＝＋９．８kacl/mol（２）、ＣＯ＋３Ｈ２→ＣＨ４＋Ｈ２ＯΔＨ＝−４９．３kcal/mol（３）。例文帳に追加

CO2+4H2→CH4+2H2O ΔH=-39.4 kcal/mol (1), CO2+H2→CO+H2O ΔH=+9.8 kcal/mol (2), CO+3H2→CH4+H2O ΔH=-49.3 kcal/mol (3). - 特許庁

０．９５ｍ≦Ｑ１≦１. ２ｍ ０. ９（ｍ＋ｎ）≦Ｑ２≦１．４（ｍ＋ｎ） ２≦ｍ＋ｎ≦５例文帳に追加

When m=1 to 3 and n=1 to 4, each equation, 0.95m≤Q1≤1.2m, 0.9 (m+n)≤Q2≤1.4 (m+n), 2≤m+n≤5 is satisfied. - 特許庁

楽曲の切れ目はｘｘｘｙＨに記録されたＴｒ１−ｎに含まれているとすると、ｘｘｘｙＨのデータがＮＮＭＡＨにコピーされ、ｘｘｘｙＨは分割ポイントＴｒ１−ｎ’でクローズされる（Ｂ）。例文帳に追加

If a break in the musical pieces is assumed to be included in Tr1-n recorded at xxxyH, the data of xxxyH is copied at NNMAH, and xxxyH is closed at the division point Tr1-n' (B). - 特許庁

ＣＯガス／Ｈ２ガス回収装置及びＣＯガス／Ｈ２ガス回収方法例文帳に追加

CO GAS/H2 GAS RECOVERY EQUIPMENT AND METHOD FOR RECOVERING CO GAS/H2 GAS - 特許庁

Ｓ_ｍ，０、Ｓ_ｍ，１、Ｓ_ｍ，２はＰ×３の行列要素である。例文帳に追加

S_m, 0, S_m, 1, and S_m, 2 are the matrix elements of P×3. - 特許庁

ホールアンプＨＡＭＰ１〜ＨＡＭＰ３はそれぞれ、ホール信号対ＳＨ１〜ＳＨ３にもとづき正弦波電圧ＳＩＮ＿Ｕ〜ＳＩＮ＿Ｗを生成する。例文帳に追加

Hall amplifiers HAMP1 to HAMP3 generate sine wave voltages SIN_-U to SIN_-W, respectively, based on hall signal pairs SH1-SH3. - 特許庁

マトリックスコンバータ１１は、入力端子１１１〜１１３と、出力端子１１４〜１１６と、双方向スイッチＳ_RU，Ｓ_RV，Ｓ_RW，Ｓ_SU，Ｓ_SV，Ｓ_SW，Ｓ_TU，Ｓ_TV，Ｓ_TWとを有する。例文帳に追加

The matrix converter 11 includes input terminals 111 to 113, output terminals 114 to 116, and bidirectional switches S_RU, S_RV, S_RW, S_SU, S_SV, S_SW, S_TU, S_TV, S_TW. - 特許庁

ＳＮＰ判別方法、並びにＳＮＰ判別用ＤＮＡチップ例文帳に追加

SNP DISCRIMINATION METHOD AND DNA CHIP FOR SNP DISCRIMINATION - 特許庁

情報記録再生装置は、３種の信号品質算出手段（ＳＡＭ演算器１１０、ＰＳＡＭ演算器１１１、ＭＳＡＭ演算器１１２）を有する。例文帳に追加

The information recording/reproduction apparatus includes three types of signal quality calculation means (SAM calculator 110, PSAM calculator 111, and MSAM calculator 112). - 特許庁

構造物１の上部にベース架台１１を据え付ける。例文帳に追加

A base frame 11 is installed on a structure 1. - 特許庁

水中ミキサーの据付装置例文帳に追加

INSTALLING DEVICE OF UNDERWATER MIXER - 特許庁

計算機１０４は、インターネット１０１及びＳＡＮ１１１と接続する。例文帳に追加

A computer 104 is connected to the Internet 101 and a SAN 111. - 特許庁

ここで、ＭＯＳトランジスタＭＳＨ１、ＭＳＨ２のオン抵抗を切り替え可能とするように電圧を可変としたサンプルホールドパルス信号φＳＨ１Ｓ、φＳＨ２Ｓを発生してＭＯＳトランジスタＭＳＨ１、ＭＳＨ２のゲートに与えるレベル調整回路２０を備える。例文帳に追加

Here, the sample-hold circuit includes a level adjusting circuit 20 which generates and supplies sample holding pulse signals ϕSH1S and ϕSH2S which are variable in voltage to switch the ON resistances of the MOS transistors MSH1 and MSH2 are generated to gates of the MOS transistors MSH1 and MSH2. - 特許庁

セレクタ１０６は第１のモードではＳＬＩ６をＳＬＱ６として出力しＳＬＩ７をＳＬＱ７として出力し、第２のモードではＳＬＩ７をＳＬＱ６として出力しＳＬＩ６をＳＬＱ７として出力する。例文帳に追加

A selector 106 outputs an SLI 6 as an SLQ 6 and outputs an SLI 7 as an SLQ 7 in the first mode, and outputs the SLI 7 as the SLQ 6 and outputs the SLI 6 as the SLQ 7 in the second mode. - 特許庁

セレクタ１０４は、第１のモードでは、ＳＬＩ４をＳＬＱ４として出力しＳＬＩ５をＳＬＱ５として出力し、第２のモードではＳＬＩ５をＳＬＱ４として出力しＳＬＩ４をＳＬＱ５として出力する。例文帳に追加

A selector 104 outputs an SL 14 as an SLQ 4 and outputs an SLI 5 as an SLQ 5 in a first mode, and outputs the SLI 5 as the SLQ 4 and outputs the SLI 4 as the SLQ 5 in a second mode. - 特許庁

特定生体物質は、ＡＮＸＡ３、ＰＣＮＡ、ＬＭＮＢ１、ＰＡＫ１、４ＥＢＰ１、ＫＡＲＳ、ＰＳＭＥ２、ＥＮＯ１、ＳＴＡＴ１、ＰＨＢ、ＳＰ−１００、およびＰＰＰ１ＣＢからなる群より選択される少なくとも１つである。例文帳に追加

The specific biomaterial is at least one selected from the group consisting of ANXA3, PCNA, LMNB1, PAK1, 4EBP1, KARS, PSME2, ENO1, STAT1, PHB, SP-100, and PPP1CB. - 特許庁

選択器１１３は、ｍＴｎＴ遷移検出器１０８での判別結果に従って、ＳＡＭ演算器１１０にて算出されたＳＡＭ、ＰＳＡＭ演算器１１１にて算出されたＰＳＡＭ、又は、ＭＳＡＭ演算器１１２にて算出されたＭＳＡＭの何れかを出力する。例文帳に追加

A selector 113 outputs one of a SAM calculated by the SAM calculator 110, a PSAM calculated by the PSAM calculator 111, and a MSAM calculated by the MSAM calculator 112 based on the determination results of the mTnT transition detector 108. - 特許庁

このポリシーサーバは、ＳＧＳＮ（１１５）とＧＧＳＮ（１３５）との間に結合されている。例文帳に追加

The policy server is coupled between SGSN (115) and GGSN (135). - 特許庁

携帯電話機ＭＳ１が通信を終了すると（Ｓａ１０）、通信網ＢＳを介して料金サーバＦＳに通信終了を通知する（Ｓａ１２、Ｓａ１４）。例文帳に追加

When a portable telephone MS1 completes communication (Sa10), a rate server FS is the completion of communication notified via a communication network BS (Sa12, Sa14). - 特許庁

ＤＡ基板の速度オフセットＶｏｆｆｓ＝（Ｓ２−Ｓ１）／Ｔ１，電圧オフセットＥｏｆｆｓ＝（Ｓ２−Ｓ１）／（Ｔ１・Ｒ１）となり、基板２０の指令値のオフセットＮｏｆｆｓ＝Ｎ×（Ｓ２−Ｓ１）／（Ｅ１×Ｒ１×Ｒ１）となる。例文帳に追加

The speed offset of the DA substrate becomes Voffs=(S2-S1)/T 1, voltage offset becomes Eoffs=(S2-S1)/(T1.R1), and the offset of a command value of the substrate 20 becomes Noffs=N×(S2-S1)/(E1×R1×R1). - 特許庁

第１のＳＡＳエクスパンダは、エクスパンダ間通信のための第１のＳＡＳエクスパンダの物理ポート及び第２のＳＡＳエクスパンダの物理ポートを通じて第２のＳＡＳエクスパンダに接続される。例文帳に追加

The first SAS expander is connected to the second SAS expander via the physical port of the first SAS expander and the physical port of the second SAS expander respectively for inter-expander communications. - 特許庁

入力信号ＩＮがＬレベルからＨレベルになると、ｎＭＯＳＦＥＴ１０７＝ＯＮ状態、反転出力信号ＯＵＴｘ＝Ｌレベル、ｐＭＯＳＦＥＴ１０６＝ＯＮ状態、ｐＭＯＳＦＥＴ１１２＝ＯＮ状態となる。例文帳に追加

When an input signal N changes from a low level to a high level, nMOSFET 107=ON state, inversion output signal OUTx=low level, pMOSFET 106=ON state and pMOSFET 112=ON state are satisfied. - 特許庁

ジフルオロメタン１０ｍａｓｓ％〜６０ｍａｓｓ％とトリフルオロヨードメタン９０ｍａｓｓ％〜４０ｍａｓｓ％からなる不燃性冷媒組成物。例文帳に追加

The nonflammable composition comprises 10-60 mass% of difluoromethane and 90-40 mass% of trifluoroiodomethane. - 特許庁

非対称ＩｎＧａＡｓＮ垂直空胴表面放出レーザ例文帳に追加

ASYMMETRIC InGaAsN VERTICAL CAVITY SURFACE EMISSION LASER - 特許庁

無線基地局１１０〜１１４のＩｎｔｅｒｌａｃｅ毎にエリア識別番号（ＳＨＯＧ）を設定する。例文帳に追加

An area identification number (SHOG) is set to each Interlace of wireless base stations 110 to 114. - 特許庁

無線基地局１１０〜１１４のＩｎｔｅｒｌａｃｅ毎にエリア識別番号（ＳＨＯＧ）を設定する。例文帳に追加

An area identification number (SHOG) is set for each Interlace of radio base stations 110-114. - 特許庁

更に、上記ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ２の出力レベル補償回路（ＣＭＯＳインバータ７、８、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ９、及びｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１０）と、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ５の出力レベル補償回路（ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１１及びｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１２）を設ける。例文帳に追加

Moreover, the circuit is provided with a circuit for compensating the output level of p-channel MOSFET 2(CMOS inverters 7, 8, p-channel MOSFET 9 and n-channel MOSFET 10) and the circuit for compensating the output level of n-channel MOSFET 5(n-channel MOSFET 11 and p-channel MOSFET 12). - 特許庁

ＰＳＭＡ７、ＮＥＤＤ１およびＲＡＥ１遺伝子発現抑制剤の用途例文帳に追加

USE OF PSMA7, NEDD1, AND RAE1 GENE EXPRESSION INHIBITOR - 特許庁

タンパク質ＡＭＳＨとそのｃＤＮＡ例文帳に追加

PROTEIN AMSH AND ITS cDNA - 特許庁

ブログパーツによるＦＬＡＳＨアフィリエイトシステム例文帳に追加

FLASH AFFILIATE SYSTEM BY BLOG PARTS - 特許庁

さらに、Ｋｈｄ１は、ＡＳＨ１ｍＲＮＡのＮ末端コード領域を介して、ＡＳＨ１ｍＲＮＡと結合する。例文帳に追加

Khd1 can bond with the ASH1mRNA through the N-terminal code region of the ASH1mRNA. - 特許庁

さらに、Ｋｈｄ１は、ＡＳＨ１ｍＲＮＡのＮ末端コード領域を介して、ＡＳＨ１ｍＲＮＡと結合する。例文帳に追加

The Khd1 bonds to the ASH1mRNA through the N-terminal coding region of the ASH1mRNA. - 特許庁

駆動回路１３、１４はＭＯＳＦＥＴ１１１、１２１のＰＷＭ信号を出力する。例文帳に追加

The drive circuits 13 and 14 output the PWM signals of the MOSFETs 111 and 121. - 特許庁

また、ソースフォロワトランジスタＸｆｔ１，Ｘｆｃ１のソースから差動対トランジスタＸｆａ１，Ｘｆａ２のゲートに帰還容量として働くトランジスタＸｆｆ１，Ｘｆｆ２を接続する。例文帳に追加

Further, transistors Xff1, Xff2 acting like feedback capacitors are connected from the sources of source follower transistors Xft1, Xft2 to the gates of the differential pair transistors Xfa1, Xfa2. - 特許庁

ｓｉｇｍａＲは、Ｒｅｘｈの大きさに応じて変更する係数ＨＯＳＲＥＸＨを設定して（Ｓ５）、ｓｉｇｍａＲ＝ΣＲｅｘｈ・ＨＯＳＲＥＸＨにより算出する（Ｓ６）。例文帳に追加

The sigmaR is calculated from sigmaR =ΣRexh×HOSREXH (S6) upon setting the factor HOSREXH changing in accordance with the size of Rexh (S5). - 特許庁

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１３は、互いに通過帯域が離間したＳＡＷフィルタＳＡＷ１，ＳＡＷ３に接続している。例文帳に追加

An individual terminal PIC13 of a switch IC11 is connected to SAW filters SAW1 and SAW3 whose pass bands are mutually spaced-apart. - 特許庁

光検出器１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃから出力される検出信号をそれぞれＳａ、ＳｂおよびＳｃとして、再生信号Ｓを、Ｓ＝Ｓａ＋Ｓｂ−Ｓｃの演算により求める。例文帳に追加

When the light detector 111b is removed, the upper half of the reproducing light Ln enters the light detector 111c. - 特許庁

そして、第１のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ａ及び第２のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ｂのＡｌ組成Ｘは共に０．３より大きく、かつ第１のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ａ及び第２のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ｂのＡｌ組成Ｘの差は０より大きく０．６より小さい。例文帳に追加

Both the Al compositions X of the first and second Al_xGa_1-xN layers 14a and 14b are greater than 0.3, and differences in Al compositions X between the first and second Al_xGa_1-xN layers 14a and 14b are greater than 0 and smaller than 0.6. - 特許庁

即ち次のペプチドＭＭＬＲＬＬＩＡＡＤ ＷＰＴＷＲＳＴＲＫＡ ＡＲＣＡＡＰＷＰＰＥ ＱＶＳＲＳＲＳＭＴＫ ＩＷＳＥＴＩＣＴＶＳ ＫＲＳＲＮＰＧＧＥＴ ＳＳＲＳＳＤＳＨＲＲ ＲＰＡＳＣＲＭＫＴＰ ＶＱＳＰＴＩＧＭＰＡ ＡＡＲＳＦＲＫＲＳＡ ＳＧＧＲＡＬＷＳＬＩ ＳＰＰＴＴＴＩ又はこれと相同性を有するペプチドをコードする病原性遺伝子。例文帳に追加

Namely, the pathogenic gene encoding the next peptide: MMLRLLIAAD WPTWRSTRKA ARCAAPWPPE QVSRSRSMTK IWSETICTVS KRSRNPGGETSSRSSDSHRR RPASCRMKTP VQSPTIGMPA AARSFRKRSA SGGRALWSLI SPPTTTI or homologous to the peptide. - 特許庁

副ＭＯＳＦＥＴ１５は主ＭＯＳＦＥＴ１４に逆方向電圧が印加された時にオンになる。例文帳に追加

The sub MOSFET 15 turns on when a reverse voltage is applied to the main MOSFET 14. - 特許庁

同一の電源電圧で動作する領域内にＮ型ＭＯＳＦＥＴ１１８とＰ型ＭＯＳＦＥＴ１２０とを形成する際に、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１１８のゲート絶縁膜１０６ａの厚さをＰ型ＭＯＳＦＥＴ１２０のゲート絶縁膜１０６ｂの厚さよりも厚くする。例文帳に追加

At the time of forming an n-type MOSFET 118 and a p-type MOSFET 120 in the inside of the region which operates with the same supply voltage, a gate insulating layer 106a of the n-type MOSFET 118 is made thicker than the thickness of a gate insulating layer 106b of the p-type MOSFET 120. - 特許庁