きんぞくはんどうたいでんかいこうかとらんじすたの英語

トレンチ型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを作製する方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING TRENCH TYPE METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR - 特許庁

電力用半導体スイッチング素子２１はノーマリーオン型であり、第１の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２２及び第２の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２３はノーマリーオフ型である。例文帳に追加

The power semiconductor switching element 21 is normally-on type, and the first metal insulating film semiconductor type field effect transistor 22 and the second metal insulating film semiconductor type field effect transistor 23 are normally-off type. - 特許庁

一実施形態では、このＦＥＴは、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）である。例文帳に追加

According to one embodiment, the FET is a metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET). - 特許庁

多孔質のトレンチ金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を提供する。例文帳に追加

To provide a cellular trench metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). - 特許庁

金属酸化物半導体電界効果トランジスタのような金属絶縁体デバイスおよび／または金属絶縁体金属キャパシタを提供する。例文帳に追加

To provide a metal insulator device and/or metal-insulator-metal capacitor such as a metal oxide semiconductor field effect transistor. - 特許庁

ダミー金属酸化物電界効果トランジスタは、分離領域を含む半導体基板の上に配置された金属酸化物半導体電界効果トランジスタと同時に形成することができる。例文帳に追加

The dummy metal oxide field effect transistor may be formed simultaneously with a metal oxide semiconductor field effect transistor located over a semiconductor substrate that includes the isolation region. - 特許庁

Ｆｉｎ型トランジスタの金属ゲート電極を高抵抗化させることなく、トランジスタを正常に動作させることができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that can normally activate a Fin-type transistor without enhancing the resistance of its metal gate electrode. - 特許庁

本発明は、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）を提供する。例文帳に追加

To provide a metal semiconductor field effect transistor (MESFET). - 特許庁