おおつかちょう６ちょうめの英語

平均熱膨張係数（２３〜１５０℃）が２〜６ｐｐｍ／Ｋの範囲に任意に調節可能で、ヤング率が高くかつ機械的強度が大きく、焼結性に優れる窒化珪素・メリライト複合焼結体を用いた基板を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate produced by using a silicon nitride-melilite composite sintered body having an average thermal expansion coefficient (23-150°C) arbitrarily adjustable in a range of 2-6 ppm/K, and exhibiting high Young's modulus, high mechanical strength and excellent sinterability. - 特許庁

戦国時代_(日本)末期、正親町天皇が応仁の乱で断絶した朝廷の雅楽の再興を志した際に四天王寺から召した林広康（寛永3年4月11日_(旧暦)、73歳で没）がその事業に多大な貢献をしたということで代々朝廷に仕えた。例文帳に追加

During the latter years of the Sengoku period (Period of Warring States), when Emperor Ogimachi sought to reestablish gagaku at the Imperial Court, a tradition that had been discontinued during the Onin War, Hiroyasu HAYASHI (died May 6, 1626, at the age of 73) made a major contribution, which led to Hiroyasu's family serving the Imperial court for generations.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

石英系ガラス材料からなる導波路グレーティング素子において、グレーティング９が形成された石英ガラス基板１の裏面側に、線膨張係数が１５×１０^-6nm／℃より大きい材質からなる部材１０が接合されている。例文帳に追加

In this waveguide grating element composed of a quartz-based glass material, a member 10 consisting of a material whose linear expansion coefficient is larger than 15×10-6 nm/°C is joined to the rear face of a quartz base-plate 1 on which a grating 9 is formed. - 特許庁

スリット２１若しくは複数の孔２２の大きさ、または前記排出管２０の延長部下側と前記排出部１２の下面１２ａとの間隙は、前記シフト触媒層６に充填された触媒粒子が前記改質ガスに伴って前記排出管２０内に流入しない範囲に設定される。例文帳に追加

The size of the slit 21 or the plurality of holes 22 or the gap between the under side of the extended part of the discharge pipe 20 and the undersurface 12a of the discharge section 12 is set to a range where catalyst particles packed into the shift catalyst bed 6 do not flow in the discharge pipe 20 with the reformed gas. - 特許庁

本発明の電子部品内蔵積層体１１は、電子部品４が埋設された熱可塑性樹脂製の内層６と、内層６の周囲を覆う合成樹脂製の外層７とを有し、上記熱可塑性樹脂の融点が電子部品４の破壊温度及び上記合成樹脂の融点より低温であることを特徴としている。例文帳に追加

A layered product 11 with built-in electronic component has a thermoplastic resin inner layer 6, in which an electronic component 4 is embedded, and a synthetic resin outer layer 7 surrounding the inner layer 6 and the fusion point of the thermoplastic resin is lower than the destruction temperature of the electronic component 4 and the fusion point of the synthetic resin. - 特許庁

我が国農林水産業（川上）の総生産額は6兆円（農業、林業は2005年、水産業は2006年）と、GDPの1％程度となっている一方で、輸入品や中食・外食も含めた消費者の食関連の最終消費支出（川下）は80兆円と、輸入代替や中食・外食との連携による国内市場拡大の余地はまだまだ大きい。例文帳に追加

Gross production of agriculture, forestry, and fisheries of Japan (upstream) is ¥600 million (the figure for agriculture and forestry is for 2005 and for fisheries, for 2006), which is about 1% of the GDP. On the other hand, the food-related ultimate consumption expenditure (downstream) by consumers is as much as ¥80 trillion, and accordingly, there is still sufficient room for the expansion of the domestic market based on the replacement of imports and collaboration with home-meal replacement and away-from-home meals industries. - 経済産業省

ご存じのように平成23年度の税制改正要望については、要望の取りまとめを行いまして、6月22日から7月12日まで意見の公募を実施をいたしました。意見公募の結果については7月29日に発表させていただきました。また、証券税制については、皆さん方ご存じのように大臣政務官、あるいは金融（庁）の税制研究会においては論点整理がまとめられて、これは7月29日に公表し、今後は（大臣）政務官（を座長とする金融税制研究会）から、大塚副大臣を座長とする金融税制調査会においてさらに議論されるものというふうに承知をいたしております。例文帳に追加

As you know, we called for public comments from June 22 to July 12 with the view to finalize our requests for the Fiscal Year 2011 Tax System Revision. The results of this comment collection effort were announced on July 29. For securities taxation, a summary of issues was drawn up by the Financial Tax System Analysis Meeting of the Parliamentary Secretary, or under the FSA, and was announced on July 29, as you know. I understand that the venue of discussion will now be shifted from the Financial Tax System Analysis Meeting chaired by the Parliamentary Secretary to the Financial Tax System Study Group chaired by Senior Vice Minister Otsuka for further deliberations.発音を聞く  - 金融庁

ｎ型ＧａＡｓ基板１上にＭＯＶＰＥ法によって活性層４およびウィンドウ層６を含むエピタキシャル層を成長させる際に、ウィンドウ層６は、５×１０^18ｃｍ^-3以上のキャリア濃度を有し、かつ、活性層４よりバンドギャップの大きいＡｌＧａｌｎＰ層により構成する。例文帳に追加

In the case of growing an epitaxial layer containing an active layer 4 and a window layer 6 on an n-type GaAs substrate 1 by an MOVPE method, the layer 8 has a carrier concentration of 5×1018 cm-3 or more and is formed of an AlGaInP layer having a larger band gap than that of the layer 4. - 特許庁