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くまばしりの英語
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「くまばしり」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1631件
明日のぼくらはもっと速く走り、もっと遠くまで腕を伸ばす……例文帳に追加
to-morrow we will run faster, stretch out our arms farther. . . .発音を聞く - F. Scott Fitzgerald『グレイト・ギャツビー』
若狭鯖街道熊川宿資料館「宿場館」-旧熊川村役場を利用した洋風建築の資料館例文帳に追加
Wakasa Saba Kaido Kumagawa-Juku Shiryokan (archives museum) - a western-style museum that was once Kumagawa-mura Office.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
CVD法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING SILICON NITRIDE FILM OR SILICON OXYNITRIDE FILM BY CVD - 特許庁
化学気相成長法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法例文帳に追加
PRODUCTION METHOD FOR SILICON NITRIDE FILM OR SILICON OXYNITRIDE FILM BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD - 特許庁
熱化学気相成長法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING SILICON NITRIDE FILM OR SILICON OXYNITRIDE FILM BY THERMAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD - 特許庁
実質的に酸素を含まない雰囲気中において、シリコン基板1上に金属膜12を形成する。例文帳に追加
A metallic film 12 is formed on a silicon substrate 1 in an atmosphere substantially containing no oxygen. - 特許庁
ポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法、ポリシリコン薄膜トランジスタ基板及び液晶表示装置例文帳に追加
POLYSILICON THIN-FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY - 特許庁
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「くまばしり」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1631件
あの私立校には特に教育ママが多いという評判だ.例文帳に追加
That private school is reputed to have an especially large number of excessively education‐minded mothers.発音を聞く - 研究社 新和英中辞典
撥液被膜は、フッ素樹脂粒子が分散された金属膜にする。例文帳に追加
The liquid repellent coating film consists of a metal film distributed with fluorine resin particles. - 特許庁
ガラス基板上に単結晶シリコン薄膜トランジスタを製造する方法例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL SILICON THIN FILM TRANSISTOR ON GLASS SUBSTRATE - 特許庁
ゲートオーバーラップ型LDDポリシリコン薄膜トランジスタ例文帳に追加
GATE OVERLAP TYPE LDD POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR - 特許庁
多結晶シリコン薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法例文帳に追加
POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILM TRANSISTOR DISPLAY PANEL AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
(3)分子量:ゲルろ過で測定した場合、約6万である。例文帳に追加
(3) Molecular weight: The synthetase has about 6×10^4 of molecular weight measured by gel filtration. - 特許庁
又、外側のカバー16には、飼料Sを落下、排出する飼料排出孔27,29を穿設しておく。例文帳に追加
The outside cover 16 is bored with feed discharge holes 27 and 29, via which makes feed S drop and discharge. - 特許庁
また、バリア層134および密着層136には、チタンを含まない例えばシリコンの窒化物またはシリコンの酸化物が用いられている。例文帳に追加
As a barrier layer 134 and an adhesive layer 136, e.g. silicon nitride or silicon oxide which do not contain titanium is used. - 特許庁
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