こうぐろぶりんけっしょうの英語

非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と下地層と中間層と垂直磁気記録層を有する垂直磁気記録媒体において、前記垂直磁気記録層の少なくとも１層が、強磁性の結晶粒と非磁性である酸化物の結晶粒界とから構成されるグラニュラ構造をとり、その結晶粒界の酸化物がＷ酸化物を含むものとする。例文帳に追加

In the perpendicular magnetic recording medium including at least a backing layer, an underlayer, an intermediate layer, and the perpendicular magnetic recording layer on a nonmagnetic substrate, at least one layer of the perpendicular magnetic recording layer has a granular structure comprising ferromagnetic crystal grains and crystal grain boundaries of a nonmagnetic oxide, wherein the oxide at the grain boundaries includes a W-oxide. - 特許庁

本発明の多結晶シリコン膜の水素化処理方法は、プラズマＣＶＤ装置のチャンバー２０内をクリーニングする工程と、同チャンバー２０の内壁にシーズニング膜２２を堆積させる工程と、チャンバー２０内に多結晶シリコン膜が形成された基板Ｗを導入し、基板Ｗに水素プラズマ処理を施す工程とを有する。例文帳に追加

This hydrogenation treatment method of a polycrystalline silicon film is provided with a process for cleaning the inside of a chamber 20 of a plasma CVD system, a process for depositing a seasoning film 22 on the inner wall of the chamber 20, and a process for introducing a substrate W on which a polycrystalline silicon film is formed into the chamber 20 to give a hydrogen plasma treatment to the substrate W. - 特許庁

半導体装置１０は、ゲート絶縁膜１２上に順次に積層された、多結晶シリコン（poly-Ｓｉ）層１３、タングステン・シリサイド（ＷＳｉ）層１４、タングステン・ナイトライド（ＷＮ）層１５、及び、タングステン（Ｗ）層１６を有する多層構造のゲート電極１７を備える。例文帳に追加

The semiconductor device 10 includes a gate electrode 17 of multilayer structure having a poly silicon (poly-Si) layer 13, a tungsten silicide (WSi) layer 14, a tungsten nitride (WN) layer 15, and a tungsten (W) layer 16, which are laminated sequentially on a gate insulating film 12. - 特許庁

本発明の第１側面は、１００μｍ以上の厚みを有し、厚さ方向に上部領域２２ｂ及び下部領域２２ａに区分され、上部領域２２ｂのドーピング濃度は、下部領域２２ａのドーピング濃度の５倍以上であることを特徴とする窒化物単結晶基板２２を提供する。例文帳に追加

In a nitride single crystal substrate 22, a first side surface has a thickness of 100 μm or more, is defined into an upper region 22b and a lower region 22a in the direction of thickness, and the doping concentration of the upper region 22b is five times or more the doping concentration of the lower region 22a. - 特許庁

補強繊維としてのアラミド繊維を未硬化状のマトリックス樹脂に含浸する直前において、加熱処理して、油剤付着量を繊維に対して０．１５重量（ｗｔ）％以下、結晶サイズが６０Å以上のものを使用する。例文帳に追加

Aramid fibers as reinforcing fibers of ≤15 wt.% and ≥60 Å in crystal size which are heat treated just before impregnation of an uncured matrix resin with the aramid fibers are used. - 特許庁

当該方法は、組換え型ポリクローナル抗体を製造するために適しており、かくして血漿由来の治療用免疫グロブリン製品のより優れた代替品が入手可能となる。例文帳に追加

The method is suitable for manufacturing a recombinant polyclonal antibody, thereby making available a far superior replacement of plasma-derived therapeutic immunoglobulin products. - 特許庁

次に、レジストパターンを用い、かつバイアス電力を１００Ｗ以上としたドライエッチングを行うことにより、露出した低抵抗多結晶シリコン膜の部分を除去してゲート電極を形成する。例文帳に追加

Then, dry etching is performed at a bias power of 100 W or above using the resist pattern to remove the exposed portion of the low-resistance polycrystalline silicon film, thus forming the gate electrode. - 特許庁

アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）またはサファイア（単結晶アルミナ）からなる発光管を具備してなるフラッシュランプにおいて、前記発光管に含まれるＴｉ濃度を１０ｗｔ．ｐｐｍ以下に設定する。例文帳に追加

In the flash lamp comprising an arc tube made of alumina (Al_2O_3) or sapphire (single-crystal alumina), the concentration of Ti contained in the arc tube is set to 10 wt.ppm or less. - 特許庁