こんたくとりらんの英語

一方の駆動トランジスタのソース１６ｃと、ウエルコンタクト領域１６ｄとは、一つのコンタクト部８０を共用している。例文帳に追加

A source 16c of one drive transistor and the well contact region 16d share one contact part 80. - 特許庁

第１駆動トランジスタＱ３のソース１６ｃと、第１ウエルコンタクト領域１６ｄとは、第１コンタクト部８０を共用している。例文帳に追加

A source 16c of the first drive transistor Q3 and the first well contact region 16d share a first contact part 80. - 特許庁

半導体装置は、基板の上に、複数のｐ型電界効果型トランジスタ、複数のｎ型電界効果型トランジスタ、Ｐ型基板コンタクト領域６及びＮ型基板コンタクト領域５を備えた集積回路からなる。例文帳に追加

The semiconductor device is constituted of the integrated circuit equipped with a plurality of p-type electric field effect type transistors, a plurality of n-type electric field effect type transistors, a P-type substrate contact region 6 and an N-type substrate contact region 5 on a substrate. - 特許庁

信号供給点Ｒ1とトランジスタＴR1のチャネルコンタクト領域Ａとの間には容量Ｃ1が介在し、信号供給点Ｒ1とトランジスタＴR2のチャネルコンタクト領域Ａとの間には容量Ｃ2が介在する。例文帳に追加

A capacity C1 is interposed between a signal supply point R1 and a channel contact area A of the transistor TR1, and a capacity C2 is interposed between the signal supply point R1 and the channel contact area A of the transistor TR2. - 特許庁

さらに、コレクタコンタクト領域（１５０−３）がベース（１３０）により取り囲まれているトランジスタが提供される。例文帳に追加

Additionally, a transistor whose collector contact region 150-3 is surrounded by the base 130 is provided. - 特許庁

ストリング選択トランジスターの不純物領域の上にビットラインコンタクトが位置し、高電圧トランジスターの不純物領域の上に第１高電圧コンタクトが位置する。例文帳に追加

A bit line contact is positioned on a dopant of the string selecting transistor, and a first high voltage contact is positioned on a dopant of the high voltage transistor. - 特許庁

コントラスト理論においては、非弾性散乱の効果は、まったく負の(実りの無い)効果しかないと考えられる(判断される)。例文帳に追加

In the contrast theory, the effect of inelastic scattering was considered to be a purely negative one. 発音を聞く  - 科学技術論文動詞集

本発明によると、ストリング方向に隣接したストリング／グラウンド選択トランジスタがバッティングコンタクトを共有するように、隣接したメモリブロックのストリング／グラウンド選択ラインは、電気的に連結されている。例文帳に追加

The string/ground selection lines of adjacent memory blocks are electrically connected so that string/ground selecting transistors adjacent in the string direction may share butting contact. - 特許庁