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かわせげんぶつそうばの英語
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該当件数 : 1件
そして、直流電源26により薄膜電極20にプラスの電圧を印加し、基板電極22から半導体層16に注入された電子を高電界強度の薄膜絶縁層18において加速し、薄膜電極20をトンネルして被帯電物10に向かわせる際に、バイアス電源28によるバイアス電圧を調整して、電子の運動エネルギーが24.3eV未満になるようにする。例文帳に追加
In the case of applying plus voltage to the electrode 20 by a DC power supply 26, accelerating electrons injected from the electrode 22 into the layer 16 on the layer 18 having high field strength and directing the accelerated electrons to the object 10 through the electrode 20 acting as a tunnel, bias voltage from a bias power supply 28 is adjusted so that the kinetic energy of electrons becomes <24.3 eV. - 特許庁
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