こせ１ちょうめの英語

表面に高さ１μｍ以上の突起が１００個／ｃｍ^２以上存在し、厚さが１００μｍ以下であることを特徴とする金属箔、該金属箔により構成されるハニカム体。例文帳に追加

In the metal foil, projections with a height of ≥1 μm are present by ≥100 pieces/cm^2 on the surface, and the thickness thereof is ≤100 μm, and the honeycomb body consists of the metal foil. - 特許庁

放射導体１６は約ｎλ／２（ｎ＝１，２，３・・・）の電気長を有するため、無線回路基板１３上に電流を誘起せず、したがって人体の影響による特性劣化がない。例文帳に追加

Since the radiation conductor 16 has an electric length of about nλ/2 (n=1, 2, 3 and so on), no current is induced on the wireless circuit board 13 and no characteristic deterioration due to the effect of a human body is caused. - 特許庁

これにより、Ｓｉ-Ｓｉ結合濃度が１×１０^１５個／ｃｍ^３であって、波長１６３ｎｍにおける紫外光透過率が８０％以上のフッ素添加石英ガラスを供することができる。例文帳に追加

Thus, the fluorine-added quartz glass can be provided which has a Si-Si bond concentration of 1×10^15 bonds/cm^3, and an ultraviolet light transmittance of ≥80% at a wavelength of 163 nm. - 特許庁

跨線橋、跨道橋又は高架橋の側面に設置する柵であって、橋梁の側縁１に沿って一定の間隔で立設した支柱６間に有孔折板８を横設したことを特徴とする。例文帳に追加

This fence is installed on the side face of an overpass or via duct elevated, and perforated folded plates 8 are horizontally arranged between stanchions 6 erected at fixed intervals along the side edge 1 of the bridge. - 特許庁

２．1.に記載の帯鋸刃において、前記スリットの始点Ｓsがすくい面３と前記歯底５の間に位置し、該スリットの進行方向が歯先から歯底方向へ向かっているかまたは鋸背に平行であることを特徴とする帯鋸刃。例文帳に追加

(2) In the band saw blade mentioned in (1), the starting point Ss of the slit is positioned between the cutting face 3 and the bottom 5, and the advancing direction of the slit is directed from the tip of the tooth toward the bottom or in parallel to the ridge of the saw. - 特許庁

金属からなる試料本体１の表面に非金属粒子を分散せしめた非金属粒子分散層２を有するスパーク発光分光分析装置用標準試料において、非金属粒子分散層２に分散する非金属粒子の密度分布を１００〜２５０００個／ｃｍ^3としたことを特徴とする。例文帳に追加

This standard sample for the spark emission spectral analyzer having a nonmetal particle dispersion layer 2 formed by dispersing nonmetal particles on the surface of a sample body 1 comprising a metal has a characteristic wherein a density distribution of the nonmetal particles dispersed in the nonmetal particle dispersion layer 2 is 100-25,000/cm^3. - 特許庁

析出用基板１は、進行方向の上流側から斜め方向に下降されて溶湯１５に浸漬された後、進行方向の下流側に斜め方向に上昇されて溶湯１５から引き上げられることによって、浸漬された部分に溶湯１５の凝固成長した半導体基板２を得る。例文帳に追加

A substrate for deposition 1 is lowered diagonally to be dipped in a molten metal 15 and then lifted up diagonally to a downstream side along its moving direction to be pulled up from the molten metal 15, where a semiconductive substrate 2 solidified and grown from the molten metal 15 is formed at the dipped part. - 特許庁

サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）単結晶の基板上に成長したＺｎＯ系結晶層は、基板との界面にアルミニウム（Ａｌ）が８×１０^２０個／ｃｍ^３以上の濃度で固溶した固溶層、及びＡｌの濃度が１×１０^１９ｃｍ^３以上である高濃度拡散層を有している。例文帳に追加

A ZnO-based crystal layer grown on a substrate of sapphire (Al_2O_3) single crystal includes a solid solution layer having aluminum (Al) solid-dissolved in an interface with the substrate to have a concentration of 8×10^20 pieces/cm^3, and a high-concentration diffusion layer of ≥1×10^19 cm^3 in Al concentration. - 特許庁