小窓モード


プレミアム

ログイン
設定

設定

英和・和英辞典で「えっ どういうこと?」に一致する見出し語は見つかりませんでしたが、
下記にお探しの言葉があるかもしれません。

「えっ どういうこと?」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 266



例文

この発明は半導体ウエハの周縁部を確実にエッチングすることができるようにしたエッチング装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide an etching system capable of etching the circumferential edge portion of a semiconductor wafer surely. - 特許庁

半導体ウェハーのクラックからスピンエッチング装置(ウェットエッチング装置)のチャックへエッチング液が滲入したことを検知し、スピンエッチング装置の稼動を自動的に停止する。例文帳に追加

To detect invasion of an etching solution from a crack in a semiconductor wafer into a chuck of a spin etching apparatus (wet etching apparatus) and automatically stop operation of the spin etching apparatus. - 特許庁

エッエッチングの実行中に半導体ウエハの厚みを計測することが可能な厚み計測装置、及びそれを用いたウエッエッチング装置、ウエッエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thickness measuring device for measuring the thickness of a semiconductor wafer while wet etching is being executed, a wet etching device using it, and a wet etching method. - 特許庁

半導体ウエハ(16)への材料の堆積およびエッチングを選択的に制御すること例文帳に追加

To selectively control a deposition of materials to a semiconductor wafer 16 and an etching of the materials. - 特許庁

また、前記不活性化する処理は前記半導体薄膜のエッチング除去であることを特徴とする。例文帳に追加

Moreover, the inactivation treatment is the removal of the semiconductor film by etching. - 特許庁

さらに、1組の半導体ウエハ1を保持した保持装置10の複数をエッチング液に浸漬することにより、同時に多くの半導体ウエハ1をエッチングすることができる。例文帳に追加

Further, a plurality of holding devices 10 each holding a pair of semiconductor wafers 1 are dipped in the etchant to etch many semiconductor wafers 1 simultaneously. - 特許庁

私も福岡と北九州市に長く、今でも住んでいますけれども、やはり地方の証券取引所も地域社会の活性化ということでは大事ですから、もし東証と大証が一緒になるということがあれば、そういうことも視点に入れて、どういうふうに大きく考えるのかということをもう一度振り返って考えてみたいと思っています。例文帳に追加

Commodity trading, including crude oil trading, has its own long tradition and history, to be sure.発音を聞く  - 金融庁

その後、半導体ウェハ1に回転を施して、半導体ウェハの第2主面S2に薬液を供給することエッチングを施す。例文帳に追加

Thereafter, the semiconductor wafer 1 is rotated and the etching process is conducted by supplying a chemical solution to the second principal surface S2 of the semiconductor wafer. - 特許庁

本発明はプラズマエッチング装置に関し、半導体ウェハの全面において均一なエッチングレートを確保することを目的とする。例文帳に追加

To assure a uniform etching rate on an overall surface of a semiconductor wafer in a plasma-etching apparatus. - 特許庁

塩化第二銅系エッチング液と過硫酸アルカリ塩エッチング液を用いて連続的にエッチングを行うことにより銅箔の厚みばらつきの少ない薄型銅張積層板を得ることが可能な薄型銅張積層板の製造法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a thin copper-clad laminate, which can produce the thin copper-clad laminate with uniform thickness distribution of a copper foil by continuous etching with using a cupric chloride and alkali persulfate etchants. - 特許庁

半導体ウェーハの平坦度を、エッチングレートと回転数に基づいて制御することにより、安定した平坦度を有する半導体ウェーハを製造する半導体ウェーハのエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etching method of a semiconductor wafer for manufacturing the semiconductor wafer having stable flatness by controlling the flatness of the semiconductor wafer based upon an etching rate and the number of revolutions. - 特許庁

半導体ウェーハ面内のエッチングレートの均一化を図ることができ、半導体ウェーハ面内の平坦度及びうねりを改善できる半導体ウェーハのエッチング装置を提供する。例文帳に追加

To provide an etching apparatus of semiconductor wafer in which the etching rate can be made uniform in the plane of a semiconductor wafer, and planarity and undulation can be improved in the plane of the semiconductor wafer. - 特許庁

ダイシング後のチップ同士の間隔が極度に狭いウェーハであっても、搬送中の振動によって隣同士のチップのエッジとエッジとが接触し、エッジ部に欠けやマイクロクラック等が発生することのないウェーハの搬送方法を提供すること例文帳に追加

To provide a transferring method of a wafer with no fear of a crack, a micro crack, etc. generated at an edge, even if a space between chips after dicing is extremely narrow, during the transfer, in which edges of adjoining chips may contact with each other by swinging. - 特許庁

半導体ウエーハをプラズマエッチングする際、ウエーハの外周部において過剰なエッチングを防ぐとともに、均一にエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma etching method capable of preventing excessive etching at the outer-periphery of a wafer and capable of performing uniform etching, when performing the plasma etching of the semiconductor wafer. - 特許庁

半導体ウェハ基板のエッジ部の欠陥を確実に検出することができる欠陥検査装置及び欠陥検査方法を提供すること例文帳に追加

To provide a defect inspection apparatus and a defect inspection method which can surely detect defects in an edge of a semiconductor wafer substrate. - 特許庁

レートの早いエッチングを要することなく、平坦度の高い半導体ウェハを効率よく製造することができる。例文帳に追加

To provide an efficient manufacturing method of a highly flat semiconductor wafer without requiring fast rate etching. - 特許庁

この発明は半導体ウエハの周縁部だけを確実にエッチング処理することができるようにした処理装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a treating device capable of reliably etching the periphery of a semiconductor wafer. - 特許庁

条約体制に順応することで、かえって西欧「文明国」クラブ間だけに平等を限定するという暗黙の国際法ルールを打破し、それらと同等の権利を勝ち取ること、単純に言い換えると不平等条約を解消して日本を「文明国」に格上げすることであった。例文帳に追加

By adjusting itself to the treaty system, Japan aimed to break an unspoken rule of international law that ensures equality only for western 'civilized' countries and to gain an equal right to it, more simply, to revise the unequal treaties and to become a 'civilized country.'発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

この導体薄膜5は、レジスト膜6の現像処理時に現像液によって同時にエッチングすることで形成されている。例文帳に追加

The conductive thin film 5 is formed by simultaneously etching by using a developing solution when the resist film 6 is developed. - 特許庁

半導体ウエハ上に形成された微細な多数の半田バンプ等を自動的に検査することのできるウエハ検査用X線透視装置を提供する。例文帳に追加

To automatically inspect a large number of fine soldering bumps or the like formed on a semiconductor wafer. - 特許庁

エッチング液タンク9内のエッチング液2を処理槽1内に供給し、この供給されたエッチング液2をエッチング液タンク9内に回収することを複数回繰り返すことにより、処理槽1内に配置された半導体ウエハ18に対してエッチング処理を行なう。例文帳に追加

A semiconductor wafer 18 placed in a treatment tank 1 is subjected to an etching treatment, by repeating a treatment of supplying an etching solution 2 in an etching solution tank 9 to the treatment tank 1, and returning the supplied etching solution 2 into the etching solution tank 9. - 特許庁

本発明に係るの半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ10の表面に熱酸化法又はCVD法により膜を成膜することにより、前記半導体ウエハのエッジ部10aにも前記膜が成膜される工程と、前記半導体ウエハのエッジ部に研磨材12を吹き付けることにより、前記エッジ部に成膜された膜を研磨して除去する工程と、を具備することを特徴とする。例文帳に追加

This method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of forming a film at the edge 10a of the semiconductor wafer by forming a film on the surface of the semiconductor wafer 10 by a thermal oxidation method or a CVD method and a step of polishing and removing the film formed at the edge section by spraying a polishing material 12 to the edge section of the semiconductor wafer. - 特許庁

プラズマエッチングによる半導体ウェハの切断において、保護シートへの熱ダメージを防止することができる半導体装置の製造方法および半導体ウェハの切断装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor wafer cutting device by which protective sheets can be prevented from being thermally damaged at the time of cutting semiconductor wafers by plasma etching. - 特許庁

放熱や応力緩和というサポートの効果を損なうことなく、エッチングの進行を確認するための領域を確保し、エッチング時の干渉色視認性を向上させる半導体レーザ素子を提供することである。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element in which visibility of interference color is enhanced at the time of etching by ensuring a region for confirming progress of etching without sacrifice of supporting effect, i.e. heat dissipation or stress relaxation. - 特許庁

このため、X回目の確定表示までは遊技者に大当り発生に対する高い期待感を与えることができ、X回目の確定表示終了した時点では確率変動の獲得という新たな期待感を与えることができる。例文帳に追加

Therefore, a high expectation to the big hit generation can be given to the player up to the X-time determinative display, and when the X-time determinative display is ended, a new expectation of the acquisition of stochastic variation can be given. - 特許庁

半導体ウェハをエッチングすることによって半導体ウェハを製造する際に、エッチング媒体を流動方向に沿って層流で半導体ウェハの縁部方向に向かって流す半導体ウェハの製造方法において、半導体ウェハの縁部の前に保護シールドを配置することで、エッチング媒体が保護シールドに対して流れ、半導体ウェハの縁部に対しては流れないようにすることを特徴とする半導体ウェハの製造方法例文帳に追加

An etching medium is made to flow in a laminar in a flow direction toward the edge of a semiconductor wafer in a semiconductor wafer manufacturing method when a semiconductor wafer is manufactured by etching, and a protective shield is arranged in front of the edge of the semiconductor wafer, by which the etching medium flows toward the protective shield, being restrained from flowing toward the edge of the semiconductor wafer. - 特許庁

このため、他方のスライド板6の摺動面6aがビス穴22の表面エッジ部22a1に削られるという不具合が生じることはない。例文帳に追加

Thus, there is no nonconformity that the sliding face 6a of the other slide board 6 is chipped by the surface edge part 22a1 of the machine screw hold 22. - 特許庁

これにより、各照明器具X_11が現在何れの動作モードに設定されているかという情報を一括して取得することができる。例文帳に追加

Therefore, the information as to what mode lighting devices X11 are set currently can totally be obtained. - 特許庁

このように構成することによって、バスマスタ2m0〜2mXからのリクエストをリクエストデータスレッドという単位で扱うことが可能となり、バスマスタ2m0〜2mXの動作とは独立してバス転送を行うことができ、バスライン6を効率良く利用することができる。例文帳に追加

Requests from the bus masters 2m0 to 2mX is handled thereby by a unit that is the request data thread, the bus transfer is performed independently of the operation of the bus masters 2m0 to 2mX, and the bus line 6 is efficiently used. - 特許庁

半導体ウェーハ面内のエッチングレートの均一化を図ることができ、平坦度及びうねりを改善する半導体ウェーハのエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etching method of a semiconductor wafer capable of being improved in its flatness and undulation and of making uniform an etching rate in a semiconductor wafer plane. - 特許庁

半導体ウェーハをエッチングする技術に関し、ウェーハの表面形状をより最適に制御することができるようにした、半導体ウェーハのエッチング装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide a device and a method for etching a semiconductor wafer, which control a surface shape of the wafer more suitably with respect to a technique for etching the semiconductor wafer. - 特許庁

半導体薄膜を基板上に形成した後剥離する方法において、剥離のためのエッチング液の浸透速度が高く、エッチング速度の均一性を高め、短時間で良好な半導体薄膜を得ることのできるようにする。例文帳に追加

To obtain a good semiconductor film in a short time by accelerating the penetration of an etchant for peeling so as to improve the uniformity of an etching speed in a method of forming the semiconductor thin film on a substrate and thereafter peeling it. - 特許庁

半導体薄膜を基板上に形成した後剥離する方法において、剥離のためのエッチング液の浸透速度が高く、エッチング速度の均一性を高め、短時間で良好な半導体薄膜を得ることができるようにする。例文帳に追加

To obtain, in a short time, an excellent semiconductor thin film by increasing the permeation speed of an etchant for peeling, and enhancing uniformity of etching speed, in a method of peeling a semiconductor thin film after formed on a substrate. - 特許庁

同一基板上に形成された薄膜をエッチング選択性の低い条件でエッチングする場合でも、エッチング対象とされない薄膜がエッチングされることを防止可能な薄膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること例文帳に追加

To provide a method of forming a thin film pattern which is capable of preventing a thin film that is not an object of etching from being etched even when thin films is subjected to etching under the condition that etching selectivity is set low, and to provide an electro-optical device, its manufacturing method, and an electronic apparatus. - 特許庁

エッチングガス26の発生量の変化から半導体ウエハ5のエッチング進行度を確認し、エッチングの終点を決定することによって、薄肉のダイヤフラム11を形成するような場合においても、所定の厚さまで精度良くエッチングを行うことができる。例文帳に追加

Since the end point of the etching is decided by confirming the progress of the etching performed on the wafer 5 from the variations in the amount of emission of the etching gas 26, the wafer 5 can be etched down to a prescribed thickness with accuracy, even when a thin diaphragm 11 is to be formed. - 特許庁

ウェットエッチングにより形成するパターンが微細化した場合であっても「反応生成ガスによる気泡」が半導体ウェハの表面に滞留することを十分に抑制することが可能で、ひいてはウェットエッチングを均一に行うことが可能なウェットエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a wet etching method that enables uniform wet etching by sufficiently suppressing the retention of "bubbles generated by reactive generated gas" on a surface of a semiconductor wafer even when patterns formed by wet etching are reduced in size. - 特許庁

本発明は半導体ウェハの所望の部位を高い選択比で精度良く異方的にエッチングするための半導体装置の製造方法に関する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a semiconductor device that accurately and anisotropically etches the desired site of a semiconductor wafer with high selection ratio. - 特許庁

この発明は半導体ウエハの上面全体をエッチング液によって均一にエッチング処理することができるようにした処理装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a treatment device capable of uniformly subjecting the whole upper surface of a semiconductor wafer to an etching treatment by an etchant. - 特許庁

そのことで、AlCu層が硬化する際に発生する圧縮応力は、その下面に硬化するAl_xTi_y合金層へと伝わり、基板1を含む半導体ウエハ41の反り上がり量Xを低減することができる。例文帳に追加

As a result, compressive stress, generated when the AlCu layer is hardened is transferred to the Al_xTi_y alloy layer which is hardened on the lower surface of the AlCu layer, and amount of warpage X of a semiconductor wafer 41 containing a substrate 1, can be reduced. - 特許庁

半導体基板とショットキー電極との間に窒化シリコン(SixNy)薄膜が設けてあることを特徴とする。例文帳に追加

A silicon nitride (SixNy) thin film is provided between a semiconductor substrate and the schottky electrode. - 特許庁

プラズマを用いて例えば半導体ウエハに対して成膜やエッチングなどの処理を行うにあたり、良好な処理を行うこと例文帳に追加

To conduct satisfactory treatment at conducting film formation, etching or other treatment for a semiconductor wafer, for instance, by using plasma. - 特許庁

相対運動機構は、X線管がサイクロイド(44)の経路(22)を辿ることができるように構成されている。例文帳に追加

The relative motion mechanism is configured so that the X-ray tube can follow the passage (22) of a cycloid (44). - 特許庁

これにより、半導体薄膜8にサイドエッチングがやや生じても、チャネル長Lおよびチャネル幅Wに寸法変化が生じることはない。例文帳に追加

Thereby, even if slight side etching occurs in the semiconductor film 8, the channel length L and the channel width W do not vary dimensionally. - 特許庁

例文

エッチングにてウエハを薄型化してもウエハの破損をより確実に防止することができる半導体ウエハの加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a treatment method for a semiconductor wafer which can securely prevent the wafer from being broken even when made thin by etching. - 特許庁

>>例文の一覧を見る

以下のキーワードの中に探している言葉があるかもしれません。

「えっ どういうこと?」に近いキーワードやフレーズ

英語翻訳

英語⇒日本語日本語⇒英語

検索語の一部に含まれている単語

検索語の中に部分的に含まれている単語を表示しています。

検索のヒント

  • キーワードに誤字・脱字がないか確かめて下さい。
  • 違うキーワードを使ってみてください。
  • より一般的な言葉を使ってみてください。

その他の役立つヒント

音声・発音記号のデータの著作権について


研究社研究社
Copyright (c) 1995-2024 Kenkyusha Co., Ltd. All rights reserved.
CMUdict is Copyright (C) 1993-2008 by Carnegie Mellon University.

ピン留めアイコンをクリックすると単語とその意味を画面の右側に残しておくことができます。

こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

このモジュールを今後表示しない
みんなの検索ランキング
閲覧履歴
無料会員登録をすると、
単語の閲覧履歴を
確認できます。
無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS