さあらぬ体での英語

一般式（２）ＮＨ_2-Ｒ_1-ＣＯＯＨで表される蛋白質に、一般式（３）ＮＨ_2-Ｒ_2-ＣＯ-ＮＨ-ＣＨ（ＣＨ_2-ＳＨ）-ＣＯ-Ｘで表されるペプチドを結合させて、一般式（４）ＮＨ_2-Ｒ_1-ＣＯＮＨ-Ｒ_2-ＣＯ-ＮＨ-ＣＨ（ＣＨ_2-ＳＨ）-ＣＯ-Ｘで表される融合蛋白質を作製し、この融合蛋白質のＳＨ基をシアノ化し、得られた一般式（５）ＮＨ_2-Ｒ_1-ＣＯＮＨ-Ｒ_2-ＣＯ-ＮＨ-ＣＨ（ＣＨ_2-ＳＣＮ）-ＣＯ-Ｘで表されるシアノ基を有する蛋白質を、一般式（６）ＮＨ_2-Ｙで表される固定化担体に作用させて、一般式（１）ＮＨ_2-Ｒ_1-ＣＯ-ＮＨ-Ｒ_2-ＣＯ-ＮＨ-Ｙで表される固定化蛋白質を生成させる。例文帳に追加

This protein is represented by the formula NH2-R1-CO-NH-R2-CO-NH-Y (R1 and R2 are each an amino acid sequence; and Y is an immobilizing carrier) and immobilized on the immobilizing carrier at one site of the carboxyl terminal of a protein main chain. - 特許庁

蛍光体層１１は、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４：Ｍｎで表される緑色発光蛍光体で形成された層である。例文帳に追加

The phosphor layer 11 is formed of a green light-emitting phosphor represented by Zn_2SiO_4:Mn. - 特許庁

ＩＧＺＯ焼結体として、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７で表される化合物の結晶が主体である複合酸化物焼結体を得ることができるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an In-Ga-Zn-based composite oxide sintered compact where the In-Ga-Zn-based composite oxide sintered compact composed mainly of the crystal of a compound denoted as In_2Ga_2ZnO_7 is obtained as an IGZO sintered compact. - 特許庁

一般式：（ＺｎＯ）_1-ｘ（ＧａＮ）_ｘ（０＜ｘ＜１）で表される母体に賦活剤としてＭｎを含有させた。例文帳に追加

Mn as an activator is contained in a host substance represented by the general formula: (ZnO)_1-x(GaN)_x(0<x<1). - 特許庁

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、亜鉛元素（Ｚｎ）及び錫元素（Ｓｎ）を含み、Ｇａ_２Ｉｎ_６Ｓｎ_２Ｏ_１６又は（Ｇａ，Ｉｎ）_２Ｏ_３で表される化合物を含むこと特徴とする酸化物焼結体。例文帳に追加

The oxide sintered compact comprises an indium element (In), a gallium element (Ga), a zinc element (Zn) and a tin (Sn) element, and comprises a compound expressed by Ga_2In_6Sn_2O_16 or (Ga, In)_2O_3. - 特許庁

中国・日本では、忿怒相で身体を甲冑で固めた武神として表される。例文帳に追加

In China and Japan, he is expressed as a bushin (god of war) in kacchu (armor and helmet) with Funnuso (an angry expression found on Buddhist images).発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

混合ＤＮＡセグメントは予め選択された染色体又は染色体領域に存在するＤＮＡ由来のものである。例文帳に追加

The mixed DNA segments are derived from the DNA present in the preselected chromosome or chromosome region. - 特許庁

Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域に用いた半導体装置であって、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層は、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＞０）で表される非晶質構造中に、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＝１）で表される結晶粒を含む構造を有する。例文帳に追加

The In-Ga-Zn-O-based oxide semiconductor layer includes structure including a crystal grain expressed by InGaO_3(ZnO)_m(m=1) in amorphous structure expressed by InGaO_3(ZnO)_m(m>0). - 特許庁