かつどうでんいじぞくじかんの英語

第２の充電モードは、夜間電力時間帯に充電可能状態が設定された場合、直ちに蓄電池３０に対する充電動作を実行させ、当該充電動作中に昼間電力時間帯に突入し、且つ、その時点での蓄電池３０の残容量がＳＯＣ設定値に到達していても、若しくは、その後に前記残容量がＳＯＣ設定値に到達しても、満充電まで充電動作を継続させるモードである。例文帳に追加

In the second charge mode, when a chargeable state is set during the nighttime power hours, a charging operation on the storage battery 30 is immediately started, and the charging operation is continued to the full charge even if the daytime power hours come during the charging operation and the remaining level of the storage battery 30 reaches the SOC set value at the time or later. - 特許庁

アルカリ電池において、高い平均作動電圧を維持したまま、負極の活物質の反応効率を向上させて、放電持続時間の改善された高エネルギー密度の電池を実現する。例文帳に追加

To realize a battery having a high energy density and an improved discharge duration, by suppressing generation of hydrogen gas by self-discharge while maintaining high average actuation voltage, in the alkaline battery. - 特許庁

ＥＣＵ３００は、ＥＣＵ３００が起動状態であるがＰＣＵ１２０が非駆動状態であるＩＧ−ＯＮ状態の期間に、ＳＭＲ１１５が非導通でかつ充電ケーブル４００が非接続である状態の継続時間がしきい値を上回るか否かを判定する。例文帳に追加

The ECU 300 determines whether duration of a state that the SMR 115 is not conductive and a charging cable 400 is not connected exceeds a threshold or not during a period of an IG-ON state that the ECU 300 is in a startup status but the PCU 120 is in a non-driving status. - 特許庁

そして、入力パネル１０の入力無し状態の継続時間が所定時間を越えた場合には、ＣＰＵ２の駆動速度を低速度とし、かつ、Ａ／Ｄコンバータ３への電力供給を停止させる。例文帳に追加

Then, when the continuing time of the state of the absence of the input to the input panel 10 exceeds a prescribed time, the driving speed of a CPU 2 is turned into a low speed, and the power supply to the A/D converter 3 is stopped. - 特許庁

製造工数、コストの増大なく磁界状態のアンバランスを抑制でき、高品質の電機子コイルの導線巻き付けを円滑に行えるブラシ付直流モータを提供する。例文帳に追加

To provide a DC motor with a brush in which the unbalance of a magnetic field state can be suppressed without increasing a manufacturing man-hour and a cost and the lead winding of an armature coil of high quality can be smoothly performed. - 特許庁

ＭＰＳ構造又はＪＢＳ構造を有し、低い順方向降下電圧ＶＦ及び高い逆方向耐圧ＶＲを両立させることが可能で、さらには、逆回復時間ｔｒｒが短く、かつ、逆方向リーク電流ＩＲが低い半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a MPS structure or a JBS structure, capable of maintaining both of low forward drop voltage VF and high reverse breakdown voltage VR, and having short reverse recovery time trr and low reverse leakage current IR. - 特許庁