さいくりんえーの英語

チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、ウエーハ全面が熱酸化処理をした際にリング状に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、ＲＩＥ法により検出される欠陥領域が存在しない。例文帳に追加

The silicon single crystal wafer grown by Czochralski method is free of any defective region detectable by RIE (reactive ion etching) method, in the N region outside the OSF region formed in a ring when the whole wafer surface is thermally oxidized. - 特許庁

ＣＺ法により窒素をドープして育成されたシリコン単結晶棒から得たシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハのゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の無欠陥層深さが２〜１２μｍであり、かつゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の内部微小欠陥密度が１×１０^８〜２×１０^１０ケ／cm^3であるシリコンウエーハ。例文帳に追加

This silicon wafer is a silicon wafer which is obtained from a silicon single crystal rod grown by doping with nitrogen by CZ method, has 2-12 μm defect-free layer depth after gettering heat treatment and after device production and heat treatment of silicon wafer and 1×108 to 2×1010 defects/cm3 internal fine defect density after gettering heat treatment and after device production and heat treatment. - 特許庁

ポリエーテルエーテルケトンに代表されるエンジニアリングプラスチック等の樹脂製の液体クロマトグラフ用カラム管の外表面を、厚さが５０から３０００μm程度の一種類以上の金属種の膜で被覆することにより、当該カラム管の機械的強度と熱伝導性を向上する。例文帳に追加

The outer surface of the column pipe for the liquid chromatograph made of resin such as engineering plastic represented by polyether ether ketone is covered with at least a kind of a metallic membrane with a thickness of about 50-3,000 μm to enhance the mechanical strength and heat conductivity of the column pipe. - 特許庁

前記モノリシック本体部（３１）は、集積化された電子部品（３３）を収容する第１の部分（３１ａ）と、前記カップリングとマイクロアクチュエータとを収容する第２の部分（３１ｂ）とを有する。例文帳に追加

The monolithic main body part 31 is provided with a 1st part 31a for housing integrated electronic parts 33 and a 2nd part 31b for housing the coupling and microactuator. - 特許庁

チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、ウエーハ全面が熱酸化処理をした際にリング状に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、Ｃｕデポジションにより検出される欠陥領域が存在しないものであることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ及びシリコン単結晶の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing silicon single crystal wafer and silicon single crystal are characterized in that in the silicon single crystal water grown by the Czochralski method, in N region out side of OSF ring generated in ring state at the time of heat oxidizing process for all surfaces of the wafer, no defective region is existing which is to be detected by Cu deposition. - 特許庁

振れ補正機構Ｅ１は、レンズ鏡筒２、このレンズ鏡筒２を一点で支持する支持部材としてのボールベアリング７１、レンズ鏡筒２に振れ補正駆動力を異なる２つの位置から与える第１アクチュエータ３１Ａ及び第２アクチュエータ３１Ｂ、運動拘束部７３などを備える。例文帳に追加

The hand-shake correcting mechanism E1 includes a lens barrel 2, a ball bearing 71 as a support member which supports the lens barrel 2 at one point, a first actuator 31A and a second actuator 31B which apply shake correction driving forces to the lens barrel 2 from two different positions, a motion restricting portion 73, etc. - 特許庁

そして、ハンドル１には操舵反力を与える反力アクチュエータとしてビスカスカップリング２と、このビスカスカップリング２を制駆動する反力モータ３とが設けられている。例文帳に追加

The handle 1 is provided with a viscous coupling 2 used as a reaction actuator for applying steering reaction and a reaction motor 3 for braking and driving the viscous coupling 2. - 特許庁

シリンダ室内に液媒体が充填される第１のシリンダ体１０と第２のシリンダ体２０と、液媒体が充填される中空部３１を備えたピストン体３０と、第１のシリンダ体１０とピストン体３０と第２のシリンダ体２０により形成される液媒体空間内に液圧を供給する液圧供給機構４０を備えた液圧駆動のアクチュエータである。例文帳に追加

The hydraulically driven actuator includes a first cylinder 10 and a second cylinder 20 whose cylinder chambers are filled with a liquid medium, a piston 30 having a hollow part 31 filled with a liquid medium, and a hydraulic pressure supply mechanism 40 supplying hydraulic pressure into a liquid medium space formed by the first cylinder 10, the piston 30 and the second cylinder 20. - 特許庁