きくすいしちじょう４ちょうめの英語

ｃ面サファイア基板１上にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法により４μｍ／ｈ以下の成長速度で薄いＧａＮ層２を成長させた後、このＧａＮ層２上にハイドライドＶＰＥ法により４μｍ／ｈよりも大きくかつ２００μｍ／ｈ以下の成長速度で十分に厚いＧａＮ層３を成長させる。例文帳に追加

A thin GaN layer 2 is grown rate of 4 μm/h or less on a c-face sapphire substrate 1 by MOCVD or MBE, and then a sufficiently thick GaN layer 3 is grown on the GaN layer 2 at a rate higher than 4 μm/h but not higher than 200 μm/h by hydride VPE. - 特許庁

エアギャップ６における下部磁性材基板２に垂直な方向のギャップ長は、ループ状導体３に近づく程大きくなり、離れる程小さくなるように変化していて、磁性材コア層４の厚みは面内分布を持つ。例文帳に追加

A gap length of the air gap 6 in a direction perpendicular to the lower magnetic material substrate 2 varies to be larger toward the looped conductor 3 and to be smaller away therefrom, and a thickness of the magnetic material core layer 4 has an in-plane distribution. - 特許庁

適用デジタルフィルタ４におけるパラメータ推定速度を、パラメータ推定演算開始後から所定時間の間はパラメータ推定演算開始から所定時間経過した後のパラメータ推定速度よりも大きくするように調整する調整手段７を備えた二次電池の充電率推定装置。例文帳に追加

The charging rate estimating device for secondary cell using applicable digital filter is equipped with a regulating means 7 which, during a predetermined period from the beginning of parameter estimation operation, regulates to make the parameter estimation rate in applicable digital filter 4 to be larger than the parameter estimation rate, after passage of the predetermined time from the beginning of parameter estimation operation. - 特許庁

１または左右対から成る浮動体（１）と、２組の目の字状リンク仕掛けの駆動伝達装置（２）と、前記駆動伝達装置（２）に接続し駆動する竹馬部（３）と、４器の推進ひれ（４）とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

This water-borne tilt device is characterized by having floating bodies 1 composed of one or left and right pairs, a driving transmission device 2 of a device of two sets of grid-like links, a stilt part 3 driven by being connected to the driving transmission device 2 and four units of advancing fins 4. - 特許庁

ｃ面サファイア基板３０１上に、減圧ハイドライドＶＰＥ法により４μｍ／ｈ以下の成長速度で薄いＧａＮ層３０２を成長させた後、このＧａＮ層３０２上に常圧ハイドライドＶＰＥ法により４μｍ／ｈよりも大きく且つ２００μｍ／ｈ以下の成長速度で十分に厚いＡｌＧａＮ層３０４を成長させる。例文帳に追加

A thin GaN layer 302 is grown at a growth rate of, for example, 4 μm/h or under by depressurized hydride VPE method on a substrate 301, and then a thick AlGaN layer 304 is grown enough at a growth rate of 4-400 μm/h by normal pressure hydride VPE method on this GaN layer 2. - 特許庁

送風手段１と、送水手段２と、噴射部４を有した空気清浄部３を備え、噴射部４を交換またはメンテナンス出来るよう、空気清浄部３の外枠が分割可能、あるいは着脱可能、または前記空気清浄部３の外枠に開口部を設けたことを特徴とする負イオン発生装置。例文帳に追加

An anion generating device is provided with a ventilating means 1, a water sending means 2 and the air cleaner 3 having an injection unit 4 while the outer frame of the air cleaner 3 is made dividable or detachable or the outer frame of the air cleaner 3 is provided with an opening so that the injection unit 4 can be replaced or maintained. - 特許庁

特許庁に送付され若しくは配達され，又は長官に提供される全ての書類若しくは書類の写しは，宣誓供述書及び図面を除き，(長官による別段の指示又は許可がない限り)ヒンディー語又は英語の何れかにより，寸法が縦29.7cm，横21cmのA4型の丈夫な白紙にその上端及び左端部に少なくとも4cm並びにその下端及び右端部に少なくとも3cmの余白を置いて，片面のみに，行間を広くとって濃い永続するインクをもって大きく判読し易い文字で手書きされ，タイプされ又は印刷されたものでなければならない。例文帳に追加

All documents and copies of documents, except affidavits and drawings, sent to or left at the patent office or otherwise furnished to the Controller shall be written or typewritten or printed either in Hindi or in English language (unless otherwise directed or allowed by the Controller) in large and legible characters with deep indelible ink with lines widely spaced upon one side only of strong white paper of a size A4 of approximately 29.7 centimeters by 21 centimeters with a margin of at least 4 centimeters on the top and left hand part and 3 centimeters on the bottom and right hand part thereof.発音を聞く  - 特許庁