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けいひてきえたのーるちゅうにゅうの英語
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「けいひてきえたのーるちゅうにゅう」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 917件
また、光中継機ＡＰ１、ＡＰ２は、所定エリア内で他の光中継機ＡＰ１、ＡＰ２と互いの通信エリア範囲が一部重なるように配置する。例文帳に追加
The repeaters AP1, AP2 are arranged so that its communication area range is partially overlapped to that of other optical repeaters AP1, AP2 in a prescribed area. - 特許庁
また、光中継機ＡＰ１、ＡＰ２は、所定エリア内で他の光中継機ＡＰ１、ＡＰ２と互いの通信エリア範囲が一部重なるように配置する。例文帳に追加
The optical repeaters AP1 and AP2 are arranged, such that each areal range of communication of the optical repeaters AP1 and AP2 mutually partially overlaps within a prescribed area. - 特許庁
また、光中継機ＡＰ１、ＡＰ２は、所定エリア内で他の光中継機ＡＰ１、ＡＰ２と互いの通信エリア範囲が一部重なるように配置する。例文帳に追加
The optical repeaters AP1 and AP2 are also arranged such that their communication area range is partially overlapped on that of other optical repeaters AP1 and AP2 within a prescribed area. - 特許庁
半導体ウエハ表面の上部（中央部）にあたる石英チューブ部分にガス導入口を設けるとともに、石英チューブ上面が傾斜をもったＲＴＰ装置とした。例文帳に追加
A RTP unit has a gas introducing port at a quartz tube portion on the top (central portion) of the surface of a semiconductor wafer and the top surface of the quartz tube is tilted. - 特許庁
注入管１２から地盤中に注入された薬液Ａは、負圧域Ｂに引き寄せられるようして、外方に向けて放射状に移動し、その浸透範囲が拡大する。例文帳に追加
The chemicals A fed from the feed pipes 12 into the ground are radially moved outward so as to be pulled to the negative pressure region B, resulting in its wider penetration range. - 特許庁
Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石をめっきするに際し、用いるめっき液Ｌ中に酸化性ガスを供給し、めっきの際にめっき液Ｌ中に溶出したＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の成分、例えばＮｄやＦｅを酸化させ、沈殿させるようにした。例文帳に追加
When plating a R-T-B base sintered magnet, this plating method includes supplying an oxidative gas to the plating liquid L to be used, to oxidize and precipitate the component, for instance Nd and Fe, in the R-T-B base sintered magnet, which has eluted into the plating liquid L during plating. - 特許庁
また、上記の蛍光体スラリー４を、２０μ〜４０μの膜厚で塗布するようにし、さらに、蛍光体の保護膜として、上記石英管２に透光性チューブを装着するようにする。例文帳に追加
The phosphor slurry 4 is applied at a 20-40μm film thickness, and a translucent tube is mounted to the quartz tube 2 as a protective film for the phosphor. - 特許庁
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「けいひてきえたのーるちゅうにゅう」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 917件
また、矢印Ｐ方向からの衝撃に対して頂点１５ｆにおいて突出壁面１５ａ，１５ｂを開くように変形させて衝撃エネルギーを吸収する。例文帳に追加
For an impact applied in the direction of Arrow P, a deformation is generated so that the protrusive wall faces 15a and 15b are opened at the apex 15f and thereby the impact energy is absorbed. - 特許庁
基板表面に薄膜パターンが形成された基板Ｐであって、この基板Ｐは、機能液Ｌを注入することができる液体注入部Ａ２と、機能液Ｌが流動するように接続して配置された液体流動部Ａ１とが設けられている。例文帳に追加
The substrate P with the thin-film pattern formed on the surface thereof is provided with a liquid injection section A2 capable of injecting a function liquid L and a liquid flow section A1 arranged by being connected in such a manner that the function liquid L flows. - 特許庁
基板表面に薄膜パターンが形成された基板Ｐであって、この基板Ｐは、機能液Ｌを注入することができる液体注入部Ａ２と、機能液Ｌが流動するように接続して配置された液体流動部Ａ１とが設けられている。例文帳に追加
A substrate P has the thin-film pattern formed on the surface of the substrate, and the substrate P has a liquid pouring portion A2 which is to be poured with a functional liquid L, and a liquid-flowing portion A1 disposed while being connected to flow the functional liquid L. - 特許庁
絶縁膜２１ａは、記ｎ^−型窒化ガリウム系半導体層１９の第１の半導体領域１９ａ上に位置する開口２１ｂを有しており、基板１１の主面１１ａ及びｎ^−型窒化ガリウム系半導体層１９上に設けられている。例文帳に追加
An insulating film 21a has an opening 21b located on a first semiconductor region 19a of the n-type gallium nitride based semiconductor layer 19 and provided on the principal surface 11a of the substrate 11 and the n-type gallium nitride based semiconductor layer 19. - 特許庁
また、領域ＡＬＴＮにおけるｎ^−型半導体領域１９およびパンチスルーストッパ層２０を形成する際の不純物の注入量は、それぞれ領域ＡＨＴＮにおけるｎ^−型半導体領域１６およびパンチスルーストッパ層１７を形成する際の不純物の注入量より多くする。例文帳に追加
An injection amount of the dopant for forming an n^--type semiconductor region 19 and a punch-through stopper layer 20 in the region ALTN is made larger than that for forming an n^--type semiconductor region 16 and a punch-through stopper layer 17 in the region AHTN. - 特許庁
相対的にしきい値電圧の低いｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎ３が形成される領域ＡＬＴＮにしきい値電圧調整用に注入する不純物の濃度は、相対的にしきい値電圧の高いｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎ２が形成される領域ＡＨＴＮにしきい値電圧調整用に注入する不純物の濃度より低くする。例文帳に追加
A concentration of a dopant injected into a region ALTN for threshold value voltage adjustment is made lower than that injected into a region AHTN for threshold value voltage adjustment, wherein an n-channel-type MISFETQn3 having a relatively-low threshold value voltage is formed in the region ALTN, and an n-channel-type MISFETQn2 having a relatively-high threshold value voltage is formed in the region AHTN. - 特許庁
筒状体が非対称形状のテーパ部を有する場合でも所定の衝撃エネルギー吸収性能が安定して得られるように圧壊挙動を安定化させるとともに、そのための応力集中部のチューニングを容易に行なうことができるようにする。例文帳に追加
To stabilize crashing behavior to stably secure a predetermined shock energy absorption performance even when a cylindrical body has an asymmetric tapered section, and to facilitate tuning of a stress concentration portion provided therefor. - 特許庁
但し、ｄ_50ｘ１：ＴＥＭ写真より求めた板状粒子の平均長径（定方向最大径）（μｍ）、Ｓｗ：窒素吸着法によるＢＥＴ比表面積（ｍ^2 ／ｇ）例文帳に追加
In the inequalities, d_50x1 is the average major axis (maximum aspect diameter) in μm of the platy particle obtained by the TEM image and Sw is the BET specific surface area (m^2/g) obtained by the nitrogen absorption method. - 特許庁
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