かび抵抗の英語

非直線抵抗体において、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とし、副成分として少なくとも酸化チタン（ＴｉＯ_2 ）と酸化ビスマス（Ｂｉ_2 Ｏ_3 ）を含有し、１０Ｖ／ｍｍ〜１５０Ｖ／ｍｍの抵抗値を有することを特徴とするセラミック素体１の側面に、高抵抗層３が塗布され、焼結される。例文帳に追加

In a nonlinear resistor, a high-resistance layer 3 is applied to both side faces of a ceramic element 1, containing zinc oxide(ZnO) as the main element, and at least titanium oxide(TiO2) and bismuth oxide(Bi2O3) as sub-elements, with resistance of 10 to 150 V/mm and these elements are sintered. - 特許庁

非磁性１成分トナーは、トナー粒子の表面を、シリカ微粒子と、小粒径で低抵抗の酸化チタン微粒子(i)と、大粒径で高抵抗の酸化チタン微粒子(ii)とで表面処理した。例文帳に追加

The nonmagnetic monocomponent toner is obtained by treating the surfaces of toner particles with fine silica particles, fine titanium oxide particles (i) having a small particle diameter and low resistance, and fine titanium oxide particles (ii) having a large particle diameter and high resistance. - 特許庁

回収された塩化ビニル樹脂組成物中に上記物質を添加して体積抵抗率を改善した回収塩化ビニル樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a recycled vinyl chloride resin composition improved in a volume resistivity by adding the above material to the recycled vinyl chloride resin composition. - 特許庁

また、該分子マーカーを用いることにより、二条あるいは六条性遺伝子と連鎖する赤かび病抵抗性を識別できると考えられる。例文帳に追加

Further, by using the molecular marker, it is supposed that scab resistance associated with the tow-row- or six-row-natured gene can be discriminated. - 特許庁

酸化亜鉛および酸化ビスマスを含む組成物を焼結して得られる焼結体からなる電圧非直線抵抗体であって、添加する酸化アンチモンと酸化ビスマスとのモル比率が０．３〜１．５、酸化ビスマスと酸化アンチモンの総和が１．０〜３．０モル％であることを特徴とする電圧非直線抵抗体である。例文帳に追加

The molar ratio between added antimony oxide and bismuth oxide is adjusted to be 0.3-1.5, and the sum total of the bismuth oxide and antimony oxide is adjusted to 1.0-3.0 mol%. - 特許庁

そしてポリ塩化ビニル樹脂に体積固有抵抗の温度依存性を付与し高分子感温体とする。例文帳に追加

Thus, the polyvinyl chloride resin is endowed with the temperature dependence of volume resistivity to be rendered a polymer heat-sensitive body. - 特許庁

酸化亜鉛を主成分として作成され、希土類元素を含有するＲ相５とスピネル相と酸化ビスマス相とを結晶相として含む電圧非直線抵抗体において、抵抗体切断面におけるＲ相５の面積率を０．０２〜５％の範囲に規定した。例文帳に追加

In the voltage nonlinear resistor which is produced by using zinc oxide as a principal component, and includes an R phase 5 containing a rare-earth element, a spinel phase, and a bismuth oxide phase as a crystal phase, an area rate of the R phase 5 in a cut-off plane of a resistor is specified to a range of 0.02 to 5%. - 特許庁

導電性基体上に、下引き層および感光層を有する電子写真用感光体において、該下引き層の、帯電方向の任意の電圧における体積抵抗値が、該電界の５倍の電界における体積抵抗値の５倍以上である非線形特性を有する。例文帳に追加

This electrophotographic photoreceptor which has a base layer and a photosensitive layer on a conductive base is characterized by that the volume resistance value of the base layer at an arbitrary voltage in an electrostatic charging direction has nonlinear characteristics times as large as the volume resistance value in an electric field ≥5 times as large as the electric field. - 特許庁